物質(zhì) | NaF | NaCl | NaBr | NaI | NaCl | KCl | RbCl | CsCl |
熔點(diǎn)/℃ | 995 | 801 | 755 | 651 | 801 | 776 | 715 | 646 |
(1)鈉的鹵化物熔點(diǎn)比相應(yīng)硅的鹵化物熔點(diǎn)高得多,這與_________________有關(guān)。因?yàn)開(kāi)_________________________________________,故前者熔點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于后者。
(2)硅的鹵化物及硅、鍺、錫、鉛的氯化物熔點(diǎn)與__________有關(guān)。隨_______增大,______增大,故熔點(diǎn)依次升高。
(3)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物熔點(diǎn)與_________有關(guān)。隨著________增大,_________減小,故熔點(diǎn)降低。
(1)晶體類(lèi)型 離子鍵鍵能比分子間作用力大得多
(2)相對(duì)分子質(zhì)量 相對(duì)分子質(zhì)量 分子間作用力
(3)離子半徑 離子半徑 離子鍵鍵能
解析:晶體熔點(diǎn)高低首先與晶體類(lèi)型有關(guān)。一般地,原子晶體熔點(diǎn)高于離子晶體熔點(diǎn),離子晶體熔點(diǎn)高于分子晶體熔點(diǎn)。其次,同類(lèi)型的晶體熔點(diǎn)與決定作用力的粒子的結(jié)構(gòu)有關(guān)。同類(lèi)型原子晶體熔點(diǎn)與組成晶體的原子半徑有關(guān),同類(lèi)型離子晶體熔點(diǎn)與組成晶體的離子半徑和離子電荷數(shù)等因素有關(guān),同類(lèi)型分子晶體的熔點(diǎn)與相對(duì)分子質(zhì)量的大小等因素有關(guān)。
(1)小題中鈉的鹵化物是離子晶體,硅的鹵化物形成分子晶體,所以前者熔點(diǎn)比后者高很多。這與晶體類(lèi)型有關(guān),因離子鍵鍵能比分子間作用力大得多。
(2)小題中硅的鹵化物及硅、鍺、錫、鉛的氯化物形成分子晶體,且組成和結(jié)構(gòu)相似,因此,隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增大,分子間作用力增強(qiáng),熔點(diǎn)升高。
(3)小題中鈉的氯化物及堿金屬的氯化物屬離子晶體,熔點(diǎn)高低與離子半徑有關(guān),隨著離子半徑的增大,離子鍵減弱,熔點(diǎn)降低。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
物質(zhì) | 熔點(diǎn)/℃ | 物質(zhì) | 熔點(diǎn)/℃ |
NaF | 993 | SiF4 | -90.2 |
NaCl | 801 | SiCl4 | -70.4 |
NaBr | 747 | SiBr4 | 5.2 |
NaI | 662 | SiI4 | 120.5 |
NaCl | 801 | SiCl4 | -70.4 |
KCl | 768 | GeCl4 | -49.5 |
RbCl | 717 | SnCl4 | -36.2 |
CsCl | 646 | PbCl4 | -15 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
物 質(zhì) | NaF | NaCl | NaBr | NaI | NaCl | KCl | RbCl | CsCl |
熔點(diǎn)/℃ | 995 | 801 | 755 | 651 | 801 | 776 | 715 | 646 |
物 質(zhì) | SiF4 | SiCl4 | SiBr4 | SiI4 | SiCl4 | GeCl4 | SnCl4 | PbCl4 |
熔點(diǎn)/℃ | -90.4 | -70.4 | 5.2 | 120 | -70.4 | -49.5 | -36.2 | -15 |
(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子及堿金屬離子的________________有關(guān),隨著________________的增大,熔點(diǎn)依次降低。
(2)硅的鹵化物熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與________________________有關(guān),隨著________________增大,________________增大,故熔沸點(diǎn)依次升高。
(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與________________有關(guān),因?yàn)橐话鉥_______________比________________熔點(diǎn)高。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
參考下表熔點(diǎn),回答下列問(wèn)題:
物質(zhì) | NaF | NaCl | NaBr | NaI | NaCl | KCl | RbCl | CsCl |
熔點(diǎn)/℃ | 995 | 801 | 755 | 651 | 801 | 776 | 715 | 646 |
(1)鈉的鹵化物熔點(diǎn)比相應(yīng)硅的鹵化物熔點(diǎn)高得多,這與_________________有關(guān)。因?yàn)開(kāi)_________________________________________,故前者熔點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于后者。
(2)硅的鹵化物及硅、鍺、錫、鉛的氯化物熔點(diǎn)與__________有關(guān)。隨_______增大,______增大,故熔點(diǎn)依次升高。
(3)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物熔點(diǎn)與_________有關(guān)。隨著________增大,_________減小,故熔點(diǎn)降低。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)有問(wèn)題。
物 質(zhì) | NaF | NaCl | NaBr | NaI | NaCl | KCl | RbCl | CsCl |
熔點(diǎn)/℃ | 995 | 801 | 755 | 651 | 801 | 776 | 715 | 646 |
物 質(zhì) | SiF4 | SiCl4 | SiBr4 | SiI4 | SiCl4 | GeCl4 | SnCl4 | PbCl4 |
熔點(diǎn)/℃ | -90.4 | -70.4 | 5.2 | 120 | -70.4 | -49.5 | -36.2 | -15 |
(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子及堿金屬離子的________________有關(guān),隨著________________的增大,熔點(diǎn)依次降低。
(2)硅的鹵化物熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與________________________有關(guān),隨著________________增大,________________增大,故熔沸點(diǎn)依次升高。
(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與________________有關(guān),因?yàn)橐话鉥_______________比________________熔點(diǎn)高。
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