太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第一代為單晶硅太陽能電池,第二代為多晶硅、非晶硅等太陽能電池,第三代就是銅銦鎵硒CIGS(CIS中摻入Ga)等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。
(1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時(shí)的價(jià)電子排布式表示為 。
(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?u> (用元素符號表示)。
(3)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性,其化合物往往具有加合性,因而硼酸(H3BO3)在水溶液中能與水反應(yīng)生成[B(OH)4]-而體現(xiàn)一元弱酸的性質(zhì)。
①[B(OH)4]-中B的原子雜化類型為 ;
②不考慮空間構(gòu)型,[B(OH)4]-的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為 。
(4)單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似,若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵,則得右圖所示的金剛砂(SiC)結(jié)構(gòu);若在晶體硅所有Si—Si鍵中插入O原子即得SiO2晶體。
①在SiC中,每個(gè)C原子周圍最近的C原子數(shù)目為 ;
②判斷a. SiO2,b.干冰,c.冰3種晶體的熔點(diǎn)從小到大的順序是 (填序號)。
(12分)
(1)3d10 (2分) (2)Br>As>Se (2分) (3)①SP3(2分)
(4)①12(2分)②b<c<a(2分)
【解析】
試題分析:
(1)亞銅離子是由銅原子失去了一個(gè)電子得到的,所以有28個(gè)電子,所以為3d10;
(2)由于AS的外圍電子排布式為4S24P3每個(gè)軌道電子處于半充滿狀態(tài),能量比較低,比較穩(wěn)定,失去電子較困難。
(3)①根據(jù)價(jià)層電子互斥理論,[B(OH)4]-中B中價(jià)電子數(shù)為(3+4+1)/2=4,所以應(yīng)該是SP3雜化;
②
(4)①在SiC中,每個(gè)SI和周圍的四個(gè)原子以共價(jià)鍵結(jié)合,其結(jié)構(gòu)和金剛石相同。觀察其結(jié)構(gòu)圖可知應(yīng)該為12;②b.干冰c.冰是分子晶體,但冰中存在氫鍵,所以晶體的熔點(diǎn)從小到大的順序是b<c<a。
考點(diǎn):本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)中的分子的結(jié)構(gòu),電離能的判斷,核外電子排布式的書寫,分子的雜化方式判斷,化學(xué)鍵類型的判斷和晶體性質(zhì)的判斷等知識點(diǎn)。
年級 | 高中課程 | 年級 | 初中課程 |
高一 | 高一免費(fèi)課程推薦! | 初一 | 初一免費(fèi)課程推薦! |
高二 | 高二免費(fèi)課程推薦! | 初二 | 初二免費(fèi)課程推薦! |
高三 | 高三免費(fèi)課程推薦! | 初三 | 初三免費(fèi)課程推薦! |
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解
查看答案和解析>>
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
查看答案和解析>>
科目:高中化學(xué) 來源:2014屆東北三省四市教研協(xié)作體高三聯(lián)合考試?yán)砭C化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第一代為單晶硅太陽能電池,第二代為多晶硅、非晶硅等太陽能電池,第三代就是銅銦鎵硒CIGs(CIS中摻入Ga)等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。
(1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時(shí)的價(jià)電子排布式表示為 。
(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?u> (用元素符號表示)。
(3)Cu晶體的堆積方式是 (填堆積名稱),其配位數(shù)為 ;往Cu的硫酸鹽溶液中加入過量氨水,可生成[Cu(NH3)4]SO4,下列說法正確的是_____
A.[Cu (NH3)4]SO4中所含的化學(xué)鍵有離子鍵、極性鍵和配位鍵
B.在[Cu(NH3)4 ]2+中Cu2+給出孤對電子,NH3提供空軌道
C.[Cu (NH3)4]SO4組成元素中第一電離能最大的是氧元素
D.SO42-與PO43-互為等電子體,空間構(gòu)型均為正四面體
(4)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性,其化合物往往具有加合性,因而硼酸(H3BO3)溶于水顯弱酸性,但它卻只是一元酸,可以用硼酸在水溶液中的電離平衡解釋它只是一元弱酸的原因。
①H3BO3中B的原子雜化類型為 ;
②寫出硼酸在水溶液中的電離方程式 。
(5)硅與碳是同一主族元素,其中石墨為混合型晶體,已知石墨的層 間距為335pm,C-C鍵長為142pm,計(jì)算石墨晶體密度(要求寫出計(jì)算過程,得出結(jié)果保留三位有效數(shù)字,NA為6.02×1023mol-1)
查看答案和解析>>
科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年山東省青島市高三第一次模擬考試?yán)砭C化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第三代就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。完成下列填空:
(1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時(shí)的電子排布式為 ;
(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)? (用元素符號表示),用原子結(jié)構(gòu)觀點(diǎn)加以解釋 ;
(3)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性(價(jià)電子數(shù)少于價(jià)層軌道數(shù)),其化合物可與具有孤對電子的分子或離子生成加合物,如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3·NH3。 BF3·NH3中B原子的雜化軌道類型為 ,B與N之間形成 鍵;
(4)單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似,若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵,則得如圖所示的金剛砂(SiC)結(jié)構(gòu);在SiC中,每個(gè)C原子周圍最近的C原子數(shù)目為 。
查看答案和解析>>
科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年江西省南昌市高三第三次模擬考試?yán)砭C化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第一代為單晶硅太陽能電池,第二代為多晶硅、非晶硅等太陽能電池,第三代就是銅銦鎵硒CIGS(CIS中摻人Ga)等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。
(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是___ 。
(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?u> (用元素符號表示)。
(3)H2Se的酸性比H2S____(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為____ 。
(4)硅烷(SinH2n+2)的沸點(diǎn)與其相對分子質(zhì)量的變化關(guān)系如圖所示,呈現(xiàn)這種變化關(guān)系的原因是 。
(5)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性,其化合物往往具有加合性,因而硼酸(H3BO3)在水溶液中能與水反應(yīng)生成[B(OH)4]—而體現(xiàn)一元弱酸的性質(zhì),則[B(OH)4]—中B的原子雜化類型為 。
(6)金屬Cu單獨(dú)與氨水或單獨(dú)與過氧化氫都不能反應(yīng),但可與氨水和過氧化氫的混合溶液反應(yīng),其原因是____,反應(yīng)的離子方程式為 。
(7)一種銅金合金晶體具有面心立方最密堆積的結(jié)構(gòu)。在晶脆中,Au原子位于頂點(diǎn),Cu原子位于面心,則該合金中Au原子與Cu原子個(gè)數(shù)之比為 ,若該晶胞的邊長為a pm,則合金的密度為 g·cm-3(已知lpm=10-12m,只要求列算式,不必計(jì)算出數(shù)值,阿伏加塞羅常數(shù)為NA)。
查看答案和解析>>
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報(bào)平臺 | 網(wǎng)上有害信息舉報(bào)專區(qū) | 電信詐騙舉報(bào)專區(qū) | 涉歷史虛無主義有害信息舉報(bào)專區(qū) | 涉企侵權(quán)舉報(bào)專區(qū)
違法和不良信息舉報(bào)電話:027-86699610 舉報(bào)郵箱:58377363@163.com