有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,區(qū)域的上下邊界MM'、NN'與水平面平行,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向如圖所示,磁場(chǎng)上下邊界的距離為H。一矩形線(xiàn)圈abcd位于豎直平面內(nèi),其質(zhì)量為m,電阻為R,ab邊長(zhǎng)L1,bd邊長(zhǎng)L2,且L2<H,F(xiàn)令線(xiàn)框從離磁場(chǎng)區(qū)域上邊界MM'的距離為h處自由下落, 當(dāng)cd邊已進(jìn)入磁場(chǎng),ab邊還未進(jìn)入磁場(chǎng)的某一時(shí)刻,線(xiàn)框的速度已到達(dá)其完全進(jìn)入磁場(chǎng)前的最大值,線(xiàn)框下落過(guò)程中cd邊始終與磁場(chǎng)邊界平行。試求:
(1)線(xiàn)框完全進(jìn)入磁場(chǎng)前速度的最大值;
(2)從線(xiàn)框開(kāi)始下落到cd邊剛剛到達(dá)磁場(chǎng)區(qū)域下邊界NN'的過(guò)程中,磁場(chǎng)作用于線(xiàn)框的安培力所做的功;
(3)線(xiàn)框cd邊剛穿出磁場(chǎng)區(qū)域下邊界NN'時(shí)線(xiàn)框的加速度。
解:(1)設(shè)速度大小為v1,此時(shí)線(xiàn)框的重力和線(xiàn)框ab邊受到的安培力平衡,令此時(shí)線(xiàn)框中的電流強(qiáng)度為I1,應(yīng)有BI1L1=mg(2分),(2分),故(2分)
(2)設(shè)線(xiàn)框達(dá)到速度v1時(shí),cd邊進(jìn)入磁場(chǎng)的深度為h1,從下落到此時(shí)安培力對(duì)線(xiàn)框做功為W1。對(duì)于線(xiàn)框由動(dòng)能定理,得…①(1分)
線(xiàn)框從有速度v1到完全進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線(xiàn)框作勻速運(yùn)動(dòng),此過(guò)程中安培力對(duì)線(xiàn)框做功W2,由動(dòng)能定理有mg(L2-h1)+W2=0…②(1分),
從線(xiàn)框完全進(jìn)入磁場(chǎng)到cd邊剛到磁場(chǎng)區(qū)域下邊界NN'的過(guò)程中,線(xiàn)框中無(wú)電流,故此過(guò)程中安培力對(duì)線(xiàn)框所做的功為零(1分),所以整個(gè)過(guò)程中磁場(chǎng)作用于線(xiàn)框的安培力所做的總功為W安=W1+W2 … ③,由①、②、③式
可得,W安= …④(1分)
(3)設(shè)線(xiàn)框的cd邊剛剛穿出磁場(chǎng)區(qū)域下邊界NN'時(shí)線(xiàn)框的速度v2,則從線(xiàn)框剛下落到cd邊穿出磁場(chǎng)的整個(gè)過(guò)程中,由動(dòng)能定理,可得mg(h+H)+W安=…⑤(1分),
由④、⑤式解得 … ⑥(1分)
線(xiàn)框的cd邊剛出磁場(chǎng)時(shí)只有ab邊切割磁感線(xiàn),使線(xiàn)框中產(chǎn)生感應(yīng)電流,導(dǎo)致ab邊受到向上的安培力,設(shè)此時(shí)線(xiàn)框的加速度為a,且設(shè)向下的方向?yàn)檎较颍瑒t由電磁感應(yīng)定律及牛頓第二定律,有…⑦(1分)
由 ⑥、⑦式可解得<0
所以所求加速度大小 (1分),方向豎直向上。
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
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科目:高中物理 來(lái)源:2012屆度廣東省揭陽(yáng)市高三學(xué)業(yè)水平考試物理卷 題型:選擇題
邊長(zhǎng)為h的正方形金屬導(dǎo)線(xiàn)框,從圖所示的初始位置由靜止開(kāi)始下落,通過(guò)一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,磁場(chǎng)方向垂直于線(xiàn)框平面,磁場(chǎng)區(qū)寬度等于H,H>h。從線(xiàn)框開(kāi)始下落到完全穿過(guò)磁場(chǎng)區(qū)的整個(gè)過(guò)程中
A.線(xiàn)框中總是有感應(yīng)電流存在
B.線(xiàn)框受到的磁場(chǎng)力的合力的方向有時(shí)向上,有時(shí)向下
C.線(xiàn)框運(yùn)動(dòng)的方向始終是向下的
D.線(xiàn)框速度的大小不一定總是在增加
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