NaF、NaI、MgO晶體均為離子晶體，根據(jù)下列數(shù)據(jù)，這三種晶體的熔點高低順序是（  ）。

物質(zhì)	①NaF	②NaI	③MgO
離子電荷數(shù)	1	1	2
離子間距離/10－10 m	2.31	3.18	2.10

 
A．①＞②＞③       B．③＞①＞②
C．③＞②＞①       D．②＞①＞③

下列熱化學(xué)方程式中，能直接表示出氯化鈉晶體晶格能的是（  ）。

A．Na＋（g）＋Cl－（g）=NaCl（s）　ΔH

B．Na（s）＋Cl2（g）=NaCl（s）　ΔH1

C．Na（s）=Na（g）　ΔH2

D．Na（g）－e－=Na＋（g） ΔH3

如圖是CsCl晶體的晶胞結(jié)構(gòu)（晶體中最小重復(fù)單元），已知晶體中兩個最近的Cs^＋核間距離為a cm，氯化銫的式量為M，N_A為阿伏加德羅常數(shù)，則氯化銫晶體的密度為（  ）。

A．g·cm－3	B．g·cm－3
C．g·cm－3	D．g·cm－3

Ⅰ.已知下列金屬晶體：Na、Po、K、Fe、Cu、Mg、Zn、Au。其堆積方式為：
（1）簡單立方堆積的是____________________________________________；
（2）鉀型的是______________________________________________________；
（3）鎂型的是______________________________________________________；
（4）銅型的是_____________________________________________________。
Ⅱ.A、B、C、D都是短周期元素，原子半徑D>C>A>B，已知：A、B處于同一周期，A、C處于同一主族；C原子核內(nèi)的質(zhì)子數(shù)等于A、B原子核內(nèi)的質(zhì)子數(shù)之和；C原子最外層電子數(shù)是D原子最外層電子數(shù)的4倍。
試回答：
（1）這四種元素分別是：A______，B______，C______，D______（填元素名稱）。
（2）這四種元素單質(zhì)的熔點由高到低的順序是________（填元素名稱）。
（3）C的固態(tài)氧化物是________晶體，D的固態(tài)單質(zhì)是________晶體。
（4）寫出A、B、D組成的化合物與B、C組成的化合物相互反應(yīng)的化學(xué)方程式_______________________________________________________________。

氮化硅是一種新合成的超硬、耐磨、耐高溫的材料。下列對氮化硅的敘述中，正確的是（  ）。

A．氮化硅是分子晶體

B．氮化硅是原子晶體

C．氮化硅是離子晶體

D．氮化硅化學(xué)式為Si4N3

下表是某些原子晶體的熔點和硬度

原子晶體	金剛石	氮化硼	碳化硅	石英	硅	鍺
熔點/℃	3 900	3 000	2 700	1 710	1 410	1 211
硬度	10	9.5	9.5	7	6.5	6.0

 
分析表中的數(shù)據(jù)，判斷下列敘述正確的是（  ）。
①構(gòu)成原子晶體的原子種類越多，晶體的熔點越高
②構(gòu)成原子晶體的原子間的共價鍵鍵能越大，晶體的熔點越高
③構(gòu)成原子晶體的原子的半徑越大，晶體的硬度越大
④構(gòu)成原子晶體的原子的半徑越小，晶體的硬度越大
A．①②     B．③④      C．①③      D．②④

通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（ΔH），化學(xué)反應(yīng)的ΔH等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

化學(xué)鍵	Si—O	Si—Cl	H—H	H—Cl	Si—Si	Si—C
鍵能/kJ·mol－1	460	360	436	431	176	347

 
請回答下列問題：
（1）比較下列兩組物質(zhì)的熔點高低（填“＞”或“＜”）。SiC____________Si；SiCl₄____________SiO₂。
（2）下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子，請在立方體的頂點用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

（3）工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制取：SiCl₄（g）＋2H₂（g）Si（s）＋4HCl（g）該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH＝________ kJ·mol^－1。

下列晶體中由原子直接構(gòu)成的單質(zhì)有（  ）。

A．硫

B．生鐵

C．金剛石

D．金屬鎂

下列性質(zhì)適合于分子晶體的是（  ）。

A．熔點1 070 ℃，易溶于水，水溶液能導(dǎo)電

B．熔點10.31 ℃，液態(tài)不導(dǎo)電，水溶液導(dǎo)電

C．難溶于CS2，熔點1 128 ℃，沸點4 446 ℃

D．熔點97.81 ℃，質(zhì)軟導(dǎo)電，密度0.97 g·cm－3

下列有關(guān)分子晶體熔點的高低敘述中，正確的是（  ）。

A．Cl2＞I2	B．SiCl4＞CCl4
C．N2＞O2	D．C（CH3）4＞CH3CH2CH2CH2CH3