如圖所示。一電場(chǎng)的電場(chǎng)線分布關(guān)于y軸(沿豎直方向)對(duì)稱,O、M、N是y軸上的三個(gè)點(diǎn),且OM=MN,P點(diǎn)在y軸的右側(cè),MP⊥ON,則

A.M點(diǎn)的電勢(shì)比P點(diǎn)的電勢(shì)高

B.將負(fù)電荷由O點(diǎn)移動(dòng)到P點(diǎn),電場(chǎng)力做正功

C.M、N 兩點(diǎn)間的電勢(shì)差大于O、M兩點(diǎn)間的電勢(shì)差

D.在O點(diǎn)靜止釋放一帶正電粒子,該粒子將沿y軸做直線運(yùn)動(dòng)

AD

【解析】

試題分析:過(guò)M、P、N做等勢(shì)線,可得到過(guò)P點(diǎn)的等勢(shì)線通過(guò)M、N之間,因順著電場(chǎng)線電勢(shì)降低,則有φM>φP>φN,故A正確;將負(fù)電荷由O點(diǎn)移到P點(diǎn),因UOP>0,所以W=-qUOP<0,則負(fù)電荷做負(fù)功,故B錯(cuò)誤;由U=Ed可知,MN間的平均場(chǎng)強(qiáng)小于OM間的平均場(chǎng)強(qiáng),故MN兩點(diǎn)間的電勢(shì)差小于OM兩點(diǎn)間的電勢(shì)差,C錯(cuò)誤;根據(jù)電場(chǎng)線的分布特點(diǎn)會(huì)發(fā)現(xiàn),電場(chǎng)線關(guān)于y軸兩邊對(duì)稱,故y軸上的場(chǎng)強(qiáng)方向在 y軸上,所以在O點(diǎn)靜止釋放一帶正電粒子,其所受電場(chǎng)力沿y軸正方向,則該粒子將沿y軸做直線運(yùn)動(dòng),故D正確.故選AD.

考點(diǎn):

練習(xí)冊(cè)系列答案
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閉合回路由電阻與導(dǎo)線組成,其內(nèi)部磁場(chǎng)大小按圖變化,方向如圖所示,則回路中

A. 電流方向?yàn)轫槙r(shí)針?lè)较?/p>

B. 電流強(qiáng)度越來(lái)越大

C. 磁通量的變化率恒定不變

D. 產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)越來(lái)越大

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A.電流方向沿ABCD;磁場(chǎng)力方向向右

B.電流方向沿ABCD;磁場(chǎng)力方向向左

C.電流方向沿ADCB;磁場(chǎng)力方向向右

D.電流方向沿ADCB;磁場(chǎng)力方向向左

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科目:高中物理 來(lái)源:2015屆浙江省高三上學(xué)期期末物理卷(解析版) 題型:選擇題

如圖所示,斜面頂端在同一高度的三個(gè)光滑斜面AB、AC、AD,均處于水平方向的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中.一個(gè)帶負(fù)電的絕緣物塊,分別從三個(gè)斜面頂端A點(diǎn)由靜止釋放,設(shè)滑到底端的時(shí)間分別為tAB、tAC、tAD,則

A.tAB=tAC=tAD B.tAB>tAC>tAD C.tAB<tAC<tAD D.無(wú)法比較

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如圖所示的裝置,左半部為速度選擇器,右半部為勻強(qiáng)的偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)。一束同位素離子流從狹縫射入速度選擇器,能夠沿直線通過(guò)速度選擇器并從狹縫射出的離子,又沿著與電場(chǎng)垂直的方向,立即進(jìn)入場(chǎng)強(qiáng)大小為的偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),最后打在照相底片上。已知同位素離子的電荷量為(>0),速度選擇器內(nèi)部存在著相互垂直的場(chǎng)強(qiáng)大小為的勻強(qiáng)電場(chǎng)和磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為的勻強(qiáng)磁場(chǎng),照相底片D與狹縫、連線平行且距離為L(zhǎng),忽略重力的影響。

(1)求從狹縫射出的離子速度的大小;

(2)若打在照相底片上的離子在偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)中沿速度方向飛行的距離為,求出與離子質(zhì)量之間的關(guān)系式(用、、、、L表示)。

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A.O點(diǎn)的電勢(shì)最低

B.X2點(diǎn)的電勢(shì)最高

C.X1和- X1兩點(diǎn)的電勢(shì)相等

D.X1和X3兩點(diǎn)的電勢(shì)相等

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(1)滑塊從傳送帶左端到右端的時(shí)間?

(2)滑塊相對(duì)傳送帶滑行的位移?

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A.該束帶電粒子帶負(fù)電

B.速度選擇器的P1極板帶負(fù)電

C.在B2磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)半徑越大的粒子,質(zhì)量越大

D.在B2磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)半徑越大的粒子,比荷越小

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