二氧化硅的熔沸點(diǎn)較高的原因是 (    )

A.二氧化硅中,硅氧原子個(gè)數(shù)之比為1∶2

B.二氧化硅晶體是立體網(wǎng)狀的原子晶體

C.二氧化硅中,SI-O鍵的鍵能大

D.二氧化硅晶體中原子以共價(jià)鍵相結(jié)合

BC


解析:

此題難度不大,但涉及二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)的重點(diǎn)知識(shí)。二氧化硅熔沸點(diǎn)較高的原因,是由于其晶體里SI-O鍵的鍵能很高,并形成了一種立體網(wǎng)狀的原子晶體,熔融它需消耗較多的能量。所以,本題應(yīng)選B、C兩個(gè)選項(xiàng)。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

元素及其化合物的知識(shí)是“化學(xué)1”的重點(diǎn)內(nèi)容.下列敘述中不正確的是( 。

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科目:高中化學(xué) 來源:活題巧解巧練·高一化學(xué)(下) 題型:021

二氧化硅的熔沸點(diǎn)較高的原因是

[  ]

A.二氧化硅中,硅、氧原子個(gè)數(shù)之比為1∶2

B.二氧化硅晶體是立體網(wǎng)狀的原子晶體

C.二氧化硅晶體中,硅氧鍵的鍵能大

D.二氧化硅晶體中,原子以共價(jià)鍵相結(jié)合

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

二氧化硅的熔沸點(diǎn)較高的原因是 [ ]

  A.二氧化硅中,硅氧原子個(gè)數(shù)之比為1∶2

  B.二氧化硅晶體是立體網(wǎng)狀的原子晶體

  C.二氧化硅中,SI-O鍵的鍵能大

  D.二氧化硅晶體中原子以共價(jià)鍵相結(jié)合

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:多選題

二氧化硅的熔沸點(diǎn)較高的原因是


  1. A.
    二氧化硅中,硅氧原子個(gè)數(shù)之比為1∶2
  2. B.
    二氧化硅晶體是立體網(wǎng)狀的原子晶體
  3. C.
    二氧化硅中,SI-O鍵的鍵能大
  4. D.
    二氧化硅晶體中原子以共價(jià)鍵相結(jié)合

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