A. | 光從光疏介質(zhì)射入光密介質(zhì) | B. | 光從光密介質(zhì)射入光疏介質(zhì) | ||
C. | 入射角小于全反射臨界角 | D. | 入射角大于或等于全反射臨界角 |
分析 折射率較小的介質(zhì)稱為光疏介質(zhì);折射率較大的介質(zhì)稱為光密介質(zhì);
產(chǎn)生全反射的條件是:一是光從光密介質(zhì)射入光疏介質(zhì);二是入射角大于或等于全反射臨界角.根據(jù)這個(gè)條件進(jìn)行選擇.
解答 解:AB、當(dāng)入射角增大到某一角度,使折射角達(dá)到90°時(shí),折射光線完全消失,只剩下反射光,這種現(xiàn)象叫做光的全反射;要發(fā)生全反射,光一定是從光密介質(zhì)射入光疏介質(zhì),如果從光疏介質(zhì)射入光密介質(zhì),不會(huì)發(fā)生全反射,故A錯(cuò)誤,B正確;
CD、要發(fā)生全反射,則光的入射角必須大于或等于全反射臨界角.故C錯(cuò)誤,D正確;
故選:BD.
點(diǎn)評(píng) 本題關(guān)鍵要掌握全反射的條件,對(duì)于全反射的條件可以根據(jù)折射定律理解記憶,兩個(gè)條件缺一不可.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 甲電源的電動(dòng)勢(shì)比乙的電動(dòng)勢(shì)大 | |
B. | 甲電源的內(nèi)阻比丙電源的內(nèi)阻大 | |
C. | 甲電源內(nèi)阻最大,丙電源內(nèi)阻最小 | |
D. | 乙電源的電動(dòng)勢(shì)和內(nèi)阻都比丙電源的大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 圓環(huán)軌道的半徑R=$\frac{{{v}_{0}}^{2}}{5g}$ | |
B. | 小球的質(zhì)量m=$\frac{{F}_{m}}{g}$ | |
C. | 小球在軌道最低點(diǎn)的動(dòng)能Ek=$\frac{{F}_{m}{{v}_{0}}^{2}}{12g}$ | |
D. | 小球在軌道最低點(diǎn)的機(jī)械能E=$\frac{{F}_{m}{{v}_{0}}^{2}}{6g}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 開普勒認(rèn)為行星軌道半長(zhǎng)軸的三次方與自轉(zhuǎn)周期的平方的比值是一個(gè)常量 | |
B. | 牛頓發(fā)現(xiàn)萬有引力定律并第一次測(cè)出引力常量 | |
C. | 牛頓運(yùn)動(dòng)定律只適用于宏觀、低速和弱引力場(chǎng)中 | |
D. | 愛因斯坦相對(duì)論認(rèn)為:物體運(yùn)動(dòng)的速度可以超過光速 |
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