分析 ①對(duì)于儀器的選擇,要根據(jù)實(shí)驗(yàn)原理,結(jié)合題目中數(shù)據(jù)并根據(jù)實(shí)驗(yàn)原理通過(guò)計(jì)算來(lái)確定.
②由半偏法測(cè)電阻實(shí)驗(yàn)原理知,當(dāng)調(diào)節(jié)電阻箱,使電流表半偏時(shí),由于干路電流幾乎未變,電阻箱與電流計(jì)中的電流相等,電阻必然相等.故半偏時(shí)R1的阻值等于rg.
實(shí)際上電阻箱R1并入后,電路的總電阻減小了,干路電流增大了,電流計(jì)半偏時(shí),流過(guò)電阻箱的電流大于流過(guò)電流計(jì)的電流,電阻箱接入的電阻小于電流計(jì)的電阻.所以,該測(cè)量值“略小于”表頭內(nèi)阻實(shí)際值.
③改裝為電壓表需串聯(lián)一個(gè)電阻,串聯(lián)電阻(分壓電阻)阻值R可由IgRg+IgR=U來(lái)計(jì)算,其中U為改裝后電壓表的滿篇電壓(量程),該題中U=4V.
解答 解:①由于測(cè)量電路要讓電流計(jì)達(dá)到滿偏,則要選電源B,故選:B;
由實(shí)驗(yàn)原理知R1應(yīng)能讀出具體數(shù)值,故選:C;
閉合S2,電路中電流I不能大于200μA,由I=$\frac{E}{{R}_{2}+{R}_{0}}$
知R2=$\frac{E}{I}$-R0,代入數(shù)據(jù)得:R2≈30KΩ,故選:F;
②當(dāng)調(diào)節(jié)電阻箱,使電流表半偏時(shí),由于干路電流幾乎未變,電阻箱與電流計(jì)中的電流相等,電阻必然相等.如果所得的R1的阻值為300.0Ω,則圖中被測(cè)電流計(jì)G的內(nèi)阻rg的測(cè)量值為300.0Ω.
實(shí)際上電阻箱并入后的,電路的總電阻減小了,干路電流增大了,電流計(jì)半偏時(shí),流過(guò)電阻箱的電流大于流過(guò)電流計(jì)的電流,電阻箱接入的電阻小于電流計(jì)的電阻.所以,該測(cè)量值“略小于”實(shí)際值.
③將電流計(jì)改裝成電壓表,應(yīng)串連接入一分壓電阻R,由歐姆定律及串聯(lián)電路分壓規(guī)律有:U=IgRg+IgR其中U為改裝后電壓表的滿偏電壓,
則R=$\frac{U}{{I}_{g}}$-Rg代入數(shù)據(jù)解得:R=19.7kΩ.
故答案為:①BCF ②300;略小于;③串19.7
點(diǎn)評(píng) 本題考查電壓表的改裝及半偏法測(cè)電阻的實(shí)驗(yàn);該題難度較大,需掌握半偏法測(cè)電阻的方法,電表改裝原理及誤差分析等內(nèi)容才能解答次題.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 如外電壓增大,則內(nèi)電壓增大,電源電動(dòng)勢(shì)也會(huì)隨之增大 | |
B. | 電路中并聯(lián)的用電器增加時(shí),路端電壓一定增大 | |
C. | 把伏特表直接和電源連接時(shí),伏特表的示數(shù)總小于電源電動(dòng)勢(shì) | |
D. | 如外電壓增大,則內(nèi)電壓減小,電源的電動(dòng)勢(shì)始終為二者之和,保持恒量 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 平均加速度大小只有一個(gè)值 | |
B. | 平均加速度大小有多個(gè)值,各個(gè)值難以確定 | |
C. | 速度的變化量可能小于初速度 | |
D. | 速度的變化量可能大于末速度 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 一只電容器充電荷量越大,電容就越大 | |
B. | 對(duì)于固定電容器,它所充電荷量跟它兩極板間所加電壓的比值保持不變 | |
C. | 電容器的電容跟電荷量成正比,跟加在兩極間的電壓成反比 | |
D. | 如果一個(gè)電容器沒(méi)有電壓,就沒(méi)有充電荷量,也就沒(méi)有電容 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 物體的速度變化率越大,則加速度就越大 | |
B. | 由a=$\frac{△v}{△t}$可得:物體的加速度跟速度的變化△v成正比,跟所用時(shí)間△t成反比 | |
C. | 由a=$\frac{\sum F}{m}$可得:物體的加速度跟物體所受合力成正比,跟物體質(zhì)量成反比 | |
D. | 物體加速度方向一定與△v的方向相同,也一定與合力方向相同 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | t1時(shí)刻棒PQ中無(wú)感應(yīng)電流 | |
B. | t1時(shí)刻棒PQ不受安培力 | |
C. | 在0~2t1內(nèi),通過(guò)棒PQ的電荷量為$\frac{{2{B_0}S}}{R}$ | |
D. | 在0~2t1內(nèi),棒PQ所產(chǎn)生的焦耳熱為2$\frac{{B_0^2{S^2}}}{{R{t_1}}}$ |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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