A. | d點的電場強度大小為$\frac{9Q+q}{9{R}^{2}}$,方向向右 | |
B. | d點的電場強度大小為$\frac{9Q-q}{9{R}^{2}}$,方向向左 | |
C. | 圓盤在d點產(chǎn)生的電場強度大小為k$\frac{Q}{{R}^{2}}$,方向向右 | |
D. | 圓盤在d點產(chǎn)生的電場強度大小為k$\frac{q}{{R}^{2}}$,方向向右 |
分析 由題意可知,半徑為R均勻分布著電荷量為Q的圓盤上電荷,與在a點處有一電荷量為q(q>0)的固定點電荷,在b點處的場強為零,說明各自電場強度大小相等,方向相反.那么在d點處場強的大小即為兩者之和.因此根據(jù)點電荷的電場強度計算公式即可求解.
解答 解:電荷量為q的點電荷在b處產(chǎn)生電場強度為E=$\frac{kq}{{R}^{2}}$,方向向右;
而半徑為R均勻分布著電荷量為Q的圓盤上電荷,與在a點處有一電荷量為q(q>0)的固定點電荷,在b點處的場強為零,
則圓盤在此處產(chǎn)生電場強度也為E=$\frac{kq}{{R}^{2}}$,方向向左;
那么圓盤在此d產(chǎn)生電場強度則仍為E=$\frac{kq}{{R}^{2}}$,方向向右;
而電荷量為q的點電荷在d處產(chǎn)生電場強度為E′=$\frac{kq}{(3R)^{2}}$,
由于都在d處產(chǎn)生電場強度方向相同,即為兩者大小相加.所以兩者這d處產(chǎn)生電場強度為$\frac{10kq}{9{R}^{2}}$,故ABC錯誤,D正確;
故選:D.
點評 考查點電荷與圓盤電荷在某處的電場強度疊加,緊扣電場強度的大小與方向關(guān)系,從而為解題奠定基礎(chǔ).
科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 兩顆衛(wèi)星的運行速度可能大于7.9km/s | |
B. | 兩顆衛(wèi)星內(nèi)的設(shè)備不受地球引力的作用 | |
C. | 衛(wèi)星G7可以定點在北京正上方 | |
D. | 衛(wèi)星“墨子”的向心加速度比衛(wèi)星G7大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 在d點和g點所受電場力大小相等、方向相同 | |
B. | 在h點和c點所受電場力大小相等、方向相同 | |
C. | 在d點和g點電勢能相等 | |
D. | 在h點和c點電勢能相等 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | γ射線是高速運動的電子流 | |
B. | ${\;}_{1}^{3}$H+${\;}_{1}^{2}$H→${\;}_{2}^{4}$He+${\;}_{0}^{1}$n是衰變 | |
C. | 太陽輻射的能量主要來源是太陽中發(fā)生的重核裂變 | |
D. | ${\;}_{83}^{210}$Bi的半衰期是5天,100g${\;}_{83}^{210}$Bi經(jīng)過10天后還剩下25g |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | P1>P2 | B. | P1<P2 | C. | P′1>P′2 | D. | P′1<P′2 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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