A. | 感應(yīng)電流所做的功為mgd | B. | 感應(yīng)電流所做的功為2mgd | ||
C. | 線圈的最小速度可能為$\frac{mgR}{{{B^2}{L^2}}}$ | D. | 線圈的最小速度一定為$\sqrt{2g(h+L-d)}$ |
分析 線圈由靜止釋放,其下邊緣剛進(jìn)入磁場(chǎng)和剛穿出磁場(chǎng)時(shí)刻的速度是相同的,又因?yàn)榫圈全部進(jìn)入磁場(chǎng)不受安培力,要做勻加速運(yùn)動(dòng),線圈進(jìn)入磁場(chǎng)先要做減速運(yùn)動(dòng).
解答 解:A、B、根據(jù)能量守恒,研究從cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)到cd邊剛穿出磁場(chǎng)的過(guò)程:動(dòng)能變化量為0,重力勢(shì)能轉(zhuǎn)化為線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中產(chǎn)生的熱量,Q=mgd.
cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)速度為v0,cd邊剛離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)速度也為v0,所以從cd邊剛穿出磁場(chǎng)到ab邊離開(kāi)磁場(chǎng)的過(guò)程,線框產(chǎn)生的熱量與從cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)到ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程產(chǎn)生的熱量相等,所以線圈從cd邊進(jìn)入磁場(chǎng)到ab邊離開(kāi)磁場(chǎng)的過(guò)程,產(chǎn)生的熱量Q′=2mgd,感應(yīng)電流做的功為2mgd.故A錯(cuò)誤,B正確.
C、線框可能先做減速運(yùn)動(dòng),在完全進(jìn)入磁場(chǎng)前已做勻速運(yùn)動(dòng),剛完全進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度最小,則 mg=BIL=BL$\frac{BLv}{R}$,則最小速度為:v=$\frac{mgR}{{B}^{2}{L}^{2}}$.故C正確.
D、因?yàn)檫M(jìn)磁場(chǎng)時(shí)要減速,線圈全部進(jìn)入磁場(chǎng)后做勻加速運(yùn)動(dòng),則知線圈剛?cè)窟M(jìn)入磁場(chǎng)的瞬間速度最。O(shè)線圈的最小速度為vm.
線圈從開(kāi)始下落到線圈剛完全進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程,根據(jù)能量守恒定律得:mg(h+L)=Q+$\frac{1}{2}$mv${\;}_{m}^{2}$
由上可知,Q=mgd
解得線圈的最小速度為:vm=$\sqrt{2g(h+L-d)}$.故D正確.
故選:BCD
點(diǎn)評(píng) 解決本題的關(guān)鍵根據(jù)根據(jù)線圈下邊緣剛進(jìn)入磁場(chǎng)和剛穿出磁場(chǎng)時(shí)刻的速度都是v0,且全部進(jìn)入磁場(chǎng)將做加速運(yùn)動(dòng),判斷出線圈進(jìn)磁場(chǎng)后先做變減速運(yùn)動(dòng),也得出全部進(jìn)磁場(chǎng)時(shí)的速度是穿越磁場(chǎng)過(guò)程中的最小速度.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 在最低點(diǎn)比最高點(diǎn)大$\frac{2mv2}{R}$ | B. | 相等 | ||
C. | 在最低點(diǎn)比最高點(diǎn)大2mg | D. | 在最高點(diǎn)的壓力大些 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | $\frac{3}{2}$ $\sqrt{\frac{g}{R}}$ | B. | $\sqrt{\frac{3g}{R}}$ | C. | $\sqrt{\frac{g}{R}}$ | D. | $\frac{1}{2}$ $\sqrt{\frac{g}{R}}$ |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | A點(diǎn) | B. | B點(diǎn) | C. | O點(diǎn) | D. | 無(wú)法確定 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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