【題目】如下圖為真核細胞內(nèi)某基因(共200個堿基)的結(jié)構(gòu)示意圖,該基因全部堿基中C占30%,下列說法正確的是( )
A.基因多樣性與堿基的種類、數(shù)量以及排列順序有關
B.該基因的一條核苷酸鏈中(C+G)/(A+T)=2:3
C.該基因在培養(yǎng)液中復制4次后,一共消耗腺嘌呤脫氧核苷酸640個
D.若①處的T變?yōu)?/span>A,則該基因經(jīng)n次復制后,發(fā)生改變的基因占1/2
【答案】D
【解析】
從圖可知,①是磷酸二酯鍵,通常是限制酶和DNA連接酶作用點,②是氫鍵是DNA解旋酶作用點;該基因可能存在于細胞內(nèi)的染色體DNA上,也可以在線粒體或者葉綠體內(nèi);
基因全部堿基中C占30%,那G也占該30%,A=T=20%,基因的一條核苷酸鏈乃至整個DNA中(C+G)/(A+T)都為3:2。
A、基因多樣性與堿基的數(shù)量以及排列順序有關,A錯誤;
B、基因全部堿基中C占30%,那G也占該30%,A=T=20%,基因的一條核苷酸鏈乃至整個DNA中(C+G)/(A+T)都為3:2,B錯誤;
C、通過分析可以該DNA中A占20%,40個。該基因在培養(yǎng)液中復制4次后,一共消耗腺嘌呤脫氧核苷酸40×(24-1)=600個,C錯誤;
D、若①處后T變?yōu)?/span>A,由于另一條鏈沒有發(fā)生突變,根據(jù)DNA半保留復制的特點,該基因經(jīng)n次復制后,發(fā)生改變的基因占1/2,D正確。
故選D。
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【題目】下圖是某植物葉肉細胞在一定的光照條件下光合作用和細胞呼吸過程示意圖。I~VI代表物質(zhì),1~5代表代謝過程。據(jù)圖回答下列問題:
(1)圖甲中的A階段表示_______________,圖乙中④進行的場所是_________ 。
(2)上圖中I~VI代表同種物質(zhì)的編號是_______和_________、_______和_______。
(3)光照強度、溫度、CO2濃度等外界因素都能影響光合作用強度,其中主要影響B階段的因素是___________________________。若將該植物周圍的CO2由較低濃度快速升到較高且適宜濃度,短時間內(nèi)甲圖中的C3的含量將_________ (填“增加”、“減少”或“不變”)。
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【題目】已知,有機化合物A只由C,H兩種元素組成且能使溴水褪色,其產(chǎn)量可以用來衡量一個國家石油化工發(fā)展水平。A,B,C,D,E有如下關系:
則下列推斷不正確的是( )
A.鑒別A和甲烷可選擇使用酸性高錳酸鉀溶液
B.D中含有的官能團為羧基,利用D物質(zhì)可以清除水壺中的水垢
C.物質(zhì)C的結(jié)構(gòu)簡式為CH3CHO,E的名稱為乙酸乙酯
D.B+D→E的化學方程式為:CH3CH2OH+CH3COOHCH3COOC2H5
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【題目】如圖是對棉花打頂后,測得的某側(cè)芽部位的生長素相對含量隨時間的變化曲線。下列有關敘述錯誤的是
A. 未打頂和打頂后第20天,側(cè)芽部位的生長素濃度相同,但來源不同
B. 未打頂時,棉花植株的頂端優(yōu)勢現(xiàn)象體現(xiàn)了生長素生理作用的兩重性
C. 打頂能解除頂端優(yōu)勢,使側(cè)芽部位生長素濃度持續(xù)增高
D. 頂端優(yōu)勢現(xiàn)象無法體現(xiàn)不同器官對生長素的敏感性不同
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【題目】下圖為中心法則圖解,①—⑤表示生理過程,下列敘述正確的是( )
A.口腔上皮細胞中能發(fā)生的過程僅有③
B.根尖分生區(qū)細胞能發(fā)生的過程有①②③
C.HIV增殖過程中會發(fā)生①一⑤全部過程
D.噬菌體增殖過程中會發(fā)生①②③④過程
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【題目】下列是對不同生物體細胞中的染色體組和基因型的敘述,其中正確的是( )
A.圖中細胞a含有3個染色體組,該個體一定是三倍體
B.圖中細胞b含有2個染色體組,該個體一定是二倍體
C.圖中細胞c含有4個染色體組,該個體一定是單倍體
D.圖中細胞d含有1個染色體組,該個體一定是單倍體
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【題目】神經(jīng)電位的測量裝置如下圖甲所示,其中箭頭表示施加適宜刺激,陰影表示興奮區(qū)域。用 記錄儀記錄 A、B 兩電極之間的電位差,結(jié)果如下圖乙所示。若將記錄儀的 A、B 兩電極均置 于膜外,其他實驗條件不變,則測量結(jié)果是( )
A.B.C.D.
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【題目】如圖表示植物生長素對植物生長作用效果,下列說法錯誤的是:
A. 產(chǎn)生頂端優(yōu)勢的植株側(cè)芽生長素濃度大于c
B. 用A、B點對應濃度的生長素處理扦插枝條,則生根效果基本相同
C. 在利用生長素作用原理來培育無子番茄時,所用生長素濃度應低于c
D. 若胚芽鞘向光側(cè)生長素濃度為m,則其背光側(cè)生長素濃度可能大于2m
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