參考下表熔點(diǎn),回答下列問(wèn)題:

物質(zhì)

NaF

NaCl

NaBr

NaI

NaCl

KCl

RbCl

CsCl

熔點(diǎn)/℃

995

801

755

651

801

776

715

646

(1)鈉的鹵化物熔點(diǎn)比相應(yīng)硅的鹵化物熔點(diǎn)高得多,這與_________________有關(guān)。因?yàn)開(kāi)_________________________________________,故前者熔點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于后者。

(2)硅的鹵化物及硅、鍺、錫、鉛的氯化物熔點(diǎn)與__________有關(guān)。隨_______增大,______增大,故熔點(diǎn)依次升高。

(3)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物熔點(diǎn)與_________有關(guān)。隨著________增大,_________減小,故熔點(diǎn)降低。

(1)晶體類(lèi)型  離子鍵鍵能比分子間作用力大得多

(2)相對(duì)分子質(zhì)量  相對(duì)分子質(zhì)量  分子間作用力

(3)離子半徑  離子半徑  離子鍵鍵能

解析:晶體熔點(diǎn)高低首先與晶體類(lèi)型有關(guān)。一般地,原子晶體熔點(diǎn)高于離子晶體熔點(diǎn),離子晶體熔點(diǎn)高于分子晶體熔點(diǎn)。其次,同類(lèi)型的晶體熔點(diǎn)與決定作用力的粒子的結(jié)構(gòu)有關(guān)。同類(lèi)型原子晶體熔點(diǎn)與組成晶體的原子半徑有關(guān),同類(lèi)型離子晶體熔點(diǎn)與組成晶體的離子半徑和離子電荷數(shù)等因素有關(guān),同類(lèi)型分子晶體的熔點(diǎn)與相對(duì)分子質(zhì)量的大小等因素有關(guān)。

(1)小題中鈉的鹵化物是離子晶體,硅的鹵化物形成分子晶體,所以前者熔點(diǎn)比后者高很多。這與晶體類(lèi)型有關(guān),因離子鍵鍵能比分子間作用力大得多。

(2)小題中硅的鹵化物及硅、鍺、錫、鉛的氯化物形成分子晶體,且組成和結(jié)構(gòu)相似,因此,隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增大,分子間作用力增強(qiáng),熔點(diǎn)升高。

(3)小題中鈉的氯化物及堿金屬的氯化物屬離子晶體,熔點(diǎn)高低與離子半徑有關(guān),隨著離子半徑的增大,離子鍵減弱,熔點(diǎn)降低。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)問(wèn)題:
物質(zhì) 熔點(diǎn)/℃ 物質(zhì) 熔點(diǎn)/℃
NaF 993 SiF4 -90.2
NaCl 801 SiCl4 -70.4
NaBr 747 SiBr4 5.2
NaI 662 SiI4 120.5
NaCl 801 SiCl4 -70.4
KCl 768 GeCl4 -49.5
RbCl 717 SnCl4 -36.2
CsCl 646 PbCl4 -15
(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子及堿金屬離子的
 
有關(guān),隨著
 
的增大,熔點(diǎn)逐漸降低.
(2)硅的鹵化物的熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與
 
有關(guān),隨著
 
增大,
 
增強(qiáng),故熔點(diǎn)逐漸升高.
(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與
 
有關(guān),因?yàn)?!--BA-->
 
,故前者的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于后者.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)有問(wèn)題。

物  質(zhì)

NaF

NaCl

NaBr

NaI

NaCl

KCl

RbCl

CsCl

熔點(diǎn)/℃

995

801

755

651

801

776

715

646

物  質(zhì)

SiF4

SiCl4

SiBr4

SiI4

SiCl4

GeCl4

SnCl4

PbCl4

熔點(diǎn)/℃

-90.4

-70.4

5.2

120

-70.4

-49.5

-36.2

-15

(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子及堿金屬離子的________________有關(guān),隨著________________的增大,熔點(diǎn)依次降低。

(2)硅的鹵化物熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與________________________有關(guān),隨著________________增大,________________增大,故熔沸點(diǎn)依次升高。

(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與________________有關(guān),因?yàn)橐话鉥_______________比________________熔點(diǎn)高。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

參考下表熔點(diǎn),回答下列問(wèn)題:

物質(zhì)

NaF

NaCl

NaBr

NaI

NaCl

KCl

RbCl

CsCl

熔點(diǎn)/℃

995

801

755

651

801

776

715

646

(1)鈉的鹵化物熔點(diǎn)比相應(yīng)硅的鹵化物熔點(diǎn)高得多,這與_________________有關(guān)。因?yàn)開(kāi)_________________________________________,故前者熔點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于后者。

(2)硅的鹵化物及硅、鍺、錫、鉛的氯化物熔點(diǎn)與__________有關(guān)。隨_______增大,______增大,故熔點(diǎn)依次升高。

(3)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物熔點(diǎn)與_________有關(guān)。隨著________增大,_________減小,故熔點(diǎn)降低。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)有問(wèn)題。

物  質(zhì)

NaF

NaCl

NaBr

NaI

NaCl

KCl

RbCl

CsCl

熔點(diǎn)/℃

995

801

755

651

801

776

715

646

物  質(zhì)

SiF4

SiCl4

SiBr4

SiI4

SiCl4

GeCl4

SnCl4

PbCl4

熔點(diǎn)/℃

-90.4

-70.4

5.2

120

-70.4

-49.5

-36.2

-15

(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子及堿金屬離子的________________有關(guān),隨著________________的增大,熔點(diǎn)依次降低。

(2)硅的鹵化物熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與________________________有關(guān),隨著________________增大,________________增大,故熔沸點(diǎn)依次升高。

(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與________________有關(guān),因?yàn)橐话鉥_______________比________________熔點(diǎn)高。

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