如圖所示,在長為2L、寬為L的ABCD區(qū)域內(nèi)有一半的空間存在場強為E、方向平行于BC邊的勻強電場,現(xiàn)有一個質(zhì)量為m,電量為e的電子,以平行于AB邊的速度v0從區(qū)域的左上角A點射入該區(qū)域,不計電子所受的重力,則:

(1)當無電場的區(qū)域位于左側(cè)時(如圖甲),求電子射出ABCD區(qū)域時的動能;

(2)當無電場區(qū)域的左邊界距AD的距離為x時(如圖乙),要使這個電子能從區(qū)域的右下角的C點射出,電子的初速度v0應(yīng)滿足什么條件。

(1)電子先做勻速運動,進入電場后做類平拋運動,設(shè)電子恰好從C點射出電場。

電子在電場中運動的加速度a=

設(shè)電子在電場中的運動時間為t,則有

L=v0t

L=at2

解得:v0

①當v0≤時,電子從電場的下邊界射出電場

射出電場時的動能 Ek=mv+eEL

②v0>時,電子從電場的右邊界射出電場

射出電場時沿電場方向的位移 y=at2

射出電場時的動能 Ek=mv+eEy=mv+

(2)電子先做類平拋運動,接著做勻速直線運動,最后做類斜下拋運動。

設(shè)電子整個運動時間為t1,則有

2L=v0t1

L=a()2+a··

解得:v0


解析:

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如圖所示,在長為2L、寬為L的區(qū)域內(nèi)有正好一半空間有場強為E、方向平行于短邊的勻強電場,有一個質(zhì)量為m,電量為e的電子,以平行于長邊的速度v0從區(qū)域的左上角A點射入該區(qū)域,不計電子所受重力,要使這個電子能從區(qū)域的右下角的B點射出,求:
(1)無電場區(qū)域位于區(qū)域左側(cè)一半內(nèi)時,如圖甲所示,電子的初速應(yīng)滿足什么條件?
(2)無電場區(qū)域的左邊界離區(qū)域左邊的距離為x時,如圖乙所示,電子的初速又應(yīng)滿足什么條件.

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如圖所示,在長為2L、寬為L的區(qū)域內(nèi)有正好一半空間有場強為E、方向平行于短邊的勻強電場,無電場區(qū)域的左邊界離區(qū)域左邊的距離為x,現(xiàn)有一個質(zhì)量為m,電量為e的電子,以平行于長邊的速度v0從區(qū)域的左上角A點射入該區(qū)域,不計電子所受重力,要使這個電子能從區(qū)域的右下角的B點射出,如圖所示,電子的初速應(yīng)滿足什么條件.

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(2011?西湖區(qū)模擬)如圖所示,在長為2L、寬為L的ABCD區(qū)域內(nèi)有一半的空間存在場強為E、方向平行于BC邊的勻強電場,現(xiàn)有一個質(zhì)量為m,電量為e的電子,以平行于AB邊的速度v0從區(qū)域的左上角A點射入該區(qū)域,不計電子所受的重力,則:
(1)當無電場的區(qū)域位于左側(cè)時(如圖甲),求電子射出ABCD區(qū)域時的動能;
(2)當無電場區(qū)域的左邊界距AD的距離為x時(如圖乙),要使這個電子能從區(qū)域的右下角的C點射出,電子的初速度v0應(yīng)滿足什么條件.

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(1)無電場區(qū)域位于區(qū)域左側(cè)一半內(nèi)時,如圖甲所示,電子的初速度應(yīng)滿足什么條件;
(2)無電場區(qū)域的左邊界離區(qū)域左邊的距離為x時,如圖乙所示,電子的初速度又應(yīng)滿足什么條件。

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(1)無電場區(qū)域位于區(qū)域左側(cè)一半內(nèi)時,如圖甲所示,電子的初速度應(yīng)滿足什么條件;

(2)無電場區(qū)域的左邊界離區(qū)域左邊的距離為x時,如圖乙所示,電子的初速度又應(yīng)滿足什么條件。

 

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