分析 (1)鐵是26號元素,核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2,失去4s能級2個電子形成Fe2+;
(2)二聚三氯化鐵(Fe2Cl6)分子的氣體,該分子中所有原子均滿足最外層8電子的穩(wěn)定結(jié)構(gòu),F(xiàn)e與氯原子之間形成4個共價鍵,有2個Cl原子形成分別與2個Fe原子之間形成2個共價鍵,存在配位鍵;鐵原子和四個氯原子形成四面體結(jié)構(gòu);
(3)K4[Fe(CN)6]中陰陽離子之間存在離子鍵,F(xiàn)e3+和CN-之間存在配位鍵,CN-內(nèi)原子之間形成共價鍵;
(4)原子數(shù)目相等、價電子總數(shù)相等的微;殡娮,CN-與CO、N2等互為等電子體;等電子體結(jié)構(gòu)相似,可知HCN的結(jié)構(gòu)式為H-C≡N,C原子雜化軌道數(shù)目為2,單鍵為σ鍵,三鍵含有1個σ鍵、2個π鍵;
(5)利用均攤法計算立方體結(jié)構(gòu)中Fe3+、Fe2+、CN-數(shù)目,結(jié)合電荷守恒計算K+數(shù)目,進而確定其化學式;
晶胞為其最小重復單位,一般情況下,晶胞都是平行六面體.整塊晶體可以看成是無數(shù)晶胞無隙并置而成的,要求晶胞的立方體八個頂點微粒相同.
解答 解:(1)鐵是26號元素,核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2,失去4s能級2個電子形成Fe2+,F(xiàn)e2+離子的核外電子排布式為:1s22s22p63s23p63d6,
故答案為:1s22s22p63s23p63d6;
(2)二聚三氯化鐵(Fe2Cl6)分子的氣體,該分子中所有原子均滿足最外層8電子的穩(wěn)定結(jié)構(gòu),F(xiàn)e與氯原子之間形成4個共價鍵,有2個Cl原子形成分別與2個Fe原子之間形成2個共價鍵,存在配位鍵,所以其結(jié)構(gòu)式為;
該分子中每個鐵原子生成四個共價鍵,則鐵原子和四個氯原子形成四面體結(jié)構(gòu),則該分子不是平面形結(jié)構(gòu),
故答案為;否;
(3)K4[Fe(CN)6]中陰陽離子之間存在離子鍵,F(xiàn)e3+和CN-之間存在配位鍵,CN-內(nèi)原子之間形成共價鍵,
故答案為:ABD;
(4)原子數(shù)目相等、價電子總數(shù)相等的微粒互為電子,CN-與CO、N2等互為等電子體;等電子體結(jié)構(gòu)相似,可知HCN的結(jié)構(gòu)式為H-C≡N,C原子雜化軌道數(shù)目為2,所以碳原子為sp雜化,單鍵為σ鍵,三鍵含有1個σ鍵、2個π鍵,分子中含有22個σ鍵、2個π鍵,
故答案為:CO;sp;2,2;
(5)立方體結(jié)構(gòu)中Fe3+離子的個數(shù)為:4×$\frac{1}{8}$=$\frac{1}{2}$,F(xiàn)e2+離子的個數(shù)為:4×$\frac{1}{8}$=$\frac{1}{2}$,CN-離子的個數(shù)為:12×$\frac{1}{4}$=3,
根據(jù)電荷守恒:N(K+)+N(Fe3+)×3+N(Fe2+)×2=N(CN-),得N(K+)=$\frac{1}{2}$,
普魯士藍中 n(K+):n(Fe3+):n(Fe2+):n(CN-)=1:1:1:6,則其化學式為KFe2(CN)6;
晶胞為其最小重復單位,一般情況下,晶胞都是平行六面體.整塊晶體可以看成是無數(shù)晶胞無隙并置而成的,要求晶胞的立方體八個頂點微粒相同,圖象中丁符合,
故答案為:KFe2(CN)6;。
點評 本題考查了物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì),涉及晶胞的計算、等電子體、原子的雜化方式、配合物等知識點,掌握均攤法進行晶胞計算,識記中學常見晶胞結(jié)構(gòu),難度中等.
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A. | 單質(zhì)鐵與水蒸氣的反應 | B. | 鋁片與氫氧化鈉溶液的反應 | ||
C. | 過氧化鈉與二氧化碳的反應 | D. | 碳酸鈉溶液與稀鹽酸的反應 |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 4 g重水中所含質(zhì)子數(shù)為2NA | |
B. | 在H2O2+Cl2═2HCl+O2反應中,每生成32g氧氣,則轉(zhuǎn)移2NA個電子 | |
C. | 銅與足量濃硫酸共熱放出4.48 LSO2時,消耗的銅原子數(shù)為0.2NA | |
D. | 8.0 gCu2S和CuO的混合物中含有銅原子數(shù)為0.1NA |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 制備的晶體硅可用于制作計算機芯片 | |
B. | 該法制備高純硅,可以綜合利用氯氣和氫氣,使原料循環(huán)利用,生產(chǎn)成本低,效率高 | |
C. | 該過程是把硅轉(zhuǎn)化為SiHCl3與雜質(zhì)分離,而后用氫氣還原得到高純硅 | |
D. | 整個制備過程中若混有氧氣可以不除去 |
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