科目: 來源:不詳 題型:填空題
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科目: 來源:不詳 題型:填空題
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
A.F2、Cl2、Br2、I2的熔點(diǎn)依次升高 |
B.Li、Na、K、Rb的熔點(diǎn)依次降低 |
C.NaF、NaCl、NaBr、NaI的熔點(diǎn)依次降低 |
D.晶體硅、碳化硅、金剛石的熔點(diǎn)依次升高 |
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
A.(過氧化鋇)固體中的陰離子和陽離子之比為2∶1 |
B.在SiO2晶體中,1個(gè)Si原子和2個(gè)O原子形成2個(gè)共價(jià)鍵 |
C.HCl的相對分子質(zhì)量大于HF,所以HCl的沸點(diǎn)高于HF |
D.由ⅠA族和ⅥA族元素可形成原子個(gè)數(shù)比為1∶1、電子總數(shù)為38的化合物 |
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
短周期元素代號(hào) | L | M | Q | R | T |
原子半徑/nm | 0.160 | 0.143 | 0.112 | 0.104 | 0.066 |
主要化合價(jià) | +2 | +3 | +2 | +6、-2 | -2 |
A.氫化物的熱穩(wěn)定性:H2T<H2R |
B.單質(zhì)與稀鹽酸反應(yīng)的速率:L<Q |
C.M 與T 形成的化合物既能與強(qiáng)酸反應(yīng),又能與強(qiáng)堿反應(yīng)且受熱能分解 |
D.離子半徑:R2-<L2+ |
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