A.Cl2>I2 | B.SiCl4>CCl4 |
C.N2>O2 | D.C(CH3)4>CH3CH2CH2CH2CH3 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.28 g晶體硅中含有Si—Si鍵的個(gè)數(shù)為2NA |
B.124 g白磷(P4)晶體中含有P—P鍵的個(gè)數(shù)為4NA |
C.12 g金剛石中含有C—C鍵的個(gè)數(shù)為4NA |
D.SiO2晶體中每1 mol Si可與氧原子形成2NA個(gè)共價(jià)鍵(Si—O鍵) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.該物質(zhì)的化學(xué)式為CO4 |
B.晶體的熔、沸點(diǎn)高,硬度大 |
C.晶體中C原子數(shù)與C—O鍵數(shù)之比為1∶4 |
D.晶體的空間最小環(huán)共由12個(gè)原子所構(gòu)成 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.非晶體是不穩(wěn)定的,處于晶體時(shí)能量小 |
B.晶體是穩(wěn)定的,處于晶體時(shí)能量大 |
C.非晶體是不穩(wěn)定的,處于晶體時(shí)能量小 |
D.晶體是不穩(wěn)定的,處于晶體時(shí)能量小 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.氮化硅是分子晶體 |
B.氮化硅是原子晶體 |
C.氮化硅是離子晶體 |
D.氮化硅化學(xué)式為Si4N3 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.金屬鎂的硬度大于金屬鋁 |
B.堿金屬單質(zhì)的熔、沸點(diǎn)從Li到Cs是逐漸增大的 |
C.金屬鎂的熔點(diǎn)大于金屬鈉 |
D.金屬鎂的硬度小于金屬鈣 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.金剛石、碳化硅、晶體硅的熔點(diǎn)依次降低 |
B.CaO晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體結(jié)構(gòu)相似,每個(gè)CaO晶胞中含有4個(gè)Ca2+和4個(gè)O2- |
C.設(shè)NaCl的摩爾質(zhì)量為M g·mol-1,NaCl的密度為ρ g·cm-3,阿伏加德羅常數(shù)為NA mol-1,在NaCl晶體中,兩個(gè)距離最近的Cl-中心間的距離為·cm |
D.X、Y可形成立方晶體結(jié)構(gòu)的化合物,其晶胞中X占據(jù)所有棱的中心,Y位于頂角位置,則該晶體的組成式為XY3 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題
選項(xiàng) | 理由 | 結(jié)論 |
A | 鍵能:N≡N>Cl-Cl | 單質(zhì)沸點(diǎn):N2>Cl2 |
B | 分子中可電離的H+個(gè)數(shù):H2SO4>CH3COOH | 酸性:H2SO4>CH3COOH |
C | 元素的非金屬性:N>P | 酸性:HNO3>H3PO4 |
D | 氧化性:Fe3+>Cu2+ | 還原性:Fe2+>Cu |
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