分析 設(shè)出深度h,由液體中的壓強(qiáng)的公式求出水下的小氣泡的壓強(qiáng),表示出各個(gè)狀態(tài)的參量,然后由理想氣體狀態(tài)方程求出深度.
解答 解:設(shè)深度為h,水下小氣泡的壓強(qiáng):P=ρgh+P0,體積:V1=$\frac{4}{3}π\(zhòng)frac{pprfj15^{3}}{{2}^{3}}$
到達(dá)水面時(shí)的體積:V2=$\frac{4}{3}πh35rlvr^{3}$,P2=P0,
則:V2=8V1
由玻意耳定律:PV1=P0V2
聯(lián)立以上方程,并代入數(shù)據(jù)得:(1×103×10h+1.9×102)v1=1.9×102×8v1
解得:h=0.133m
故答案為:0.133
點(diǎn)評(píng) 本題考查了求氣體壓強(qiáng),根據(jù)題意確定氣體的初末狀態(tài),求出氣體的初末狀態(tài)參量,應(yīng)用液體中的壓強(qiáng)的公式與玻意耳定律即可正確解題.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 電阻R消耗的功率為1.6W | B. | 電阻R消耗的功率為6.4W | ||
C. | 電流表內(nèi)阻為10Ω | D. | 分流電阻為5Ω |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 0.8F | B. | 0.6F | C. | μ(mg+0.6F) | D. | μmg |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
s/m | F/N | v/m•s-1 |
0.30 | 1.00 | 0.00 |
0.31 | 0.99 | 0.31 |
0.32 | 0.95 | 0.44 |
0.35 | 0.91 | 0.67 |
0.40 | 0.81 | 0.93 |
0.45 | 0.74 | 1.10 |
0.52 | 0.60 | 1.30 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | a、b兩球同時(shí)到達(dá)O點(diǎn) | |
B. | a、b兩球到達(dá)O點(diǎn)時(shí)速度大小相等 | |
C. | 從開(kāi)始運(yùn)動(dòng)到O點(diǎn),a球重力勢(shì)能減少是b球重力勢(shì)能減少的4倍 | |
D. | a、b兩球到達(dá)O點(diǎn)時(shí),a球重力的功率是b球重力功率的2倍 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 導(dǎo)線框進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),感應(yīng)電流方向?yàn)閍→b→c→d→a | |
B. | 導(dǎo)線框離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí),感應(yīng)電流方向?yàn)閍→d→c→b→a | |
C. | 導(dǎo)線框離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí),受到的安培力方向水平向左 | |
D. | 導(dǎo)線框進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),受到的安培力方向水平向右 |
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