A. | 用軟紙輕擦磁卡 | B. | 用磁卡拍打桌面 | C. | 使磁卡遠(yuǎn)離熱源 | D. | 使磁卡遠(yuǎn)離磁體 |
分析 磁卡內(nèi)部的分子電流的排布按一定的規(guī)律進(jìn)行的,但在劇烈敲打時(shí),高溫,靠近磁體時(shí)分子電流的排布重新變的雜亂無(wú)章,磁卡所帶信息消失.
解答 解:A、磁卡內(nèi)部的分子電流的排布按一定的規(guī)律進(jìn)行的,但在劇烈敲打時(shí),分子電流的排布重新變的雜亂無(wú)章,每個(gè)分子電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)相互抵消,故對(duì)外不顯磁性,所帶信息消失,故需要用軟紙輕擦磁卡,故做法A是正確的.
B、磁卡內(nèi)部的分子電流的排布按一定的規(guī)律進(jìn)行的,但在劇烈敲打時(shí),分子電流的排布重新變的雜亂無(wú)章,每個(gè)分子電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)相互抵消,故對(duì)外不顯磁性,所帶信息消失,故不能用磁卡拍打桌面,即做法B是錯(cuò)誤的.
C、磁卡內(nèi)部的分子電流的排布按一定的規(guī)律進(jìn)行,故對(duì)外顯現(xiàn)磁性,但在高溫時(shí),分子電流的排布重新變的雜亂無(wú)章,每個(gè)分子電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)相互抵消,磁卡所帶信息消失,故應(yīng)使磁卡遠(yuǎn)離熱源,故C做法正確.
D、磁卡內(nèi)部的分子電流的排布按一定的規(guī)律進(jìn)行,故對(duì)外顯現(xiàn)一定的磁性,攜帶一定的信息,但當(dāng)磁卡靠近磁體時(shí)是由于受到磁場(chǎng)的作用力分子電流的排布發(fā)生改變,磁卡所帶信息消失,故做法D是正確的.
本題選錯(cuò)誤的做法,故選:B.
點(diǎn)評(píng) 掌握了安培的分子電流假說(shuō)的內(nèi)容即可順利解決此類題目,所以要加強(qiáng)對(duì)基本概念的學(xué)習(xí).
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 落地的時(shí)間不同 | B. | 落地時(shí)的速度不同 | ||
C. | 質(zhì)量較大的物體先落地 | D. | 下落過(guò)程中物體的加速度相同 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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A. | 一節(jié)干電池、0.6 A | B. | 一節(jié)干電池、3 A | ||
C. | 兩節(jié)干電池、0.6 A | D. | 兩節(jié)干電池、3 A |
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