Question

【題目】現(xiàn)有A、B、C、 D、E、F 原子序數(shù)依次增大的六種元素，它們位于元素周期表的前四周期。A元素能級數(shù)與核外電子數(shù)相等；B 元素含有3個(gè)能級，且每個(gè)能級所含的電子數(shù)相同；D 的原子核外有8 個(gè)運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子，E元素與F元素處于同一周期相鄰的族，它們的原子序數(shù)相差3，且E 元素的基態(tài)原子有4 個(gè)未成對電子。請回答下列問題：

（1）請寫出D 基態(tài)的價(jià)層電子排布圖_______________。

（2）下列說法錯(cuò)誤的是______________。

A.二氧化硅的相對分子質(zhì)量比二氧化碳大，所以沸點(diǎn)： SiO2>CO2

B.電負(fù)性順序： C

C.N 2 與CO 為等電子體，結(jié)構(gòu)相以，化學(xué)性質(zhì)相似

D.穩(wěn)定性：H2O>H2S，原因是水分子間存在氫鍵

（3）某化合物與F（I）（I 表示化合價(jià)為+1）結(jié)合形成下圖所示的離子，該離子中碳原子的雜化方式是______。

（4）己知（BC）2 是直線性分子，并有對稱性，且分子中每個(gè)原子最外層都達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則（BC）2中σ鍵和π鍵的個(gè)數(shù)比為_________________。

（5） C元素最高價(jià)含氧酸與硫酸酸性強(qiáng)度相近，原因是______________。

（6） B單質(zhì)的一種的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，則一個(gè)晶胞中所含B 原子數(shù)為__________；其中原子坐標(biāo)參數(shù)a 為0，0，0）， b 為（1/2，1/2，0）,則c點(diǎn)原子的坐標(biāo)參數(shù)為______________。

（7）D與F 形成離子個(gè)數(shù)比為1：1的化合物，晶胞與NaCl類似，D 離子的配位數(shù)是______；設(shè)D離子的半徑為apm，F離子的半徑為bpm，求該晶胞的空間利用率為__________（列出計(jì)算式即可）。

Answer 1

【答案】 AD sp2、sp3 3：4 HNO3的非羥基氧個(gè)數(shù)與H2SO4的非羥基氧個(gè)數(shù)相同，所以酸性強(qiáng)度相近 8 （1，1/2，1/2） 6

【解析】本題主要考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)。根據(jù)題意判斷A、B、C、D、E、F分別是氫、碳、氮、氧、鐵、銅。

（1）D基態(tài)的價(jià)層電子排布圖：。

（2）A.二氧化硅晶體屬于原子晶體，二氧化碳晶體屬于分子晶體，所以沸點(diǎn)：SiO2>CO2，故A錯(cuò)誤；B.非金屬性：C<N<O<F，所以電負(fù)性順序：C<N<O<F，故B正確；C.N2與CO為2個(gè)原子、10個(gè)價(jià)電子的等電子體，結(jié)構(gòu)相以，化學(xué)性質(zhì)相似，故C正確；D.穩(wěn)定性：H2O>H2S，原因是非金屬性：O>S，故D錯(cuò)誤。故選AD。

（3）該離子中單鍵碳原子的雜化方式是sp3，苯環(huán)碳原子、雙鍵碳原子的雜化方式是sp2。

（4）（BC）2分子的結(jié)構(gòu)式為N≡C—C≡N，則（BC）2中σ鍵和π鍵的個(gè)數(shù)比為3:4。

（5）C元素最高價(jià)含氧酸與硫酸酸性強(qiáng)度相近，原因是HNO3的非羥基氧個(gè)數(shù)與H2SO4的非羥基氧個(gè)數(shù)相同，所以酸性強(qiáng)度相近。

（6）該晶胞內(nèi)含有4個(gè)B原子，頂點(diǎn)平均含有一個(gè)B原子，6個(gè)面心平均含有3個(gè)B原子，則一個(gè)晶胞中共含有8個(gè)B原子；其中原子坐標(biāo)參數(shù)a為0，0，0），b為（1/2，1/2，0）,則c點(diǎn)原子的坐標(biāo)參數(shù)為（1，1/2，1/2）。

（7）以D離子為中心的八面體頂點(diǎn)是F離子，D離子的配位數(shù)是6；晶胞含有4個(gè)D離子和4個(gè)F離子，晶胞的邊長為(2a+2b)pm，該晶胞的空間利用率==。