A. | 通過電阻R的電量為$\frac{RBS}{R+r}$ | |
B. | 通過電流表的最大電流為$\frac{\sqrt{2}BSω}{R+r}$ | |
C. | 電路消耗的總功率為$\frac{{B}^{2}{S}^{2}{ω}^{2}}{2(R+r)}$ | |
D. | 從圖示位置開始計時,R兩端電壓變化的規(guī)律為u=BSωcosωt |
分析 解本題的關(guān)鍵是理解描述交流電的“四值”即:有效值、瞬時值、平均值、最大值的物理意義和求法.求電功、電功率用有效值,求電量用平均值,氖管發(fā)光用的是瞬時值,電容器的擊穿電壓是指所加電壓的最大值.
解答 解:A、求流過電阻的電量要用平均值,根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律得:$\overline{E}=\frac{n△∅}{△t}$ ①由閉合電路歐姆定律得:$\overline{I}=\frac{\overline{E}}{R+r}$ ②則$q=\overline{I}△t$ ③△∅=BS④,①②③④聯(lián)立得:$q=\frac{BS}{R+r}$
故A錯誤;
B、產(chǎn)生交流電的電動勢有效值為:$E=\frac{{E}_{m}}{\sqrt{2}}=\frac{BSω}{\sqrt{2}}=\frac{\sqrt{2}BSω}{2}$,由閉合電路歐姆定律得:通過電流表的電流為$I=\frac{E}{R+r}=\frac{\sqrt{2}BSω}{2(R+r)}$,故B錯誤;
C、電路消耗的總功率為:$P={I}^{2}(R+r)=(\frac{\sqrt{2}BSω}{2(R+r)})^{2}(R+r)$=$\frac{{B}^{2}{S}^{2}{ω}^{2}}{2(R+r)}$,故C正確;
D、從圖示位置開始計時,R兩端電壓變化的規(guī)律為$u={U}_{m}cosωt=\frac{BSωR}{R+r}cosωt$,故D錯誤;
故選:C.
點評 本題考察了對描述交流電“四值”的理解,尤其是要明確有效值的含義以及何時用什么值.
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 4N | B. | 5N | C. | 2.5N | D. | 3N |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 在遠距離導(dǎo)引段,神舟八號應(yīng)在距天宮一號目標飛行器前下方某處 | |
B. | 在遠距離導(dǎo)引段,神舟八號應(yīng)在距天宮一號目標飛行器后下方某處 | |
C. | 在組合體飛行段,神舟八號與天宮一號繞地球作勻速圓周運動的速度小于7.9km/s | |
D. | 分離后,天宮一號變軌升高至飛行軌道運行時,其動能比在交會對接軌道時大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 分子間距離減小,分子勢能一定減小 | |
B. | 只要知道氣體的摩爾體積和阿伏加德羅常數(shù),就可以算出氣體分子的體積 | |
C. | 氣體的溫度升高,個別氣體分子運動的速率可能減小 | |
D. | 對一定質(zhì)量的理想氣體,在等溫變化時,內(nèi)能不改變,因而與外界不發(fā)生熱交換 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 在真空中N光的速度比M光的速度小 | |
B. | M光比N光更容易發(fā)生明顯的衍射現(xiàn)象 | |
C. | 如用M光照射某種金屬不發(fā)生光電效應(yīng),則用N光照射該金屬也不會發(fā)生光電效應(yīng) | |
D. | 若n=3的激發(fā)態(tài)的氫原子吸收M光后能躍遷到n=5的激發(fā)態(tài)上,則n=3的激發(fā)態(tài)的氫原子吸收N光后也能躍遷到n=5的激發(fā)態(tài)上 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 從小孔S進入磁場的質(zhì)子、氚核和α粒子速度大小一定相等 | |
B. | 從小孔S進入磁場的質(zhì)子、氚核和α粒子動能一定相等 | |
C. | 質(zhì)子、氚核和α粒子打到膠片上三個不同點,α粒子距離O點最近 | |
D. | 質(zhì)子、氚核和α粒子打到膠片上兩個不同點,質(zhì)子距離O點最近 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 若只增大m,物塊仍能滑到斜面頂端 | |
B. | 若增大h,保持v0,x不變,則物塊不能滑到斜面頂端,但上滑最大高度一定增大 | |
C. | 若增大x,保持v0,h不變,則物塊不能滑到斜面頂端,但滑行水平距離一定增大 | |
D. | 若再施加一個垂直斜面向下的恒力,其它條件不變,則物塊一定從斜面頂端滑出 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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