Question

15．下列有關(guān)噬菌體侵染細(xì)菌的實(shí)驗(yàn)的敘述，錯(cuò)誤的是（　�。�

• A． 培養(yǎng)噬菌體的培養(yǎng)基滅菌方法為高壓蒸汽滅菌法
• B． 用³⁵S標(biāo)記噬菌體的侵染實(shí)驗(yàn)中，沉淀物中存在少量的放射性可能是攪拌不充分所致
• C． 除了模板是由親代噬菌體提供外，合成子代其余所需的原料、酶、場(chǎng)所、能量等均由宿主細(xì)胞提供
• D． 用³²P標(biāo)記細(xì)菌中的脫氧核苷酸，共釋放出100個(gè)子代噬菌體，均有放射性

Answer 1

分析 1、噬菌體的繁殖過(guò)程：吸附→注入（注入噬菌體的DNA）→合成（控制者：噬菌體的DNA；原料：細(xì)菌的化學(xué)成分）→組裝→釋放．
2、T₂噬菌體侵染細(xì)菌的實(shí)驗(yàn)步驟：分別用³⁵S或³²P標(biāo)記噬菌體→噬菌體與大腸桿菌混合培養(yǎng)→噬菌體侵染未被標(biāo)記的細(xì)菌→在攪拌器中攪拌，然后離心，檢測(cè)上清液和沉淀物中的放射性物質(zhì)．
3、上清液和沉淀物中都有放射性的原因分析：
①用³²P標(biāo)記的噬菌體侵染大腸桿菌，上清液中有少量放射性的原因：
a．保溫時(shí)間過(guò)短，部分噬菌體沒(méi)有侵染到大腸桿菌細(xì)胞內(nèi)，經(jīng)離心后分布于上清液中，使上清液出現(xiàn)放射陡．
b．保溫時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，噬菌體在大腸桿菌內(nèi)增殖后釋放子代，經(jīng)離心后分布于上清液中，也會(huì)使上清液的放射性含量升高．
②用³⁵S標(biāo)記的噬菌體侵染大腸桿菌，沉淀物中也有少量放射性的原因：由于攪拌不充分，有少量³⁵S的噬菌體蛋白質(zhì)外殼吸附在細(xì)菌表面，隨細(xì)菌離心到沉淀物中，使沉淀物中出現(xiàn)少量的放射性．

解答 解：A、噬菌體是病毒，沒(méi)有細(xì)胞結(jié)構(gòu)，不能在培養(yǎng)基上獨(dú)立生存，因此不能用培養(yǎng)基培養(yǎng)噬菌體，A錯(cuò)誤；
B、³⁵S標(biāo)記的是噬菌體的蛋白質(zhì)外殼，噬菌體侵染細(xì)菌時(shí)，蛋白質(zhì)外殼留在細(xì)菌外，若用³⁵S標(biāo)記噬菌體的侵染實(shí)驗(yàn)中，沉淀物中存在少量的放射性可能是攪拌不充分，少數(shù)蛋白質(zhì)外殼仍吸附在細(xì)菌表面，B正確；
C、噬菌體在細(xì)菌中繁殖時(shí)，除了模板是由親代噬菌體提供外，合成子代其余所需的原料、酶、場(chǎng)所、能量等均由宿主細(xì)胞提供，C正確；
D、噬菌體侵染細(xì)菌時(shí)，合成子代噬菌體的原料均由細(xì)菌提供，因此用³²P標(biāo)記細(xì)菌中的脫氧核苷酸，共釋放出100個(gè)子代噬菌體，均有放射性，D正確．
故選：A．

點(diǎn)評(píng) 本題考查噬菌體侵染細(xì)菌實(shí)驗(yàn)，要求考生識(shí)記噬菌體的結(jié)構(gòu)和噬菌體在細(xì)菌中的繁殖過(guò)程；掌握噬菌體侵染細(xì)菌實(shí)驗(yàn)的過(guò)程，能利用所學(xué)的知識(shí)合理解釋放射性強(qiáng)弱的原因，再結(jié)合所學(xué)的知識(shí)準(zhǔn)確判斷各選項(xiàng)，屬于考綱理解層次的考查．