1.X、Y、Z、W、Q為前四周期的五種元素,且原子序數(shù)依次增大.已知X、Y、Z、W均為非金屬元素,XW2分子與Y3-為等電子體,元素W和元素Z為同族元素,Q的最外層電子數(shù)為2,次外層電子數(shù)等于Y和W2-最外層電子數(shù)之和,根據(jù)以上信息回答下列問題:
(1)上述五種元素中電負(fù)性最大的是O(填元素符號,下同),Y的第一電離能大于Z的第一電離能原因N原子最外層2p軌道半充滿,能量低,所以穩(wěn)定.
(2)XW2的電子式為
(3)Q的價電子排布式為3d54s2,Y3-的分子構(gòu)型為直線形.
(4)下列關(guān)于WZ2結(jié)構(gòu)的說法正確的是d(填序號).
a.WZ2為直線形非極性分子      b.WZ2為直線形極性分子
c.WZ2中W為sp3雜化           d.WZ2中W為sp2雜化
(5)W有兩種常見的含氧酸,較高價的酸性比較低價的強,理由S的正電性越高,導(dǎo)致S-O-H中O的電子向S偏移,因而在水分子的作用下,也就越容易電離出H+,即酸性越強.
(6)α-QW的晶胞是立方體,用X射線衍射法測得該晶體晶胞邊長=520.0pm,26℃測得該晶體的密度為4.1g/cm3,請列式計算一個晶胞中含有的Q、W離子數(shù).(5.23≈140.6)

分析 X、Y、Z、W、Q為前四周期的五種元素,且原子序數(shù)依次增大,X、Y、Z、W均為非金屬元素,W可以形成W2-離子,處于VIA族,Q的最外層電子數(shù)為2,次外層電子數(shù)等于Y和W2-最外層電子數(shù)之和,則Q處于第三周期,XW2分子與Y3-為等電子體,元素W和元素Z為同族元素,X為C元素、Y為N元素、Z為O元素、W為S元素,Q原子次外層電子數(shù)為5+8=13,外圍電子排布式為3d54s2,則Q為Mn元素.

解答 解:X、Y、Z、W、Q為前四周期的五種元素,且原子序數(shù)依次增大,X、Y、Z、W均為非金屬元素,W可以形成W2-離子,處于VIA族,Q的最外層電子數(shù)為2,次外層電子數(shù)等于Y和W2-最外層電子數(shù)之和,則Q處于第三周期,XW2分子與Y3-為等電子體,元素W和元素Z為同族元素,X為C元素、Y為N元素、Z為O元素、W為S元素,Q原子次外層電子數(shù)為5+8=13,外圍電子排布式為3d54s2,則Q為Mn元素.
(1)同周期自左而右電負(fù)性增大,同主族自上而下電負(fù)性減小,非金屬性越強電負(fù)性越大,故上述五種元素中氧元素的電負(fù)性最大,N原子最外層2p軌道半充滿,能量低,所以穩(wěn)定,第一電離能大于氧元素等,
故答案為:O;N原子最外層2p軌道半充滿,能量低,所以穩(wěn)定;
(2)CS2的電子式為:,故答案為:;
(3)Q的價電子排布式為3d54s2,N3-與CO2互為等電子體,二者結(jié)構(gòu)相似,N3-為直線形結(jié)構(gòu),故答案為:3d54s2;直線形;
(4)a.SO2中S原子孤電子對數(shù)=$\frac{6-2×2}{2}$=1、價層電子對數(shù)=2+1=3,為V形結(jié)構(gòu),屬于極性分子,SO2中S原子雜化軌道數(shù)目為3,采取sp2雜化,
故選:d;
(5)W有兩種常見的含氧酸,S的正電性越高,導(dǎo)致S-O-H中O的電子向S偏移,因而在水分子的作用下,也就越容易電離出H+,即酸性越強,
故答案為:強;S的正電性越高,導(dǎo)致S-O-H中O的電子向S偏移,因而在水分子的作用下,也就越容易電離出H+,即酸性越強;
(6)α-MnS的晶胞是立方體,用X射線衍射法測得該晶體晶胞邊長=520.0pm,26℃測得該晶體的密度為4.1g/cm3,晶胞質(zhì)量為4.1g/cm3×(520×10-10cm)3,設(shè)晶胞中Q、W離子數(shù)目為y,則y×$\frac{87}{6.02×1{0}^{23}}$g=4.1g/cm3×(520×10-10cm)3,解得y=4,
答:一個晶胞中含有的Q、W離子數(shù)均為4.

點評 本題是對物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的考查,推斷元素是解題關(guān)鍵,注意根據(jù)離子電荷、等電子體進(jìn)行推斷,掌握均攤法進(jìn)行晶胞有關(guān)計算.

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題

11.硅是帶來人類文明的重要元素之一,從傳統(tǒng)材料到信息材料的發(fā)展過程中創(chuàng)造了一個有一個奇跡.
(1)新型陶瓷Si3N4的熔點高、硬度大、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定.工業(yè)上可以采用化學(xué)氣相沉積法,在H2的保護(hù)下,使SiCl4與N2反應(yīng)生成Si3N4沉積在石墨表面,寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式3SiCl4+2N2+6H2$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si3N4+12HCl.
(2)一種工業(yè)用硅(含少量鉀、鈉、鐵、銅的氧化物),已知硅的熔點是1420℃,高溫下氧氣及水蒸氣能明顯腐蝕氮化硅.一種合成氮化硅的工藝主要流程如下:

