下列有關(guān)分子晶體熔點(diǎn)的高低敘述中，正確的是（  ）。
A．Cl2＞I2B．SiCl4＞CCl4
C．N2＞O2D．C（CH3）4＞CH3CH2CH2CH2CH3
B
A、B、C、D選項(xiàng)中均無(wú)氫鍵，且都為分子晶體，物質(zhì)結(jié)構(gòu)相似，相對(duì)分子質(zhì)量大的熔點(diǎn)高，故A、C錯(cuò)誤，B正確；D中相對(duì)分子質(zhì)量相同的同分異構(gòu)體，支鏈越多，熔點(diǎn)越低，故D錯(cuò)誤。
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

[物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]（15分）
已知X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于48。X的一種1:1型常見(jiàn)氣態(tài)氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵。Z是金屬元素，Z的單質(zhì)和化合物有廣泛的用途。已知Z的核電荷數(shù)小于28，且次外層有2個(gè)未成對(duì)電子。工業(yè)上利用ZO2和碳酸鋇在熔融狀態(tài)下制取化合物M（M可看做一種含氧酸鹽）。M有顯著的“壓電性能”，應(yīng)用于超聲波的發(fā)生裝置。經(jīng)X射線分析，M晶體的最小重復(fù)單位為正方體（如右圖），頂點(diǎn)位置為Z4＋所占，體心位置為Ba2＋所占，所有棱心位置為O2-所占。

（1）Y在周期表中位于______________；Z4＋的核外電子排布式為_(kāi)_____________；
（2）X的該種氫化物分子構(gòu)型為_(kāi)__________，X在該氫化物中以___________方式雜化。X和Y形成的化合物的熔點(diǎn)應(yīng)該_____（填“高于”或 “低于”）X的該氫化物的熔點(diǎn)。
（3）①制備M的化學(xué)反應(yīng)方程式是________________________________________；
②在M晶體中，若將Z4＋置于立方體的體心，Ba2＋置于立方體的頂點(diǎn)，則O2－處于立方體的______；
③在M晶體中，Z4＋的氧配位數(shù)為_(kāi)_______；

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

下列說(shuō)法中正確的是(NA為阿伏加德羅常數(shù))(  )
A．28 g晶體硅中含有Si—Si鍵的個(gè)數(shù)為2NA
B．124 g白磷(P4)晶體中含有P—P鍵的個(gè)數(shù)為4NA
C．12 g金剛石中含有C—C鍵的個(gè)數(shù)為4NA
D．SiO2晶體中每1 mol Si可與氧原子形成2NA個(gè)共價(jià)鍵(Si—O鍵)

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

最近科學(xué)家成功地制成了一種新型的碳氧化合物，該化合物晶體中每個(gè)碳原子均以四個(gè)共價(jià)單鍵與氧原子結(jié)合為一種空間網(wǎng)狀的無(wú)限伸展結(jié)構(gòu)，下列對(duì)該晶體敘述錯(cuò)誤的是（  ）。
A．該物質(zhì)的化學(xué)式為CO4
B．晶體的熔、沸點(diǎn)高，硬度大
C．晶體中C原子數(shù)與C—O鍵數(shù)之比為1∶4
D．晶體的空間最小環(huán)共由12個(gè)原子所構(gòu)成

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

物質(zhì)的非晶體能自動(dòng)轉(zhuǎn)變?yōu)榫w，而晶體卻不能自動(dòng)地轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷w，這說(shuō)明（  ）。
A．非晶體是不穩(wěn)定的，處于晶體時(shí)能量小
B．晶體是穩(wěn)定的，處于晶體時(shí)能量大
C．非晶體是不穩(wěn)定的，處于晶體時(shí)能量小
D．晶體是不穩(wěn)定的，處于晶體時(shí)能量小

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

氮化硅是一種新合成的超硬、耐磨、耐高溫的材料。下列對(duì)氮化硅的敘述中，正確的是（  ）。
A．氮化硅是分子晶體
B．氮化硅是原子晶體
C．氮化硅是離子晶體
D．氮化硅化學(xué)式為Si4N3

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

要使金屬晶體熔化必須破壞其中的金屬鍵。金屬晶體熔、沸點(diǎn)高低和硬度大小一般取決于金屬鍵的強(qiáng)弱，而金屬鍵的強(qiáng)弱與金屬陽(yáng)離子所帶電荷的多少及半徑大小相關(guān)。由此判斷下列說(shuō)法正確的是（  ）。
A．金屬鎂的硬度大于金屬鋁
B．堿金屬單質(zhì)的熔、沸點(diǎn)從Li到Cs是逐漸增大的
C．金屬鎂的熔點(diǎn)大于金屬鈉
D．金屬鎂的硬度小于金屬鈣

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

下列敘述不正確的是（　�。�
A．金剛石、碳化硅、晶體硅的熔點(diǎn)依次降低
B．CaO晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體結(jié)構(gòu)相似，每個(gè)CaO晶胞中含有4個(gè)Ca2＋和4個(gè)O2－
C．設(shè)NaCl的摩爾質(zhì)量為M g·mol－1，NaCl的密度為ρ g·cm－3，阿伏加德羅常數(shù)為NA mol－1，在NaCl晶體中，兩個(gè)距離最近的Cl－中心間的距離為·cm
D．X、Y可形成立方晶體結(jié)構(gòu)的化合物，其晶胞中X占據(jù)所有棱的中心，Y位于頂角位置，則該晶體的組成式為XY3

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

下列各項(xiàng)中，理由、結(jié)論及因果關(guān)系均正確的是
選項(xiàng)
理由
結(jié)論
A
鍵能：N≡N＞Cl－Cl
單質(zhì)沸點(diǎn)：N2＞Cl2
B
分子中可電離的H+個(gè)數(shù)：H2SO4＞CH3COOH
酸性：H2SO4＞CH3COOH
C
元素的非金屬性：N＞P
酸性：HNO3＞H3PO4
D
氧化性：Fe3+＞Cu2+
還原性：Fe2+＞Cu
 

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