【題目】（1）在“研究平拋物體的運動”實驗中，固定斜槽時應(yīng)該使斜槽末端的切線水平，怎樣判斷斜槽末端的切線是否水平？_______；

（2）如圖所示，為“研究平拋物體的運動”實驗中一小球做平拋運動的閃光照片的一部分，圖中方格的邊長均為5cm，如果取g=10m/s2，那么：

①照相機的閃光周期是____s；

②小球作平拋運動的初速度大小是_____m/s；

③小球經(jīng)過B點時的豎直速度大小是____m/s。

【答案】讓小球放在斜槽的末端，看小球是否滾動判斷斜槽是否水平 0.1 1.5 2.0

【解析】

(1)[1]讓小球放在斜槽的末端，看小球是否滾動判斷斜槽是否水平；

(2)[2]在豎直方向上，根據(jù)

得

[3]小球平拋運動的初速度

[4]B點的豎直分速度

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，在x軸相距為L的兩點固定兩個等量異種點電荷+Q、-Q，虛線是以+Q所在點為圓心、L/2為半徑的圓，a、b、c、d是圓上的四個點，其中a、c兩點在x軸上，b、d兩點關(guān)于x軸對稱。下列判斷正確的是（ ）

A. b、d兩點處的電勢相同

B. 四點中c點處的電勢最低

C. b、d兩點處的電場強度相同

D. 將一試探電荷+q沿圓周由a點移至c點，+q的電勢能減小

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，虛線a、b、c代表電場中的三個等勢面，相鄰等勢面之間的電勢差相等，即Uab=Ubc，實線為一帶正電的質(zhì)點僅在電場力作用下通過該區(qū)域時的運動軌跡，P、Q 是這條軌跡上的兩點，據(jù)此可知（　　）

A. 三個等勢面中，a的電勢最高

B. 帶電質(zhì)點通過P點時電勢能較大

C. 帶電質(zhì)點通過P點時的動能較大

D. 帶電質(zhì)點通過P點時的加速度較小

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】用電壓表和電流表測定一節(jié)干電池的電動勢和內(nèi)電阻。實驗中要求盡量減小實驗誤差：

①應(yīng)選擇的實驗電路是圖2中的___（選填“甲”或“乙”）；

②選定合適的電路后進行實驗，將記錄的6組數(shù)據(jù)描在圖的坐標紙上，請在圖中畫出U—I圖線____；

根據(jù)所畫圖線，可得電池的內(nèi)電阻r=___Ω（保留兩位有效數(shù)字）；

③實驗中，隨著滑動變阻器滑片的移動，電壓表的示數(shù)U及干電池的輸出功率P都會發(fā)生變化，圖中能反映“P-U”關(guān)系的是___。

A. B. C. D.

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，物體P用兩根長度相等不可伸長的細線系于豎直桿上，它們隨桿轉(zhuǎn)動，若轉(zhuǎn)動角速度為ω，則下列說法錯誤的是

A．ω只有超過某一值時，繩子AP才有拉力

B．線BP的拉力隨ω的增大而增大

C．線BP的拉力一定大于線AP的拉力

D．當ω增大到一定程度時，線AP的拉力將大于BP的拉力

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】圖甲是中國很多家庭都有的團圓桌，餐桌上放一半徑為r=1m可繞中心軸轉(zhuǎn)動的圓盤，近似認為餐桌與圓盤在同一水平面內(nèi)，忽略兩者之間的間隙，如圖乙．餐桌離地高度為h=0.8m，將某小物體放置在圓盤邊緣，緩慢增大圓盤的速度，當圓盤的角速度為2rad/s時，物體剛好從圓盤上甩出．假設(shè)小物體與餐桌間的摩擦力忽略不計，小物體與圓盤之間的最大靜摩擦力等于滑動摩擦力．（g取10m/s2）

（1）該物體與圓盤的動摩擦因數(shù)μ為多大？

（2）求物體落到地面上的位置到從餐桌甩出點的水平距離L為多少？

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】圖甲是“研究平拋物體的運動”實驗裝置圖。

(1)在實驗前應(yīng)________。

A．將斜槽的末端切線調(diào)成水平

B．將木板校準到豎直方向，并使木板平面與小球下落的豎直平面平行

C．在白紙上記錄斜槽末端槽口的位置O，作為小球做平拋運動的起點和所建坐標系的原點

D．測出平拋小球的質(zhì)量

(2)圖乙是正確實驗取得的數(shù)據(jù)，其中O為拋出點，則此小球作平拋運動的初速度為________m/s；

(3)在另一次實驗中將白紙換成方格紙，每小格的邊長L=5cm，通過實驗，記錄了小球在運動途中的三個位置，如圖丙所示，則該小球做平拋運動的初速度為________m/s。（g取10m/s2）

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】“電子眼”又稱“電子警察”，是“智能交通違章監(jiān)攝管理系統(tǒng)”的俗稱。某種“電子眼”采用硅光電池供電，其原理如圖所示，a、b是硅光電池的兩個電極，P、N是兩塊硅半導(dǎo)體，E區(qū)是兩塊半導(dǎo)體自發(fā)形成的勻強電場區(qū)，P的上表面鍍有一層增透膜，光照射到半導(dǎo)體P上，使P內(nèi)受束縛的電子成為自由電子（不計重力），自由電子經(jīng)E區(qū)勻強電場從P區(qū)向N區(qū)的電場力作用后到達半導(dǎo)體N，從而產(chǎn)生電動勢，形成電流。下列說法正確的是

A. b電極為硅光電池的正極

B. E區(qū)勻強電場的電場強度方向由N指向P

C. 硅光電池內(nèi)部的電流方向由P指向N

D. 若將硅光電池移至光照較強處，則其產(chǎn)生的電動勢變小

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，x軸與水平傳送帶重合，坐標原點O在傳動帶的左端，傳送帶右端A點坐標為XA=8m，勻速運動的速度V0=5m/s，一質(zhì)量m=1kg的小物塊，輕輕放在傳送帶上OA的中點位置，小物塊隨傳動帶運動到A點后，沖上光滑斜面且剛好能夠到達N點處無機械能損失，小物塊與傳送帶間的動摩擦因數(shù)μ=0.5，斜面上M點為AN的中點，重力加速度g=10m/s2。則下列說法正確的是（ ）

A.N點縱坐標為yN=1.25m

B.小物塊第一次沖上斜面前，在傳送帶上運動產(chǎn)生的熱量為12.5J

C.小物塊第二次沖上斜面，剛好能夠到達M點

D.在x=2m位置釋放小物塊，小物塊可以滑動到N點上方

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