分析 (1)a.鉛與碳是同族元素,最外層電子數(shù)為4,主要化合價(jià)為+2、+4;
b.鉛是金屬不是半導(dǎo)體材料;
c.同主族最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物形成的酸性減弱;
d.同主族從上到下金屬性增強(qiáng),形成最高價(jià)氫氧化物的堿性增強(qiáng);
e.同族的Ge(鍺)與鹽酸反應(yīng),Pb與鹽酸能反應(yīng),原子半徑從上到下依次增大;
(2)PbO和次氯酸鈉反應(yīng)生成二氧化鉛和氯化鈉;
(3)根據(jù)蓋斯定律書寫目標(biāo)熱化學(xué)方程式;
(4)原電池電極反應(yīng)方程式的書寫,首先根據(jù)裝置圖,判斷正負(fù)極,然后書寫正極電極反應(yīng)方程式;
(5)若a點(diǎn)固體組成表示為PbOx,根據(jù)PbO2$\frac{\underline{\;\;△\;\;}}{\;}$PbOx+$\frac{2-x}{2}$O2↑列方程計(jì)算x的值;若組成表示為mPbO2•nPbO,則O原子與Pb原子的比值為x,據(jù)此計(jì)算解答.
解答 解:(1)a.鉛與碳是同族元素,最外層電子數(shù)為4,主要化合價(jià)為+2、+4,故a正確;
b.同族的Si與Ge(鍺)均為半導(dǎo)體材料,鉛是金屬不是半導(dǎo)體材料,故b錯(cuò)誤;
c.同主族最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物形成的酸性減弱,鉛的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性弱于碳酸,故c錯(cuò)誤;
d.同主族從上到下金屬性增強(qiáng),形成最高價(jià)氫氧化物的堿性增強(qiáng),與同族的Ge(鍺)作比較:堿性Ge(OH)4<Pb(OH)4,則金屬性Ge<Pb,周期表中位置Pb在Ge下面,故d正確;
e.同族的Ge(鍺)與鹽酸反應(yīng),Pb與鹽酸能反應(yīng),則原子半徑Ge<Pb,故e錯(cuò)誤;
故答案為:ad;
(2)PbO和次氯酸鈉反應(yīng)生成二氧化鉛和氯化鈉,離子方程式為PbO+ClO-=PbO2+Cl-,故答案為:PbO+ClO-=PbO2+Cl-;
(3)已知:①2PbS(s)+3O2(g)=2PbO(s)+2SO2(g)△H=a kJ•mol-1
②PbS(s)+2PbO(s)=3Pb(s)+SO2(g)△H=b kJ•mol-1
③PbS(s)+PbSO4(s)=2Pb(s)+2SO2(g)△H=c kJ•mol-1
將①×2+②×2-③×3可得反應(yīng)3PbS(s)+6O2(g)=3PbSO4(s)
根據(jù)蓋斯定律△H=2△H1+2△H2-3△H3=(2a+2b-3c)kJ•mol-1
故答案為:2a+2b-3c;
(4)根據(jù)裝置圖,判斷正極為PbSO4發(fā)生還原反應(yīng),故答案為PbSO4+2e-=SO42-+Pb,故答案為:PbSO4+2e-=SO42-+Pb;
(5)若a點(diǎn)固體組成表示為PbOx,根據(jù)PbO2$\frac{\underline{\;\;△\;\;}}{\;}$PbOx+$\frac{2-x}{2}$O2↑,$\frac{2-x}{2}$×32=239×4.0%,x=1.4;
若組成為mPbO2•nPbO,根據(jù)原子守恒得,O原子和Pb原子的比值=x=$\frac{2m+n}{m+n}$=1.4,得m:n=2:3,
故答案為:1.4;2:3;
點(diǎn)評(píng) 本題考查碳族元素性質(zhì),題目難度中等,涉及蓋斯定律的應(yīng)用、離子反應(yīng)、電解原理等知識(shí)點(diǎn),注意原電池原理、原子守恒、周期表中遞變規(guī)律的分析應(yīng)用.
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A. | ⑤⑥ | B. | ②③④⑤ | C. | ③⑤ | D. | ①③⑤ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | HCl電離產(chǎn)生H+和 Cl-,可判斷HCl分子中存在離子鍵 | |
B. | NaHSO4固體中含有的陰離子與陽(yáng)離子的個(gè)數(shù)比為1:1 | |
C. | 化學(xué)鍵是指使原子或離子相互結(jié)合的靜電吸引作用力 | |
D. | 不同元素組成的多原子分子中的化學(xué)鍵一定全是極性鍵 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
選項(xiàng) | 陳述Ⅰ | 陳述Ⅱ |
A | SO2能使溴水褪色 | SO2具有還原性 |
B | NH3能使酚酞溶液變紅 | NH3可用于設(shè)計(jì)噴泉 |
C | SiO2能與氫氟酸、堿反應(yīng) | SiO2是兩性氧化物 |
D | 晶體Si熔點(diǎn)高硬度大 | 晶體Si可用作半導(dǎo)體材料 |
A. | A | B. | B | C. | C | D. | D |
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