下列化學(xué)式既能表示物質(zhì)的組成，又能表示物質(zhì)的分子式的是（　�。�
A、NH4NO3
B、SiO2
C、CCl4
D、Cu
考點(diǎn)：分子晶體
專題：化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)
分析：化學(xué)式既能表示物質(zhì)的組成，又能表示物質(zhì)的一個(gè)分子的應(yīng)是分子晶體物質(zhì)，晶體中含有單個(gè)分子，而離子晶體、原子晶體和金屬晶體無(wú)單個(gè)分子．
解答： 解：A．NH4NO3為離子晶體，化學(xué)式為晶體中陰陽(yáng)離子的個(gè)數(shù)比，晶體中不含單個(gè)分子，故A錯(cuò)誤；
B．SiO2為原子晶體，晶體中不存在單個(gè)分子，化學(xué)式為Si原子與O原子的個(gè)數(shù)比值為1：2，故B錯(cuò)誤；
C．CCl4為分子晶體，晶體中含有單個(gè)分子，故C正確；
D．Cu為金屬晶體，晶體的組成為金屬陽(yáng)離子和自由電子，晶體中無(wú)單個(gè)分子，故D錯(cuò)誤，
故選C．
點(diǎn)評(píng)：本題考查晶體類型的判斷，題目難度不大．注意只有分子晶體才含有單個(gè)分子，化學(xué)式即分子式．
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

下列說(shuō)法正確的是（　�。�
A、測(cè)定溶液的pH時(shí)，應(yīng)先將pH試紙潤(rùn)濕，然后進(jìn)行檢測(cè)
B、為繪制中和滴定曲線，在滴定過(guò)程中，每隔相同時(shí)間用pH計(jì)測(cè)定一次混合溶液的pH
C、常溫下若強(qiáng)酸、強(qiáng)堿等體積中和后pH=7，則中和之前pH酸+pH堿=14
D、在pH=12的某溶液中，水電離出的c（OH-）=10-2mol/L

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

下列過(guò)程中沒(méi)有破壞化學(xué)鍵的是（　�。�
A、氯化氫溶于水B、氯化銨分解
C、食鹽熔化D、干冰升華

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

國(guó)際熱核聚變實(shí)驗(yàn)反應(yīng)堆的原理類似太陽(yáng)發(fā)光發(fā)熱，即在上億攝氏度的超高溫條件下，利用氫的同位素氘、氚的聚變反應(yīng)釋放出核能． 下列說(shuō)法正確的是（　�。�
A、H、D、T互為同素異形體
B、氘、氚聚變反應(yīng)生成其它元素，屬于化學(xué)變化
C、H、D、T與16O、17O、18O構(gòu)成雙氧水分子的相對(duì)分子質(zhì)量有36個(gè)
D、H2、D2、T2在同條件下密度之比為1：2：3

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

下列敘述Ⅰ和Ⅱ均正確并且有因果關(guān)系的是（　�。�
選項(xiàng) 敘述I 敘述Ⅱ
A 干燥的Cl2通入品紅溶液中，品紅褪色 干燥的Cl2具有漂白性
B NH4Cl受熱易分解 用加熱法除去 NaCl中的NH4Cl
C Na2O2使酚酞溶液變紅 Na2O2使品紅溶液褪色
D CaCO3難溶于水 CO2通入CaCl2溶液中產(chǎn)生白色沉淀
A、AB、BC、CD、D

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

在Na2S溶液中下列關(guān)系不正確的是（　�。�
A、c（Na+）=2c（HS-）+c（S2-）+c（H2S）
B、c（Na+）+c（H+）=c（OH-）+c（HS-）+2c（S2-）
C、c（Na+）＞c（S2-）＞c（OH-）＞c（HS-）
D、c（OH-）=c（HS-）+c（H+）+2c（H2S）

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

如圖，在盛有稀H2SO4的燒杯中放入用導(dǎo)線連接的電極X、Y，外電路中電子流向如圖所示．下列關(guān)于該裝置的判斷正確的是（　�。�
A、外電路的電流方向?yàn)椋篨→導(dǎo)線→Y
B、若兩電極都是金屬，則它們的活動(dòng)性順序?yàn)閄＜Y
C、X極上發(fā)生的是還原反應(yīng)，Y極上發(fā)生的是氧化反應(yīng)
D、溶液中的SO42-向X極移動(dòng)

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

下列物質(zhì)中，有固定熔點(diǎn)和沸點(diǎn)的是（　�。�
A、玻璃B、陶瓷C、干冰D、氯水

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

砷化鎵（gallium arsenide）的化學(xué)式為GaAs，是黑灰色固體，熔點(diǎn)為1238℃．它是一種重要的半導(dǎo)體材料，用來(lái)制作微波集成電路[例如單晶微波集成電路（MMIC）]、紅外線發(fā)光二極管、半導(dǎo)體激光器和太陽(yáng)能電池等元件．
（1）AsH3是一種無(wú)色可溶于水的氣體，其分子空間構(gòu)型為
 
．
（2）鎵（Ga）在元素周期表中的位置為，其價(jià)電子排布式為
 
．
（3）以AsH3為原料，在700～900℃下通過(guò)化學(xué)氣相沉積來(lái)制造半導(dǎo)體材料砷化鎵（GaAs）的化學(xué)方程式為Ga（CH3）3+AsH3=GaAs+3X．X的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式為
 
．
（4）砷酸為砷（As）的含氧酸，其分子式為H3AsO4，結(jié)構(gòu)類似于磷酸．AsO43-中，As的雜化類型為
 
．
（5）砷化鎵晶胞如圖所示，若鎵原子位于立方體內(nèi)，則砷原子位于立方體的，砷的配位數(shù)為，設(shè)該晶胞的邊長(zhǎng)為a nm，NA為阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值，則砷化鎵晶體的密度為
 
g?cm-3．

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