科目: 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.離子晶體中,只存在離子鍵,不可能存在其它化學(xué)鍵 |
B.在鹵族元素(F、Cl、Br、I)的氫化物中,HF的沸點(diǎn)最低 |
C.NaHSO4、Na2O2晶體中的陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比均為1 : 2 |
D.晶體熔點(diǎn):金剛石>食鹽>冰>干冰 |
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:填空題
A.分子晶體 | B.原子晶體 | C.離子晶體 | D.金屬晶體E.混合晶體 |
元素代號(hào) | I1 | I2 | I3 | I4 |
Q | 2080 | 4000 | 6100 | 9400 |
R | 500 | 4600 | 6900 | 9500 |
S | 740 | 1500 | 7700 | 10500 |
T | 580 | 1800 | 2700 | 11600 |
U | 420 | 3100 | 4400 | 5900 |
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:填空題
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.金屬晶體 | B.分子晶體 | C.原子晶體 | D.離子晶體 |
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.在SiO2晶體中,每個(gè)Si原子與4個(gè)O原子形成共價(jià)鍵 |
B.在面心立方密堆積的金屬晶體中,每個(gè)金屬原子周圍緊鄰的有4個(gè)金屬原子 |
C.NaCl晶體中與每個(gè)Na+距離相等且最近的Cl—有6個(gè); |
D.CsCl晶體中與每個(gè)Cs+距離相等且最近的Cl—有8個(gè) |
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:填空題
A.二氧化硅 | B.乙烷晶體 | C.碳酸鈉 | D.氯化鈉 E.晶體氬F.過(guò)氧化氫 G.鎂(用字母填空) |
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.簡(jiǎn)單立方堆積 | B.體心立方堆積 |
C.六方最密堆積 | D.面心立方最密堆積 |
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.可燃冰晶體中(8CH4·46H2O)CH4與H2O 分子之間以及H2O 與H2O 間都以氫鍵結(jié)合 |
B.氨氣易液化,是因?yàn)榘狈肿又g存在氫鍵 |
C.含有陽(yáng)離子的晶體一定是離子晶體 |
D.金屬晶體的熔沸點(diǎn)一定比分子晶體高 |
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.由于NaCl 晶體和CsCl晶體中正負(fù)離子半徑比不相等,所以兩晶體中離子的配位數(shù)不相等 |
B.CaF2晶體中,Ca2+配位數(shù)為8,F(xiàn)-配位數(shù)為4不相等,主要是由于F-、Ca2+電荷(絕對(duì)值)不相同 |
C.MgO的熔點(diǎn)比MgCl2高主要是因?yàn)镸gO的晶體能比MgCl2大 |
D.MCO3中M2+半徑越大,MCO3熱分解溫度越低 |
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.(1)(3) | B.(2)(3) | C.(3)(4) | D.只有( 4) |
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