A. | CF4>CCl4>CBr4>CI4 | B. | Na>Mg>Al | ||
C. | SiO2>H2O>CO2 | D. | 晶體硅>SiC>金剛石 |
分析 A、分子晶體中相對分子質(zhì)量越大,熔點越大;
B、金屬晶體中原子半徑越小,電荷越大,熔點越大;
C、不同類型的晶體,熔點高低原子晶體>離子晶體>分子晶體,而都是分子晶體含有氫鍵的物質(zhì)熔點異常的高;
D、原子晶體中半徑越小,共價鍵越強,熔點越大.
解答 解:A、相對分子質(zhì)量CF4<CCl4<CBr4<CI4,所以熔點:CF4<CCl4<CBr4<CI4,故A錯誤;
B、Al、Mg、Na都是金屬晶體,Al、Mg、Na電荷數(shù)順序:Al>Mg>Na;原子半徑順序:Al<Mg<Na,金屬晶體中原子半徑越小,電荷越大,熔點越大,所以熔點順序:Al>Mg>Na,故B錯誤;
C、不同類型的晶體,熔點高低原子晶體>離子晶體>分子晶體,水分子中存在氫鍵,所以熔點:SiO2>H2O>CO2,故C正確;
D、晶體硅、金剛石、碳化硅都是原子晶體,因鍵長C-C<C-Si<Si-Si原子晶體中半徑越小,共價鍵越強,熔點越大,則熔點為金剛石>碳化硅>晶體硅,故D錯誤;
故選C.
點評 本題考查晶體熔點的比較,明確不同類型晶體熔點的比較方法是解答本題的關(guān)鍵,題目難度不大.
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
t/min | 0 | 2 | 4 | 6 | 8 | 10 |
V(O2)/mL | 0.0 | 9.9 | 17.2 | 22.4 | 26.5 | 29.1 |
A. | 0~6 min的平均反應(yīng)速率:v(H2O2)≈0.33 mol/(L•min) | |
B. | 6~10 min的平均反應(yīng)速率:v(H2O2)>3.3×10-2 mol/(L•min) | |
C. | 反應(yīng)到6 min時,H2O2分解了60% | |
D. | 反應(yīng)到10 min時,c(H2O2)≈0.24 mol/L |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | ClO -水解平衡常數(shù)表達(dá)式為Kh=$\frac{c(HClO)•c(O{H}^{-})}{c(Cl{O}^{-})}$ | |
B. | NH3•H2O的電離平衡常數(shù)表達(dá)式為Kb=$\frac{c(N{H}_{4}^{+})•c(O{H}^{-})}{c(N{H}_{3}•{H}_{2}O)}$ | |
C. | PbI2溶度積常數(shù)表達(dá)式為Ksp=c(Pb2+)•c2(I-) | |
D. | SO2(g)+$\frac{1}{2}$O2(g)?SO3(g)的化學(xué)平衡常數(shù)表達(dá)式為K=$\frac{{c}^{2}(S{O}_{3})}{{c}^{2}(S{O}_{2})•c({O}_{2})}$ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 該反應(yīng)為吸熱反應(yīng) | |
B. | CO2分子是由極性鍵形成的極性分子 | |
C. | HCHO分子中既含σ鍵又含π鍵 | |
D. | 每生成1.8gH2O消耗2.24L O2 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 金屬是熱的良導(dǎo)體 | B. | 金屬是電的良導(dǎo)體 | ||
C. | 金屬有良好的延展性 | D. | 有金屬光澤,不透明 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 7種 | B. | 8種 | C. | 9種 | D. | 10種 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | ①② | B. | ①②④ | C. | ①③④ | D. | ①②③④ |
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