15．化合物I（C₁₁H₁₂O₃）是制備液晶材料的中間體之一，其分子中含有醛基和酯基．I可以用E和H在一定條件下合成：

已知以下信息：
（1）A的核磁共振氫譜表明其只有一種化學環(huán)境的氫；
（2）R-CH═CH₂$\frac{①{B}_{2}{H}_{6}}{②{H}_{2}{O}_{2}/O{H}^{-}}$R-CH₂CH₂OH；
（3）化合物F苯環(huán)上的一氯代物只有兩種；
（4）通常在同一個碳原子上連有兩個羥基不穩(wěn)定，易脫水形成羰基．
回答下列問題：
（1）A的化學名稱為2-甲基-2-氯丙烷．
（2）D的結構簡式為（CH₃）₂CHCHO．
（3）E的分子式為C₄H₈O₂．
（4）F生成G的化學方程式為，該反應類型為取代反應．
（5）I的結構簡式為．
（6）I的同系物J比I相對分子質(zhì)量小14，J的同分異構體中能同時滿足如下條件：①苯環(huán)上只有兩個取代基，②既能發(fā)生銀鏡反應，又能與飽和NaHCO₃溶液反應放出CO₂，共有18種（不考慮立體異構）．J的一個同分異構體發(fā)生銀鏡反應并酸化后核磁共振氫譜為三組峰，且峰面積比為2：2：1，寫出J的這種同分異構體的結構簡式．

14．下列敘述正確的是（N_A表示阿伏伽德羅常數(shù)）（　�。�

	A．	1mol碳正離子CH5+所含的電子數(shù)為11NA
	B．	標準狀況下，22.4L辛烷完全燃燒后生成二氧化碳分子數(shù)為8NA
	C．	0.5mol乙烷分子中含共價鍵3.5NA
	D．	乙烷可以發(fā)生氧化反應和取代反應．30g乙烷完全燃燒消耗3.5mol氧氣，與氯氣反應生成C2H4Cl2時，一定為純凈物

13．用乙烯和其它無機原料可以合成環(huán)狀化合物E，請根據(jù)框圖回答下列問題：

（1）寫出①的反應類型加成反應，②反應條件氫氧化鈉水溶液、加熱．
（2）C的結構簡式OHC-CHO，D的結構簡式HOOC-COOH．
（3）寫出B和D反應生成E的化學方程式CH₂OHCH₂OH+HOOC-COOH$?_{△}^{濃硫酸}$+2H₂O．
（4）有機物B核磁共振氫譜表明其有2個不同化學環(huán)境的氫，且峰面積比為2：1（或1：2）．

12．設N_A為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說法中正確的是（　�。�

	A．	1.7g羥基所含電子數(shù)目為NA
	B．	1L 1mol/L的甲醇水溶液中含有氫原子總數(shù)為4NA
	C．	28 g聚乙烯含有的碳原子數(shù)為2nNA
	D．	常溫常壓下，3.0g葡萄糖和冰醋酸的混合物中含有的原子總數(shù)為0.4NA

11．下列敘述中，錯誤的是（　�。�

	A．	苯與濃硫酸共熱并保持70-80℃反應生成苯磺酸
	B．	苯乙烯在合適條件下催化加氫可生成乙基環(huán)己烷
	C．	乙烯與溴的四氯化碳溶液反應生成1，2-二溴乙烷
	D．	甲苯與氯氣在光照下反應主要生成2，4-二氯甲苯

