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(1)元素X是__________,Y是___________,Z是___________。
(2)Y元素單質(zhì)分子式為___________________。
(3)X與Z形成化合物的化學式為___________________。
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(1)寫出A、B、C、D元素的名稱。
(2)寫出B、C、D氣態(tài)氫化物的化學式,并比較其穩(wěn)定性。
(3)寫出A、B、C、D最高價氧化物的化學式及其水化物的化學式,并比較B、C、D最高價氧化物對應水化物的酸性強弱。
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(1)A元素原子最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的3倍,B元素原子次外層原子數(shù)是最外層電子數(shù)的2倍,則A、B元素( )
A.一定是第2周期元素 B.一定是同一主族元素
C.可能是第2、3周期元素 D.可以相互化合形成化合物
(2)某元素X的核外電子數(shù)等于核內(nèi)中子數(shù),取該元素單質(zhì)
A.第3周期 B.第2周期 C.第ⅣA族 D.第ⅤA族
(3)根據(jù)原子結(jié)構(gòu)理論和元素周期律,請預測原子序數(shù)為114的元素(此元素尚未命名,暫用M表示其元素符號)的有關知識。(在周期表中的位置、原子結(jié)構(gòu)、構(gòu)成氧化物和對應水化物的化學式、放射性等)
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(1)Y和Z形成的化合物與W和Z形成的化合物反應,其化學方程式可能是______________。
(2)W、X元素的最高價氧化物對應水化物的堿性強弱為:____________<_____________。(用化學式表示)
(3)這四種元素原子半徑的大小:___________>___________>____________>__________。(填元素符號)
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A欄 | B欄 | A欄 | B欄 |
Ⅰ.半導體材料 | ①含Cl、P、S、N、As等元素的化合物 | Ⅰ |
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Ⅱ.優(yōu)良的催化劑 | ②金屬元素與非金屬元素的交界處 | Ⅱ |
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Ⅲ.制備耐高溫、耐腐蝕的合金 | ③相對原子質(zhì)量較小的元素、原子序數(shù)是偶數(shù)的元素 | Ⅲ |
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Ⅳ.地殼中含量較少的元素 | ④相對原子質(zhì)量較大的元素、原子序數(shù)是奇數(shù)的元素 | Ⅳ |
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Ⅴ.地殼中含量較多的元素 | ⑤過渡元素區(qū)域 | Ⅴ |
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Ⅵ.制備農(nóng)藥 | ⑥ⅢB—ⅥB過渡元素 | Ⅵ |
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Ⅰ.半導體材料 | ①含Cl、P、S、N、As等元素的化合物 | Ⅰ |
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A.硫 B.砷 C.硒 D.硅
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A.La2O3+HCl B.La+Cl
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A.電子層數(shù) B.電子數(shù) C.原子半徑 D.化合價
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