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常溫下,下列不發(fā)生反應(yīng)的一組物質(zhì)是 ( )
①硅與NaOH溶液、诠枧c鹽酸、酃枧c氫氟酸、芏趸枧c碳酸鈉、荻趸枧cNaOH溶液、薅趸枧c濃硝酸
A.①②④ B.③④⑥ C.②⑤⑥ D.②④⑥
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下列關(guān)于SiO2和CO2的敘述中不正確的是 ( )
A.都是共價(jià)化合物
B.都是酸性氧化物,都能與強(qiáng)堿溶液反應(yīng)
C.都能溶于水且與水反應(yīng)生成相應(yīng)的酸
D.SiO2可用于制光導(dǎo)纖維,干冰可用于人工降雨
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有些科學(xué)家提出硅是“21世紀(jì)的能源”,這主要是由于作為半導(dǎo)體材料的硅在太陽能發(fā)電過程中具有重要的作用。下列有關(guān)硅的說法中,不正確的是 ( )
A.高純度的硅廣泛用于制作計(jì)算機(jī)芯片
B.硅可由二氧化硅還原制得
C.低溫時(shí),硅與水、空氣和酸不反應(yīng),但能與氫氟酸反應(yīng)
D.自然界中硅的儲量豐富,自然界中存在大量的單質(zhì)硅
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下列關(guān)于C、Si兩種非金屬元素的說法中,正確的是 ( )
A.兩者結(jié)合形成的化合物是共價(jià)化合物
B.在自然界中都能以游離態(tài)存在
C.氫化物的熱穩(wěn)定性比較:CH4<SiH4
D.最高價(jià)氧化物都能與水反應(yīng)生成相應(yīng)的酸
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單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質(zhì)),粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅(反應(yīng)溫度450~500 ℃),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖。
相關(guān)信息如下:
a.四氯化硅遇水極易水解;
b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物;
c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:
物質(zhì) | SiCl4 | BCl3 | AlCl3 | FeCl3 | PCl5 |
沸點(diǎn)/℃ | 57.7 | 12.8 | - | 315 | - |
熔點(diǎn)/℃ | -70.0 | -107.2 | - | - | - |
升華溫度/℃ | - | - | 180 | 300 | 162 |
請回答下列問題:
(1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式:___________________________________
________________________________________________________________________。
(2)裝置A中g(shù)管的作用是____________;裝置C中的試劑是__________;裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是________________________________________________________
________________________________________________________________________。
(3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是________(填寫元素符號)。
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一種核素W的質(zhì)量數(shù)為28,中子數(shù)為14,則W的單質(zhì)與氫氟酸反應(yīng)生成兩種無色氣體,該反應(yīng)的化學(xué)方程式是_________________________。
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“碳捕捉技術(shù)”是指通過一定的方法將工業(yè)生產(chǎn)中產(chǎn)生的CO2分離出來并利用。如可利用NaOH溶液來“捕捉”CO2,其基本過程如下圖所示(部分條件及物質(zhì)未標(biāo)出)。
下列有關(guān)該方法的敘述中正確的是 ( )
①能耗大是該方法的一大缺點(diǎn)
②整個(gè)過程中,只有一種物質(zhì)可以循環(huán)利用
③“反應(yīng)分離”環(huán)節(jié)中,分離物質(zhì)的基本操作是蒸發(fā)結(jié)晶、過濾
④該方法可減少碳排放,捕捉到的CO2還可用來制備甲醇等產(chǎn)品
A.①② B.②③ C.③④ D.①④
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判斷正誤,正確的劃“√”,錯(cuò)誤的劃“×”
(1)單質(zhì)硅是將太陽能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿某S貌牧?nbsp; ( )
(2012·新課標(biāo)全國卷,8B)
(2)合成纖維和光導(dǎo)纖維都是新型無機(jī)非金屬材料 ( )
(2012·新課標(biāo)全國卷,8D)
(3)甲乙丙,若甲為焦炭,則丁可能是O2 ( )
(2013·江蘇,6A)
(4)SiO2可與HF反應(yīng),因而氫氟酸不能保存在玻璃瓶中 ( )
(2013·廣東理綜,10D)
(5)高溫下用焦炭還原SiO2制取粗硅 ( )
(2013·廣東理綜,11C)
(6)SiO2有導(dǎo)電性,所以SiO2可用于制備光導(dǎo)纖維 ( )
(2012·廣東理綜,12B)
(7)硅酸鈉溶液應(yīng)保存在帶玻璃塞的試劑瓶中 ( )
(2012·海南,4B)
(8)水玻璃可用于生產(chǎn)黏合劑和防火劑 ( )
(2010·江蘇,4B)
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晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備純硅的主要步驟如下:
ⅰ.高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
ⅱ.粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:
Si+3HClSiHCl3+H2
ⅲ.SiHCl3與過量H2在1 000~1 100 ℃反應(yīng)制得純硅
已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃。
請回答下列問題:
(1)第ⅰ步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為___________________________________。
(2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0 ℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)
57.6 ℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7 ℃),提純SiHCl3采用的方法為______________________。
(3)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):
①裝置B中的試劑是____________________________________________________。
裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是_______________________________________。
②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是_______________________________,
裝置D不能采用普通玻璃管的原因是_______________________________________,
裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_________________________________________。
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及__________________。
④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑是______(填寫字母代號)。
a.碘水 b.氯水 c.NaOH溶液 d.KSCN溶液
e.Na2SO3溶液
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A、B、C、D、E五種物質(zhì)中均含有同一種非金屬元素,它們能發(fā)生如圖所示的轉(zhuǎn)化關(guān)系,該元素(用R表示)的單質(zhì)能與NaOH溶液反應(yīng)生成鹽(Na2RO3)和氫氣。
請回答下列問題:
(1)寫出各物質(zhì)的化學(xué)式:A__________;B__________;C__________;D__________;E__________。
(2)寫出反應(yīng)①的化學(xué)方程式:____________________________________________,
該反應(yīng)中氧化劑與還原劑的物質(zhì)的量之比為________。
(3)寫出反應(yīng)④的離子方程式:__________________________________________。
(4)寫出反應(yīng)⑤的離子方程式:___________________________________________。
(5)H2CO3的酸性強(qiáng)于E的,請用離子方程式予以證明:
________________________________________________________________________。
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