分析 (1)帶電粒子在磁場中運動的半徑不變,隨入射速度方向的變化,運動軌跡的位置發(fā)生改變,覆蓋AB圓弧的運動軌跡為2,根據(jù)幾何關(guān)系可求圓形磁場區(qū)域的半徑R;
(2)帶電粒子在磁場中運動的半徑不變,速率不變,弧長越長,時間越大,所以粒子在磁場中運動的最大時間為圖一中軌跡1所對應(yīng)的時間;
(3)帶電粒子在磁場中運動的半徑不變,隨入射速度方向的變化,運動軌跡的位置發(fā)生改變,粒子所能到達的面積如圖二中陰影部分;
(4)電場線的方向沿AB方向時,電場力做功最多,末動能最大,依據(jù)動能定理,即可求解.
解答 解:(1)當(dāng)軌道半徑小于或等于磁場區(qū)半徑時,粒子射出圓形磁場的點離入射點最遠距離為軌跡直徑.如圖一所示,當(dāng)粒子從$\frac{1}{3}$圓周射出磁場時,粒子在磁場中運動的軌道直徑為AB,粒子都從圓弧AB之間射出,
根據(jù)幾何關(guān)系軌道半徑:r1=Rcos30°,r1=$\frac{\sqrt{3}}{2}$R ①
粒子在磁場中做圓周運動:qvB=m$\frac{{v}^{2}}{{r}_{1}}$,r1=$\frac{mv}{qB}$ ②
有①②解得:R=$\frac{2\sqrt{3}mv}{3qB}$
(2)帶電粒子在磁場中運動的半徑不變,速率不變,弧長越長,時間越大,所以粒子在磁場中運動的最大時間為圖一中軌跡1所對應(yīng)的時間最大
t=T=$\frac{2π{r}_{1}}{v}$=$\frac{2πm}{qB}$
(3)以A點為圓心AB為半徑畫圓弧交圓弧1與D點交圓弧2與B點,粒子所能到達的圓形磁場區(qū)域內(nèi)的面積為圖中陰影部分的面積;
(4)從B點離開時粒子動能最大,可見粒子從A點運動到B點時電場力做正功最多,那么B點所在的等勢線是圓形區(qū)域在B點的切線,而電場線與等勢線垂直,則當(dāng)粒子帶正電時,電場線沿OB方向,當(dāng)粒子帶負電時,電場線沿BO方向,但并不影響計算結(jié)果;
因此從A點運動到B點,電場力做功W=qE(R+Rcos60°)=$\frac{3}{2}$qER,
由動能定理,最大動能Ekm=$\frac{1}{2}$mv2+$\frac{3}{2}$qER=$\frac{1}{2}$mv2+$\frac{\sqrt{3}mvE}{B}$
答:(1)圓形磁場區(qū)域的半徑R=$\frac{2\sqrt{3}mv}{3qB}$;
(2)粒子在磁場中運動的最大時間為$\frac{2πm}{qB}$;
(3)粒子所能到達的圓形磁場區(qū)域內(nèi)的面積見圖二;
(4)粒子從B點離開時最大動能為$\frac{1}{2}$mv2+$\frac{\sqrt{3}mvE}{B}$.
點評 本題主要考查了帶電粒子在磁場中運動的問題,要求同學(xué)們能正確計算粒子運動半徑,再通過入射速度方向的變化分析粒子運動軌跡的變化,運用所學(xué)的幾何知識可解決前三個問題,最后一問為動能定理的應(yīng)用,總體上難度適中.
科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 電流表A的示數(shù)變小,電壓表V1的示數(shù)變大 | |
B. | 電壓表V1、V2的示數(shù)都變小 | |
C. | |△U1|=|△U2| | |
D. | |△U1|<|△U2| |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 氣體壓強變小 | B. | 氣體吸收熱量 | C. | 氣體內(nèi)能減少 | D. | 氣體內(nèi)能增加 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 壓強增大,溫度升高 | B. | 壓強增大,溫度降低 | ||
C. | 壓強減小,溫度升高 | D. | 壓強減小,溫度降低 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 上升最大高度20m | B. | 位移大小為40m | ||
C. | 速度改變量的方向向下 | D. | 平均速度為零 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 若電量為q的帶電粒子在勻強電場中所受的電場力為F,則場強一定為E=$\frac{F}{q}$ | |
B. | 若勻強電場中A、B兩點間的距離為d,兩點間電勢差為U,則場強一定為E=$\frac{U}ecg4yhl$ | |
C. | 將長度為L、電流強度為I的通電直導(dǎo)線放在磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場中,則導(dǎo)線所受的安培力可能為F=BIL | |
D. | 將面積為S的矩形線框,放在磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場中,通過線框的磁通量一定為φ=BS |
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