二氧化硅的熔沸點(diǎn)較高的原因是 [ ]

　　A．二氧化硅中，硅氧原子個數(shù)之比為1∶2

　　B．二氧化硅晶體是立體網(wǎng)狀的原子晶體

　　C．二氧化硅中，SI-O鍵的鍵能大

　　D．二氧化硅晶體中原子以共價鍵相結(jié)合

BC


解析:

此題難度不大，但涉及二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)的重點(diǎn)知識。二氧化硅熔沸點(diǎn)較高的原因，是由于其晶體里Si-O鍵的鍵能很高，并形成了一種立體網(wǎng)狀的原子晶體，熔融它需消耗較多的能量。所以，本題應(yīng)選B、C兩個選項。

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二氧化硅的熔沸點(diǎn)較高的原因是

[　　]

A．二氧化硅中，硅、氧原子個數(shù)之比為1∶2

B．二氧化硅晶體是立體網(wǎng)狀的原子晶體

C．二氧化硅晶體中，硅氧鍵的鍵能大

D．二氧化硅晶體中，原子以共價鍵相結(jié)合

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二氧化硅的熔沸點(diǎn)較高的原因是 （    ）

A．二氧化硅中，硅氧原子個數(shù)之比為1∶2

B．二氧化硅晶體是立體網(wǎng)狀的原子晶體

C．二氧化硅中，SI-O鍵的鍵能大

D．二氧化硅晶體中原子以共價鍵相結(jié)合

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：多選題

二氧化硅的熔沸點(diǎn)較高的原因是


  1. A.
    二氧化硅中，硅氧原子個數(shù)之比為1∶2
  2. B.
    二氧化硅晶體是立體網(wǎng)狀的原子晶體
  3. C.
    二氧化硅中，SI-O鍵的鍵能大
  4. D.
    二氧化硅晶體中原子以共價鍵相結(jié)合

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