分析 (1)由動(dòng)能定理可求得粒子離開加速電場時(shí)的動(dòng)能;由平拋運(yùn)動(dòng)規(guī)律可求得粒子進(jìn)入磁場時(shí)的速度大小及方向,由牛頓第二定律可求出粒子在磁場中的半徑,由幾何關(guān)系可求得磁場的寬度;
(2)由平拋運(yùn)動(dòng)規(guī)律可求得帶電粒子在電場中的偏轉(zhuǎn)距離,由幾何關(guān)系可求得在磁場中的偏轉(zhuǎn)距離.
解答 解:(1)帶電粒子在電場中做類平拋運(yùn)動(dòng),在磁場中作圓周運(yùn)動(dòng),帶電粒子最終垂直地打在熒光屏上,
說明帶電粒子在電場中偏轉(zhuǎn)的角度與在磁場中偏轉(zhuǎn)的角度大小相等,方向相反,其軌跡如圖所示:
帶電粒子在加速電場中加速,由動(dòng)能定理得:qU=$\frac{1}{2}$mv02-0,
帶電粒子在偏轉(zhuǎn)電場中做類平拋運(yùn)動(dòng),設(shè)偏轉(zhuǎn)角為θ,
則tanθ=$\frac{{v}_{y}}{{v}_{0}}$,vy=at,a=$\frac{qE}{m}$,t=$\frac2y6ouo2{{v}_{0}}$,
解得:θ=45°,豎直速度與水平速度大小相等,帶電粒子離開偏轉(zhuǎn)電場速度為v=$\sqrt{2}$v0,
設(shè)帶電粒子在磁場中偏轉(zhuǎn)的半徑為R,由牛頓第二定律得:qvB=m$\frac{{v}^{2}}{R}$,
解得:R=$\frac{\sqrt{2}m{v}_{0}^{2}}{qE}$,
又U=$\frac{1}{2}$Ed,代入解得:R=$\sqrt{2}$d,帶電粒子在偏轉(zhuǎn)電場中的偏轉(zhuǎn)角與在磁場中的偏轉(zhuǎn)相等,
才能垂直打在熒光屏上,由圖可知,磁場寬度L=Rsinθ=d;
(2)帶電粒子在磁場中的半徑為R=$\sqrt{2}$d,
帶電粒子在偏轉(zhuǎn)電場中增加的動(dòng)能與在加速度電場中獲得的動(dòng)能相同,
設(shè)帶電粒子在偏轉(zhuǎn)電場中的偏轉(zhuǎn)距離為:△y1=$\frac{1}{2}$$\frac{qE}{m}$($\fracaqk0kqm{{v}_{0}}$)2,.
得:△y1=0.5d,
在磁場中偏轉(zhuǎn)距離為△y2,△y2=R(1-cosθ),
解得:△y2=0.414d,
答:(1)磁場的寬度L為d;
(2)帶電粒子在電場和磁場中垂直于v0方向的偏轉(zhuǎn)距離分別是0.5d、0.414d.
點(diǎn)評 本題是帶電粒子在組合場中運(yùn)動(dòng)的問題,粒子在電場做類平拋運(yùn)動(dòng),運(yùn)用運(yùn)動(dòng)的合成與分解方法處理,在磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),關(guān)鍵是畫軌跡.
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 乙車比甲車運(yùn)動(dòng)快 | B. | 乙車向西運(yùn)動(dòng),甲車向東運(yùn)動(dòng) | ||
C. | 甲車向西運(yùn)動(dòng),乙車向東運(yùn)動(dòng) | D. | 甲、乙兩車都向西運(yùn)動(dòng) |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | A一直受兩個(gè)力作用 | B. | A一直受三個(gè)力作用 | ||
C. | B對A的支持力大于A的重力 | D. | B對A的支持力小于A的重力 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | F1<F2<F3 | B. | F1=F3>F2 | ||
C. | 繩a的拉力先減小后增大 | D. | 繩a的拉力一直減小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 2s末物體返回出發(fā)點(diǎn) | |
B. | 4s末物體運(yùn)動(dòng)方向改變 | |
C. | 3s末與5s末的速度大小相等,方向相同 | |
D. | 第2s時(shí)的加速度與第6s時(shí)的加速度大小相等方向相反 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 若僅將C的電荷量減為原來的一半,a可能增為原來的兩倍 | |
B. | 若僅將C的電荷量減為原來的一半,a可能減為原來的一半 | |
C. | 若僅將A、C間的距離增為原來的一倍,a將減為原來的一半 | |
D. | 若僅將A、C間的距離減為原來的一半,a將增為原來的兩倍 |
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