(12分)下圖表示一些晶體中的某些結(jié)構(gòu),它們分別是NaCl、CsCl、干冰、金剛
石、石墨結(jié)構(gòu)中的某一種的某一部分
(1)其中代表金剛石的是(填編號字母,下同) ,晶體的空間最小環(huán)由 個原子構(gòu)成,金剛石屬于 晶體;
(2)其中代表石墨是 ,其中每個正六邊形占有的碳原子數(shù)平均為 個;
(3)代表干冰的是 ,它屬于 晶體,每個CO2分子與 個CO2分子緊鄰;
(4)上述B、C、D三種物質(zhì)熔點由高到低的排列順序為 。
(5)第ⅢA、ⅤA族元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似。在GaN晶體中,每個Ga原子與 個
N原子相連,與同一個Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為 。
在四大晶體類型中,GaN屬于 晶體。
科目:高中化學 來源: 題型:
(12分)下圖表示一些晶體中的某些結(jié)構(gòu),它們分別是NaCl、CsCl、干冰、金剛
石、石墨結(jié)構(gòu)中的某一種的某一部分
(1)其中代表金剛石的是(填編號字母,下同) ,晶體的空間最小環(huán)由 個原子構(gòu)成,金剛石屬于 晶體;
(2)其中代表石墨是 ,其中每個正六邊形占有的碳原子數(shù)平均為 個;
(3)代表干冰的是 ,它屬于 晶體,每個CO2分子與 個CO2分子緊鄰;
(4)上述B、C、D三種物質(zhì)熔點由高到低的排列順序為 。
(5)第ⅢA、ⅤA族元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似。在GaN晶體中,每個Ga原子與 個
N原子相連,與同一個Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為 。
在四大晶體類型中,GaN屬于 晶體。
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科目:高中化學 來源:2011-2012學年廣東省實驗中學高一下學期期末考試化學試卷(帶解析) 題型:填空題
(12分) Ⅰ.下圖表示4個碳原子相互結(jié)合的方式。小球表示碳原子,小棍表示化學鍵,假如碳原子上其余的化學鍵都是與氫結(jié)合。
(1)圖中屬于烷烴的是 (填編號)屬于烯烴的是 ,(填編號)
(2)上圖中與B互為同分異構(gòu)體但不屬于同種類的物質(zhì)的是: 。(填編號)
Ⅱ.課本“交流?研討”欄目有這樣一組數(shù)據(jù):破壞1mol氫氣中的化學鍵需要吸收436kJ能量;破壞1/2mol氧氣中的化學鍵需要吸收249kJ的能量;形成水分子中1 mol H—O鍵能夠釋放463kJ能量。
下圖表示氫氣和氧氣反應過程中能量的變化,請將圖中①、②、③的能量變化的數(shù)值,填在下邊的橫線上。
① kJ ② kJ ③ kJ
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科目:高中化學 來源:2014屆廣東省高一下學期期末考試化學試卷(解析版) 題型:填空題
(12分) Ⅰ.下圖表示4個碳原子相互結(jié)合的方式。小球表示碳原子,小棍表示化學鍵,假如碳原子上其余的化學鍵都是與氫結(jié)合。
(1)圖中屬于烷烴的是 (填編號)屬于烯烴的是 ,(填編號)
(2)上圖中與B互為同分異構(gòu)體但不屬于同種類的物質(zhì)的是: 。(填編號)
Ⅱ.課本“交流•研討”欄目有這樣一組數(shù)據(jù):破壞1mol氫氣中的化學鍵需要吸收436kJ能量;破壞1/2mol氧氣中的化學鍵需要吸收249kJ的能量;形成水分子中1 mol H—O鍵能夠釋放463kJ能量。
下圖表示氫氣和氧氣反應過程中能量的變化,請將圖中①、②、③的能量變化的數(shù)值,填在下邊的橫線上。
① kJ ② kJ ③ kJ
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科目:高中化學 來源:2012屆吉林省高二下學期第一次月考化學試卷 題型:填空題
(12分)下圖表示一些晶體中的某些結(jié)構(gòu),它們分別是NaCl、CsCl、干冰、金剛
石、石墨結(jié)構(gòu)中的某一種的某一部分
(1)其中代表金剛石的是(填編號字母,下同) ,晶體的空間最小環(huán)由 個原子構(gòu)成,金剛石屬于 晶體;
(2)其中代表石墨是 ,其中每個正六邊形占有的碳原子數(shù)平均為 個;
(3)代表干冰的是 ,它屬于 晶體,每個CO2分子與 個CO2分子緊鄰;
(4)上述B、C、D三種物質(zhì)熔點由高到低的排列順序為 。
(5)第ⅢA、ⅤA族元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似。在GaN晶體中,每個Ga原子與 個
N原子相連,與同一個Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為 。
在四大晶體類型中,GaN屬于 晶體。
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