下列制備單質(zhì)的方法中，需要加入還原劑才能實(shí)現(xiàn)的是


  1. A.
    高爐煉鐵
  2. B.
    電解法制金屬鎂
  3. C.
    加熱氧化汞制金屬汞
  4. D.
    從海帶灰浸取液中（含I-）提取碘單質(zhì)
A
分析：需要加入還原劑才能實(shí)現(xiàn)，則選項(xiàng)中物質(zhì)應(yīng)為氧化劑的還原反應(yīng)，反應(yīng)物只有一種的氧化還原反應(yīng)，反應(yīng)物既是氧化劑又是還原劑，以此來解答．
解答：A．高爐煉鐵時(shí)利用金屬氧化物與還原劑反應(yīng)，則需要加入還原劑，故A選；
B．一般利用電解熔融氯化鎂的方法來制取金屬鎂，該反應(yīng)為氧化還原反應(yīng)，但不需要加還原劑，故B不選；
C．加熱氧化汞制金屬汞，該反應(yīng)為氧化還原反應(yīng)，但不需要加還原劑，故C不選；
D．從海帶灰浸取液中（含I-）提取碘單質(zhì)，碘元素的化合價(jià)升高，則需要加氧化劑才能實(shí)現(xiàn)，故D不選；
故選A．
點(diǎn)評(píng)：本題考查氧化還原反應(yīng)，明確發(fā)生的氧化還原反應(yīng)及反應(yīng)中元素的化合價(jià)變化等即可解答，題目難度不大．
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：閱讀理解

（2010?棗莊一模）鹵素單質(zhì)的性質(zhì)活潑，鹵素的化合物應(yīng)用廣泛，研究鹵素單質(zhì)及其化合物具有重要意義．
（1）氯元素的原子結(jié)構(gòu)示意圖為
．
（2）二氧化氯（ClO2）是一種廣泛用于水處理消毒劑，與Cl2相比，ClO2不但具有更顯著的殺菌能力，而且不會(huì)產(chǎn)生對(duì)人體有害的有機(jī)氯化物．制備ClO2的方法有以下兩種：
2NaClO3+4HCl=2ClO2↑+Cl2↑+2NaCl+2H2O…①
2NaClO2+H2O2+H2SO4=2C1O2↑+O2↑+Na2SO4+2H2O  …②
你認(rèn)為哪種方法最佳
②
②
（填序號(hào)），理由是
ClO2中混有O2，不會(huì)產(chǎn)生對(duì)人體有害的物質(zhì)
ClO2中混有O2，不會(huì)產(chǎn)生對(duì)人體有害的物質(zhì)
．
（3）工業(yè)上用電解飽和食鹽水的方法制取燒堿和氯氣，請(qǐng)寫出反應(yīng)的離子方程式
2C1-+2H2O
 通電 
.
 
Cl2↑+H2↑+2OH-
2C1-+2H2O
 通電 
.
 
Cl2↑+H2↑+2OH-
．
（4）碘鎢燈具有比白熾燈壽命長(zhǎng)且環(huán)保節(jié)能的特點(diǎn)．一定溫度下，燈泡內(nèi)封存的少量碘與使用過程中沉積在管壁上的鎢可以發(fā)生反應(yīng)：W（s）+I2（g）WI2（g）．為模擬上述反應(yīng)，準(zhǔn)確稱取0.508g碘、0.736g金屬鎢置于50.0mL
的密閉容器中，加熱使其反應(yīng)．如圖是WI2（g）的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化關(guān)系圖象，其中曲線I（0～t2時(shí)間段）的反應(yīng)溫度為T1，曲線II（從t2開始）的反應(yīng)溫度為T2，且T2＞T1．則：
①該反應(yīng)的△H
小于
小于
0（填“大于”或“等于”或“小于”）
②從反應(yīng)開始到t1時(shí)間內(nèi)的平均反應(yīng)速率v（I2）=
0.036
t1
mol?L-1?min-1
0.036
t1
mol?L-1?min-1
．
③下列說法中不正確的是
A
A
（填序號(hào)）．
A．該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式是K=
[WI2]
[W][I2]

