（2012?上海）圖a為測(cè)量分子速率分布的裝置示意圖．圓筒繞其中心勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，側(cè)面開(kāi)有狹縫N，內(nèi)側(cè)貼有記錄薄膜，M為正對(duì)狹縫的位置．從原子爐R中射出的銀原子蒸汽穿過(guò)屏上的S縫后進(jìn)入狹縫N，在圓筒轉(zhuǎn)動(dòng)半個(gè)周期的時(shí)間內(nèi)相繼到達(dá)并沉積在薄膜上．展開(kāi)的薄膜如圖b所示，NP，PQ間距相等．則（　　）
分析：銀原子向右勻速運(yùn)動(dòng)的同時(shí)，圓筒勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，兩個(gè)運(yùn)動(dòng)相互獨(dú)立，同時(shí)進(jìn)行．
解答：解：A、B、從原子爐R中射出的銀原子向右做勻速直線運(yùn)動(dòng)，同時(shí)圓筒勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，在轉(zhuǎn)動(dòng)半圈的過(guò)程中，銀原子依次全部到達(dá)最右端并打到記錄薄膜上，形成了薄膜圖象；
從圖象可以看出，打在薄膜上M點(diǎn)附近的銀原子先到達(dá)最右端，所以速率較大，故A正確，B錯(cuò)誤；
C、D、從薄膜圖的疏密程度可以看出，打到薄膜上PQ區(qū)間的分子百分率大于位于NP區(qū)間的分子百分率，故C正確．
故選AC．
點(diǎn)評(píng)：本題考查圓周運(yùn)動(dòng)和統(tǒng)計(jì)規(guī)律，難度中等，本題物理情景比較新；無(wú)需考慮粒子的波動(dòng)性．
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（2012?上海）質(zhì)點(diǎn)做直線運(yùn)動(dòng)，其s-t關(guān)系如圖所示，質(zhì)點(diǎn)在0-20s內(nèi)的平均速度大小為
0.8
0.8
m/s質(zhì)點(diǎn)在
10s、14s
10s、14s
時(shí)的瞬時(shí)速度等于它在6-20s內(nèi)的平均速度．

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（1）若氣體溫度升高，為使瓶?jī)?nèi)氣體的壓強(qiáng)不變，應(yīng)將C管
向下
向下
（填“向上”或“向下”）移動(dòng)，直至
B、C兩管水銀面等高
B、C兩管水銀面等高
．
（2）實(shí)驗(yàn)中多次改變氣體溫度，用△t表示氣體升高的溫度，用△h表示B管內(nèi)水銀面高度的改變量．根據(jù)測(cè)量數(shù)據(jù)作出的圖線（如圖2）是
A
A
．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2012?上海模擬）如圖所示，a、b、c分別是一定質(zhì)量的理想氣體的三個(gè)狀態(tài)點(diǎn)，設(shè)a、b、c狀態(tài)的氣體密度和內(nèi)能分別為ρa、ρb、ρc及Ea、Eb、Ec，則下列關(guān)系中正確的是（　　）

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