g |
4 |
A、
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B、
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C、
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D、
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g |
4 |
g |
4 |
nBLv |
R |
n2B2L2v |
R |
1 |
2 |
9m2R2g |
32n4B4L4 |
g |
4 |
25m2R2g |
32n4B4L4 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源: 題型:
均勻?qū)Ь制成的正方形閉合線框abcd,每邊長為L,總電阻為R,總質(zhì)量為m.將其置于磁感強(qiáng)度為B的水平勻強(qiáng)磁場上方h處,如圖所示.線框由靜止自由下落,線框平面保持在豎直平面內(nèi),且cd邊始終與水平的磁場邊界平行.當(dāng)cd邊剛進(jìn)入磁場時(shí),
(1)求線框中產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢大小;
(2)求cd兩點(diǎn)間的電勢差大;
(3)若此時(shí)線框加速度恰好為零,求線框下落的高度h。
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科目:高中物理 來源:2011年北京市高三年級開學(xué)測試物理卷 題型:計(jì)算題
均勻?qū)Ь制成的正方形閉合線框,每邊長為,總電阻為,總質(zhì)量為。將其置于磁感強(qiáng)度為的水平勻強(qiáng)磁場上方處,如圖所示。線框由靜止自由下落,線框平面保持在豎直平面內(nèi),且邊始終與水平的磁場邊界平行。當(dāng)邊剛進(jìn)入磁場時(shí),求:
1.線框中產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢大;
2.兩點(diǎn)間的電勢差大。
3.若此時(shí)線框加速度恰好為零,求線框下落的高度所應(yīng)滿足的條件。
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科目:高中物理 來源:2012屆山西省高二第二學(xué)期期中考試物理試題 題型:計(jì)算題
均勻?qū)Ь制成的正方形閉合線框abcd,每邊長為L,總電阻為R,總質(zhì)量為m.將其置于磁感強(qiáng)度為B的水平勻強(qiáng)磁場上方h處,如圖所示.線框由靜止自由下落,線框平面保持在豎直平面內(nèi),且cd邊始終與水平的磁場邊界平行.當(dāng)cd邊剛進(jìn)入磁場時(shí),
(1)求線框中產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢大。
(2)求cd兩點(diǎn)間的電勢差大;
(3)若此時(shí)線框加速度恰好為零,求線框下落的高度h。
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