A. | t2是金屬框全部進(jìn)入磁場(chǎng)瞬間,t4是金屬框全部離開磁場(chǎng)瞬間 | |
B. | 金屬框全部進(jìn)入磁場(chǎng)過程中安培力的沖量大小為mv2-mv1 | |
C. | 金屬框穿出與進(jìn)入磁場(chǎng)過程中通過金屬框橫截面的電荷量相等 | |
D. | 金屬框穿過磁場(chǎng)過程中,產(chǎn)生的熱量Q=$\frac{1}{2}$mv22-$\frac{1}{2}$mv12+$\frac{1}{2}$mg(l+d) |
分析 根據(jù)速度時(shí)間圖象分析線框的運(yùn)動(dòng)情況;根據(jù)動(dòng)量定理分析B選項(xiàng);根據(jù)電荷量的經(jīng)驗(yàn)公式分析電荷量的大;根據(jù)能量守恒定律分析產(chǎn)生的熱量.
解答 解:根據(jù)速度圖象可知,在0~t1時(shí)間內(nèi)做勻加速直線運(yùn)動(dòng),說明此過程中還沒有進(jìn)入磁場(chǎng),t2是金屬框全部進(jìn)入磁場(chǎng)瞬間,t2時(shí)刻是完全進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)刻,t3時(shí)刻是cd邊剛出磁場(chǎng)時(shí)刻,t4是金屬框全部離開磁場(chǎng)瞬間,A正確;
B、根據(jù)動(dòng)量定理可知,金屬框全部進(jìn)入磁場(chǎng)過程中合外力(安培力和重力沿斜面向下的分力)的沖量大小為mv2-mv1,B錯(cuò)誤;
C、根據(jù)電荷量的經(jīng)驗(yàn)公式q=$\frac{△Φ}{R}=\frac{BS}{R}$可得,金屬框穿出與進(jìn)入磁場(chǎng)過程中通過金屬框橫截面的電荷量相等,C正確;
D、根據(jù)能量守恒定律可得,金屬框穿過磁場(chǎng)過程中,產(chǎn)生的熱量等于線框機(jī)械能的減少量,即Q=$\frac{1}{2}$mv22-$\frac{1}{2}$mv12+$\frac{1}{2}$mg(l+d),D正確.
故選:ACD.
點(diǎn)評(píng) 對(duì)于電磁感應(yīng)問題研究思路常常有兩條:一條從力的角度,重點(diǎn)是分析安培力作用下導(dǎo)體棒的平衡問題,根據(jù)平衡條件列出方程;另一條是能量,分析涉及電磁感應(yīng)現(xiàn)象中的能量轉(zhuǎn)化問題,根據(jù)動(dòng)能定理、功能關(guān)系等列方程求解.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 再過2s,該質(zhì)點(diǎn)的位移為正的最大值 | |
B. | 再過4s,該質(zhì)點(diǎn)瞬時(shí)速度為零 | |
C. | 再過6s,該質(zhì)點(diǎn)的加速度方向豎直向上 | |
D. | 振幅是±2cm |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 一定質(zhì)量的理想氣體在溫度不變時(shí),分子的密集程度增大,氣體的壓強(qiáng)就增大 | |
B. | 布朗運(yùn)動(dòng)表明,組成固體的小顆粒內(nèi)的分子不停地做無規(guī)則運(yùn)動(dòng) | |
C. | 兩分子間的距離增大,分子勢(shì)能一定減小 | |
D. | 晶體在熔化的過程中,溫度不變,內(nèi)能不斷增加 | |
E. | 一個(gè)熱力學(xué)系統(tǒng)的內(nèi)能增量等于外界向它傳遞的熱量與外界對(duì)它所做的功的和 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 小球與小車組成的系統(tǒng)機(jī)械能守恒 | |
B. | 小球、小車和滑塊組成的系統(tǒng)在水平方向動(dòng)量守恒 | |
C. | 小球運(yùn)動(dòng)至最低點(diǎn)時(shí),小車和滑塊分離 | |
D. | 小球一定能向左擺到釋放時(shí)的高度 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 3.0m/s | B. | 2.8m/s | C. | 2.4m/s | D. | 1.8m/s |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 輸電電壓提高一倍,線路損耗的電壓增大為原來的兩倍 | |
B. | 輸電電壓提高一倍,線路損耗的電壓減小為為原來的四分之一 | |
C. | 輸電電壓提高一倍,線路損耗的功率減小為為原來的四分之一 | |
D. | 輸電電壓提高一倍,線路損耗的功率減小為為原來的一半 |
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