(2011年紹興一中高三質(zhì)量檢測)如圖所示，用質(zhì)量為m、電阻為R的均勻?qū)Ь�做成邊長為l的單匝正方形線框MNPQ，線框每一邊的電阻都相等．將線框置于光滑絕緣的水平面上．在線框的右側(cè)存在豎直方向的有界勻強(qiáng)磁場，磁場邊界間的距離為2l，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.在垂直MN邊的水平拉力作用下，線框以垂直磁場邊界的速度v勻速穿過磁場．在運動過程中線框平面水平，且MN邊與磁場的邊界平行．求：

(1)線框MN邊剛進(jìn)入磁場時，線框中感應(yīng)電流的大�。�
(2)線框MN邊剛進(jìn)入磁場時，M、N兩點間的電壓UMN；
(3)在線框從MN邊剛進(jìn)入磁場到PQ邊剛穿出磁場的過程中，水平拉力對線框所做的功W.

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源：2011-2012學(xué)年浙江省高考物理總復(fù)習(xí)章節(jié)精練精析（第4章）（解析版） 題型：選擇題

 (2011年紹興一中質(zhì)檢)如圖所示，質(zhì)量相同的A、B兩質(zhì)點以相同的水平速度v拋出，A在豎直平面內(nèi)運動，落地點在P1；B在光滑的斜面上運動，落地點在P2，不計空氣阻力，則下列說法中正確的是(　　)

A．A、B的運動時間相同

B．A、B沿x軸方向的位移相同

C．A、B落地時的速度相同

D．A、B落地時的動能相同

 

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科目：高中物理 來源：2011-2012學(xué)年浙江省高考物理總復(fù)習(xí)章節(jié)精練精析第9章（解析版） 題型：計算題

(2011年紹興一中高三質(zhì)量檢測)如圖所示，用質(zhì)量為m、電阻為R的均勻?qū)Ь�做成邊長為l的單匝正方形線框MNPQ，線框每一邊的電阻都相等．將線框置于光滑絕緣的水平面上．在線框的右側(cè)存在豎直方向的有界勻強(qiáng)磁場，磁場邊界間的距離為2l，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.在垂直MN邊的水平拉力作用下，線框以垂直磁場邊界的速度v勻速穿過磁場．在運動過程中線框平面水平，且MN邊與磁場的邊界平行．求：

(1)線框MN邊剛進(jìn)入磁場時，線框中感應(yīng)電流的大小；

(2)線框MN邊剛進(jìn)入磁場時，M、N兩點間的電壓UMN；

 (3)在線框從MN邊剛進(jìn)入磁場到PQ邊剛穿出磁場的過程中，水平拉力對線框所做的功W.

 

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科目：高中物理 來源：2011-2012學(xué)年浙江省高考物理總復(fù)習(xí)章節(jié)精練精析第13章（解析版） 題型：選擇題

(2011年紹興一中檢測)我國最新一代核聚變裝置“EAST”在安徽合肥首次放電、顯示了EAST裝置具有良好的整體性能，使等離子體約束時間達(dá)1000 s，溫度超過1億度，標(biāo)志著我國磁約束核聚變研究進(jìn)入國際先進(jìn)水平．合肥也成為世界上第一個建成此類全超導(dǎo)非圓截面核聚變實驗裝置并能實際運行的地方．核聚變的主要原料是氘，在海水中含量極其豐富．已知氘核的質(zhì)量為m1，中子的質(zhì)量為m2，He的質(zhì)量為m3，質(zhì)子的質(zhì)量為m4，則下列說法中正確的是(　　)

A．兩個氘核聚變成一個He所產(chǎn)生的另一個粒子是質(zhì)子

B．兩個氘核聚變成一個He所產(chǎn)生的另一個粒子是中子

C．兩個氘核聚變成一個He所釋放的核能為(2m1－m3－m4)c2

D．與受控核聚變比較，現(xiàn)行的核反應(yīng)堆產(chǎn)生的廢物具有放射性

 

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科目：高中物理 來源：2011-2012學(xué)年浙江省高考物理總復(fù)習(xí)章節(jié)精練精析第10章（解析版） 題型：選擇題

(2011年紹興一中檢測)電阻為1 Ω的某矩形線圈在勻強(qiáng)磁場中繞垂直于磁場的軸勻速轉(zhuǎn)動時，所產(chǎn)生的正弦交流電的圖象如圖線a所示；當(dāng)調(diào)整線圈轉(zhuǎn)速后，該線圈中所產(chǎn)生的正弦交流電的圖象如圖線b所示，以下關(guān)于這兩個正弦交流電的說法正確的是(　　)

A．在圖中t＝0時刻穿過線圈的磁通量均為零

B．線圈先后兩次轉(zhuǎn)速之比為3∶2

C．交流電a的電動勢的有效值為5 V

D．交流電b的電動勢的最大值為5 V

 

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