Question

【題目】（1）通常人們把拆開(kāi)1mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H）。

化學(xué)鍵	Si—O	Si—Cl	H—H	H—Cl	Si—Si	Si—C
鍵能/kJ·mol—1	460	360	436	431	176	347

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

①比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低（填“＞”或“＜”＝）

SiC_____________Si；SiCl4_____________SiO2

②工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制�。�SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H=_____________kJ/mol.

（2）已知化合物Na2O的晶胞如圖。

①其中O2-離子的配位數(shù)為________，

②該化合物與MgO相比，熔點(diǎn)較高的是________。(填化學(xué)式)

③已知該化合物的晶胞邊長(zhǎng)為apm，則該化合物的密度為___g·cm－3(只要求列出算式，不必計(jì)算出數(shù)值，阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值為NA)。

Answer 1

【答案】＞ ＜ +236kJ/mol 8 MgO 4×62/a3×10-30NA

【解析】

(1)①SiC和Si均為原子晶體，所以比較這兩種物質(zhì)的熔點(diǎn)大小，可以通過(guò)鍵能大小判斷，由于Si-C鍵能更大，所以SiC熔點(diǎn)更高；四氯化碳是分子晶體而SiO2是原子晶體，一般原子晶體的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于分子晶體的熔點(diǎn)，所以SiO2熔點(diǎn)更高；

②由鍵能計(jì)算反應(yīng)焓變，公式為：ΔH=反應(yīng)物總鍵能-生成物總鍵能；其次要注意，1mol硅單質(zhì)中，Si-Si鍵一共有2mol，所以該反應(yīng)的焓變?yōu)椋?/span>；

(2)①由Na2O的化學(xué)式和晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中黑球表示Na+，位于晶胞內(nèi)部，白球表示O2-，位于頂點(diǎn)和面心處；所以O2-的配位數(shù)為8；

②MgO是由帶電量更高的Mg2+與O2-形成的，因此MgO的熔點(diǎn)比Na2O高；

③化合物晶體的密度=構(gòu)成晶體的晶胞的密度，所以：。