A. | 全部粒子從I區(qū)域離開時的速度方向都相同 | |
B. | 全部粒子都能從II區(qū)域同一位置點飛離磁場 | |
C. | 全部粒子從A點進入磁場劍從II區(qū)域離開磁場過程中速度偏角都為180° | |
D. | 粒子從A點進入磁場到從II區(qū)域離開磁場過程運動時間最小值為$\frac{π}{KB}$ |
分析 先求粒子運動半徑,分析粒子在區(qū)域Ⅰ的運動狀態(tài),求得其轉(zhuǎn)過的中心角,進而得到出射速度;由區(qū)域Ⅰ的運動軌跡得到進入?yún)^(qū)域Ⅱ的位置,進而得到其運動軌跡,求得其轉(zhuǎn)過的中心角,即可求得出射位置即運動時間.
解答 解:粒子在磁場中做勻速圓周運動,洛倫茲力作向心力,則$Bvq=\frac{m{v}^{2}}{r}$,所以,$r=\frac{mv}{Bq}=\frac{KBR}{BK}=R$,粒子做圓周運動的周期$T=\frac{2πr}{v}=\frac{2πR}{KBR}=\frac{2π}{KB}$;
A、當0<α<90°時,如圖所示,A點和粒子在區(qū)域Ⅰ的出射點所在的四條半徑構成菱形,,
所以,粒子在區(qū)域Ⅰ轉(zhuǎn)過的中心角為180°-[90°+(90°-α)]=α,所以,粒子出射速度都是水平方向;
當α=90°時,如圖所示,,易得粒子轉(zhuǎn)過中心角90°,元水平方向離開磁場區(qū)域Ⅰ;
當90°<α<180°時,如圖所示,A點和粒子在區(qū)域Ⅰ的出射點所在的四條半徑構成菱形,
所以,粒子在區(qū)域Ⅰ轉(zhuǎn)過的中心角為180°-[α-(α-90°)-(α-90°)]=α,所以,粒子出射速度都是水平方向;
綜上所訴,全部粒子從I區(qū)域離開時的速度方向都是水平向右,故A正確;
BCD、當0<α<90°時,如圖所示,,由區(qū)域Ⅰ,Ⅱ圓半徑相同,粒子在兩區(qū)域之間做勻速直線運動,所以,粒子進入?yún)^(qū)域Ⅱ時,徑向與豎直方向的夾角為α,那么,粒子將在區(qū)域Ⅱ轉(zhuǎn)過中心角180°-α,然后從區(qū)域Ⅱ邊界的最高點離開磁場;
當α=90°時,易得粒子將在區(qū)域Ⅱ轉(zhuǎn)過中心角90°,然后從區(qū)域Ⅱ邊界的最高點離開磁場;
當90°<α<180°時,如圖所示,,由區(qū)域Ⅰ,Ⅱ圓半徑相同,粒子在兩區(qū)域之間做勻速直線運動,所以,粒子進入?yún)^(qū)域Ⅱ時,徑向與豎直方向的夾角為α,那么,粒子將在區(qū)域Ⅱ轉(zhuǎn)過中心角180°-α,然后從區(qū)域Ⅱ邊界的最高點離開磁場;
所以,粒子都能從II區(qū)域最高點飛離磁場,且全部粒子從A點進入磁場劍從II區(qū)域離開磁場過程中速度偏角都為180°,故BC正確;
所以,粒子從A點進入磁場到從II區(qū)域離開磁場過程運動時間$t=\frac{180°}{360°}T=\frac{1}{2}T=\frac{π}{KB}$,故D正確.
故選:ABCD.
點評 在帶電粒子在勻強磁場中的運動問題中,粒子運動軌跡的圓心在弦線的垂直平分線上,可據(jù)此將中心角與半徑聯(lián)系起來求解.
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 11 | B. | 12 | C. | 144 | D. | 121 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | a、b的動量大小之比為1:1 | B. | a、b的動能之比為127:4 | ||
C. | a、b的運動半徑之比為2:51 | D. | a、b的周期之比為1:1 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 它們的運行周期都是24小時 | B. | 它們的到地球表面的距離是確定的 | ||
C. | 它們都以7.9km/s做圓周運動 | D. | 它們做圓周運動的圓心是地心 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 4.0N,2cm | B. | 4.0N,4cm | C. | 2.0N,2cm | D. | 2.0N,4cm |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 拉力F一直增大 | B. | 拉力F先減小后增大 | ||
C. | 物塊對地面的壓力一直減小 | D. | 物塊對地面的壓力先減小后增大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 向心力是一種性質(zhì)力 | B. | 向心力與速度方向不一定始終垂直 | ||
C. | 向心力只能改變線速度的方向 | D. | 向心力只改變線速度的大小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 導體進入磁場過程中,導體框中電流的方向為MNPQ | |
B. | MP剛進入磁場時導體框中感應電流大小為$\frac{{\sqrt{2}Bav}}{R}$ | |
C. | MP剛進入磁場時導體框所受安培力為$\frac{{\sqrt{2}{B^2}{a^2}v}}{R}$ | |
D. | MP剛進入磁場時M、P兩端的電壓為$\frac{3Bav}{4}$ |
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