10．下列物質(zhì)名稱書寫正確的是（　�。�

A．

純堿

B．

乙酸乙脂

C．

石碳酸

D．

2，4，6-三溴笨酚

9．以下是有關SO₂、Cl₂的性質(zhì)實驗．

（1）某小組設計如圖1所示的裝置圖（圖中夾持和加熱裝置略去），分別研究SO₂和Cl₂的性質(zhì)．
①若從左端分別通入SO₂和Cl₂，裝置A中觀察到的現(xiàn)象相同（填“相同”或“不相同”）；若裝置D中裝的是V₂O₅（催化劑）．通入SO₂時，打開K通入適量O₂的化學反應方程式為2SO₂+O₂$\frac{\underline{催化劑}}{△}$2SO₃．
②SO₂通入B中，溶液顏色褪去，則該反應的離子方程式為SO₂+I₂+2H₂O=4H⁺+2I^-+SO₄^2-．
（2）某同學將足量的SO₂通入一支裝有氯化鋇溶液的試管，未見沉淀生成，若向該試管中加入加量（填字母）AC，能產(chǎn)生白色沉淀．
A．氨水     B．稀鹽酸    C．硝酸鉀溶液      D．氯化鈉溶液
（3）若由元素S和O組成-2價酸根離子X，X中S和O的質(zhì)量比為2：3；當Cl₂的與含X的溶液完全反應后，得澄清溶液，取少量該溶液加入鹽酸酸化的氯化鋇溶液，有白色沉淀產(chǎn)生．寫出Cl₂與含X的溶液反應的離子方程式Cl₂+SO₃^2-+H₂O=SO₄^2-+2Cl^-+2H⁺．
（4）某科研單位利用電化學原理用SO₂來制備硫酸，裝置如圖2，含有某種催化劑，電極為多孔的材料，能吸附氣體，同時也能使氣體與電解質(zhì)溶液充分接觸．通入SO₂的電極為負極，其電極反應式為SO₂-2e^-+2H₂O═SO₄^2-+4H⁺；電池的總反應式2SO₂+O₂+2H₂O=2H₂SO₄．

8．硅單質(zhì)及其化合物應用范圍廣．請回答下列問題：
（1）制備硅半導體材料必須先得到高醇硅．三氯甲硅烷（SiHCl₃）還原法是當前制備高純硅的主要方法．生產(chǎn)過程示意圖如下：
石英砂$→_{高溫}^{焦炭}$粗硅$→_{573K以上}^{HCl}$SiHCl₃（粗）$\stackrel{精餾}{→}$SiHCl₃（純）$→_{1357K}^{H_{2}}$高純硅
①寫出由純SiHCl₃制備高純硅的化學反應方程式SiHCl₃+H₂═Si+3HCl．
②整個制備過程必須嚴格控制無水無氧．SiHCl₃遇水劇烈反應生成H₂SiO₃．H₂和另一種物質(zhì)．寫出配平的化學反應方程式SiHCl₃+3H₂O=H₂SiO₃+H₂↑+3HCl，H₂還原SiHCl₃過程中若混O₂．可能引起的后果是高溫下，H₂遇O₂發(fā)生爆炸．
（2）下列有關硅材料的說法正確的是ABCD（填字母）．
A．高純度的硅，可用于生產(chǎn)光電池，將光能直接轉換為電能
B．氮化硅硬度大．熔點高．可用于制作高溫陶瓷和軸承
C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料----光導纖維
D．普通玻璃是由純堿．石灰石和石英砂制成的
E．鹽酸可以與硅反應．故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
（3）硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃．取少量硅酸鈉溶液于試管中．逐滴加入飽和氯化銨溶液．振蕩．寫出實驗現(xiàn)象并給予解釋生成白色絮狀沉淀，又刺激性氣味的氣體生成，SiO₃^2-與NH₄⁺發(fā)生雙水解反應，SiO₃^2-+2NH₄⁺+2H₂O═2NH₃•H₂O+H₂SiO₃↓．

7．短周期元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大，且原子最外層電子數(shù)之和為16．Y的原子半徑比X的大，X與W同主族，Z 是地殼中含量最高的金屬元素．下列說法正確的是（　�。�

	A．	原子半徑的大小順序：r（W）＞r（Z）＞r（Y）
	B．	Y、W最高價氧化物對應水化物均能溶解Z的氫氧化物
	C．	元素W的簡單氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性比X的強
	D．	元素X、Y只能形成一種化合物

6．下列各組物質(zhì)中漂白原理相同的是（　�。�

	A．	漂白粉和二氧化氯		B．	二氧化硫和次氯酸
	C．	二氧化硫和漂白粉		D．	活性炭和二氧化硫