①凈化N2和H2時,銅屑的作用是除去原料氣中的氧氣;硅膠的作用是除去生成的水蒸氣.
②在氮化爐中3SiO2(s)+2N2(g)=Si3N4(s)△H=-727.5kJ/mol,開始時為什么要嚴(yán)格控制氮氣的流速以控制溫度該反應(yīng)為放熱反應(yīng),防止局部過熱,導(dǎo)致硅熔化熔合成團(tuán),阻礙與N2的接觸;體系中要通入適量的氫氣是為了將體系中的氧氣轉(zhuǎn)化為水蒸氣,而易被除去(或?qū)⒄麄體系中空氣排盡).
③X可能是硝酸(選填:“鹽酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氫氟酸”).
(3)工業(yè)上可以通過如圖所示的流程制取純硅:

①整個制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧.SiHCl3遇水劇烈反應(yīng),寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl.
②假設(shè)每一輪次制備1mol純硅,且生產(chǎn)過程中硅元素沒有損失,反應(yīng)Ⅰ中HCl的利用率為90%,反應(yīng)Ⅱ中H2的利用率為93.75%.則在第二輪次的生產(chǎn)中,補充投入HCl 和H2的物質(zhì)的量之比是5:1.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題

12.某化學(xué)課外活動小組對污染大氣的部分非金屬氧化物進(jìn)行探究.根據(jù)題目要求回答下列問題.
(1)寫出用硝酸與銅制取一氧化氮的離子方程式3Cu+8H++2NO3-=3Cu2++2NO↑+4H2O.
(2)查資料得知HCOOH(液 )$→_{微熱}^{H_{2}SO_{4}}$ CO↑+H2O.實驗室有如圖1所示的裝置,制取CO氣體可選用的裝置為A(填序號),實驗室利用該裝置還可制取的常見氣體有Cl2(填寫一種氣體的分子式).
(3)查資料得知,利用催化劑可使汽車尾氣中的一氧化碳和氮氧化物大部分發(fā)生反應(yīng)轉(zhuǎn)化為二氧化碳和氮氣.該小組在實驗室模擬汽車尾氣處理,設(shè)計了如圖2所示裝置(部分夾持和裝置已略去).


①實驗前關(guān)閉旋塞K,先通氮氣排凈裝置中的空氣,其目的是防止CO與空氣混合加熱爆炸.
②裝置(Ⅲ)的主要作用是檢驗CO是否轉(zhuǎn)化為CO2

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

9.已知NaHCO3溶液呈堿性,在NaHCO3溶液中,下列說法正確的是(  )
A.HCO3-的水解程度大于電離程度B.HCO3-的水解程度小于電離程度
C.HCO3-的水解程度等于電離程度D.不能確定

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

16.設(shè)NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,下列說法正確的是( 。
A.電解精煉銅時,陽極質(zhì)量減少6.4g,電路中電子轉(zhuǎn)移的總數(shù)為0.2NA
B.6.0gSiO2晶體中含有0.2NA個Si-O鍵
C.NA個CH4在標(biāo)準(zhǔn)狀況下的體積約為22.4L
D.苯與液溴反應(yīng)生成1mol時消耗0.5NA個Br2

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

6.已知連二次硝酸(H2N2O2)是一種二元酸,25℃時,用0.01mol.L-1的鹽酸滴定10mL0.01mol.L-1Na2N2O2溶液,溶液的pH與鹽酸體積[V(HCl)]的關(guān)系如圖所示.下法說法正確的是( 。
A.M點的溶液中加人少量水,溶液的pH增大
B.N點溶液中:c(N2O22-)+c(OH-)>c(H2N2O2
C.P點溶液中,H2O不發(fā)生電離
D.溶液中$\frac{c({H}^{+})}{c(H{N}_{2}{{O}_{2}}^{-})}$:N>P>Q.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

13.下列表示反應(yīng)2H2+O2═2H2O的能量變化示意圖,合理的是( 。
A.B.
C.D.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題

3.SO2、NO是大氣污染物.吸收SO2和NO,獲得Na2S2O4和NH4NO3產(chǎn)品的流程圖如圖1(Ce為鈰元素):

(1)裝置Ⅰ中生成HSO3-的離子方程式為SO2+OH-═HSO3-;
(2)向pH=5的NaHSO3溶液中滴加一定濃度的CaCl2溶液,溶液中出現(xiàn)渾濁,pH降為2,用化學(xué)平衡移動原理解釋溶液pH降低的原因:HSO3-在溶液中存在電離平衡:HSO3-?SO32-+H+,加入CaCl2溶液后,Ca2++SO32-═CaSO3↓使電離平衡右移,c(H+)增大;
(3)裝置Ⅱ中,酸性條件下,NO被Ce4+氧化的產(chǎn)物主要是NO3-、NO2-,寫出生成NO3-的離子方程式NO+2H2O+3Ce4+=3Ce3++NO3-+4H+
(4)裝置Ⅲ的作用之一是再生Ce4+,其原理如圖2所示.  
①生成Ce4+的電極反應(yīng)式為Ce3+-e-=Ce4+
②生成Ce4+從電解槽的a (填字母序號)口流出.
(5)已知進(jìn)入裝置Ⅳ的溶液中,NO2-的濃度為a g?L-1,要使1m3該溶液中的NO2-完全轉(zhuǎn)化為NH4NO3,需至少向裝置Ⅳ中通入標(biāo)準(zhǔn)狀況下的O2243a L.(用含a代數(shù)式表示,計算結(jié)果保留整數(shù))

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

4.下列有關(guān)化學(xué)用語表示正確的是( 。
A.中子數(shù)為20的氯原子:${\;}_{17}^{20}$ClB.水分子的比例模型:
C.硅的原子結(jié)構(gòu)示意圖:D.Na2S的電子式

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