B．燈絲附近溫度越高，燈絲附近區(qū)域WI2越易變?yōu)閃而重新沉積到燈絲上
C．利用該反應(yīng)原理可以提純鎢
（5）25℃時(shí)，向5mL含有KCl和KI濃度均為0.1mol/L的混合液中，滴加6mL0.1mol/L的AgNO3溶液，先生成的沉淀是
AgI
AgI
，溶液中離子濃度由大到小的順序是
c（K+）＞c（NO-3）＞c（Cl-）＞c（Ag+）＞c（I-）
c（K+）＞c（NO-3）＞c（Cl-）＞c（Ag+）＞c（I-）
[不考慮H+和OH-．25℃時(shí)KSP（AgCl）=1.8×10-10、KSP（AgI）=8.3×10-17]．
（6）Mg常用作提純Ti的試劑，已知：
①M(fèi)g（s）+Cl2（g）=MgCl2（s）△H=-641kJ/mol
②Ti（s）+2Cl2（g）=TiCl4（l）△H=-770kJ/mol
請(qǐng)寫出Mg與液態(tài)TiCl4反應(yīng)提純鈦的熱化學(xué)方程式
2Mg（s）+TiCl4（1）=2MgCl2（s）+Ti（s）△H=-512kJ?mol-1
2Mg（s）+TiCl4（1）=2MgCl2（s）+Ti（s）△H=-512kJ?mol-1
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：閱讀理解

晶體硅是一種重要的非金屬材料．請(qǐng)寫出晶體硅的二種用途：
計(jì)算機(jī)芯片
計(jì)算機(jī)芯片
、
太陽能電池
太陽能電池
．制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3（常溫下為液態(tài)，易揮發(fā)）
③SiHCl3與過量H2在1000～1100℃反應(yīng)制得純硅．
已知：
Ⅰ．SiHCl3水解會(huì)生成兩種氣態(tài)產(chǎn)物，請(qǐng)寫出其水解的化學(xué)方程式：
SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑
SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑
．
Ⅱ．SiHCl3 在空氣中自燃．請(qǐng)回答下列問題：
（1）第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
．
（2）用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）

①裝置B中的試劑是
濃H2SO4
濃H2SO4
，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是
使SiHCl3氣化
使SiHCl3氣化
；
②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是
D石英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
D石英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為
SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si+3HCl
SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si+3HCl
；
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及
先通一段時(shí)間H2，將裝置中的空氣排盡
先通一段時(shí)間H2，將裝置中的空氣排盡
；
④設(shè)計(jì)鑒定產(chǎn)品硅中是否含少量Fe單質(zhì)的方法：
取少量產(chǎn)品于試管中加鹽酸溶解，再滴加氯水和KSCN（aq），若出現(xiàn)紅色說明含F(xiàn)e，若不出現(xiàn)紅色說明不含F(xiàn)e．
取少量產(chǎn)品于試管中加鹽酸溶解，再滴加氯水和KSCN（aq），若出現(xiàn)紅色說明含F(xiàn)e，若不出現(xiàn)紅色說明不含F(xiàn)e．
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下列制備單質(zhì)的方法中，需要加入還原劑才能實(shí)現(xiàn)的是（　�。�

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

如圖是A～G各物質(zhì)間的轉(zhuǎn)化關(guān)系，其中B、D為氣態(tài)單質(zhì)．
精英家教網(wǎng)
請(qǐng)回答下列問題：
（1）物質(zhì)A和E的名稱分別為
 
、
 
．
（2）反應(yīng)①的化學(xué)方程式為
 
．
（3）反應(yīng)②可選用不同的C物質(zhì)來進(jìn)行，若能在常溫下進(jìn)行，其化學(xué)方程式為
 
；若只能在加熱情況下進(jìn)行，則反應(yīng)物C應(yīng)為
 
．
（4）工業(yè)上F可通過多種途徑轉(zhuǎn)化成G．
①在F溶液中加入適量氫碘酸，發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為
 
．
②將無水F在氮?dú)庾霰Ｗo(hù)氣下加熱至300℃-350℃，通入干燥H2，而制得G．該反應(yīng)的化學(xué)方程式為
 
．
③另一種制備G的方法是：將無水的F與適量氯苯（C6H5Cl），在130℃持續(xù)加熱約3小時(shí)，可發(fā)生如下反應(yīng)：
2F+C6H5Cl
130℃
2G+C6H4Cl2+HCl
根據(jù)有機(jī)反應(yīng)規(guī)律，該反應(yīng)中氯苯發(fā)生的是
 
（填有機(jī)反應(yīng)類型）．
④分析上述三個(gè)反應(yīng)，下列有關(guān)說法正確的是：
 
．
A．反應(yīng)①中，氫碘酸既表現(xiàn)了酸性，又表現(xiàn)了還原性
B．反應(yīng)③中，HCl為氧化產(chǎn)物
C．上述三個(gè)反應(yīng)中，G均為還原產(chǎn)物．

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