A. | 導(dǎo)體表面電荷分布均勻區(qū) | B. | A處電荷分布最疏 | ||
C. | C處幾乎沒有電荷 | D. | B處電荷分布最疏 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 10 s | B. | 15 s | C. | 20 s | D. | 30 s |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 原、副線圈中的電流之比為5:1 | |
B. | 電壓表的讀數(shù)約為31.11V | |
C. | 若滑動(dòng)變阻器接入電路的阻值為20Ω,則1分鐘內(nèi)產(chǎn)生的熱量約為2.9×103J | |
D. | 若將滑動(dòng)變阻器的滑片向上滑動(dòng),則兩電表讀數(shù)均減小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 公式E=$\frac{F}{q}$只適用于真空中點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場 | |
B. | 由公式E=$\frac{F}{q}$ 可知,電場中某點(diǎn)的電場強(qiáng)度E與試探電荷q在電場中該點(diǎn)所受的電場力成正比 | |
C. | 在公式F=k$\frac{{Q}_{1}{Q}_{2}}{{r}^{2}}$ 中,k$\frac{{Q}_{2}}{{r}^{2}}$ 是點(diǎn)電荷Q2 產(chǎn)生的電場在點(diǎn)電荷Q1處的場強(qiáng)大小;而k$\frac{{Q}_{1}}{{r}^{2}}$ 是點(diǎn)電荷Q 1 產(chǎn)生的電場在點(diǎn)電荷Q2處場強(qiáng)的大小 | |
D. | 由公式E=k$\frac{Q}{{r}^{2}}$ 可知,在離點(diǎn)電荷非常近的地方(r→0),電場強(qiáng)度E可達(dá)無窮大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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