如圖所示,一束電子電荷量為q,以速度v垂直射入磁感應(yīng)強度為B、寬度為d的勻強磁場中,穿過磁場時的速度與原來入射方向的夾角是30°,則電子的質(zhì)量為
2dqB
v
2dqB
v
,穿過磁場的時間是
3v
3v
分析:(1)電子垂直射入勻強磁場中,只受洛倫茲力作用做勻速圓周運動,畫出軌跡,由幾何知識求出軌跡的半徑,由牛頓第二定律求出電子的質(zhì)量.
(2)由幾何知識求出軌跡所對的圓心角α,由t=
s
v
求出時間,s是弧長.
解答:解:(1)電子垂直射入勻強磁場中,只受洛倫茲力作用做勻速圓周運動,畫出軌跡,由幾何知識得到,軌跡的半徑為
r=
d
sin30°
=2d
由牛頓第二定律得:
qvB=m
v2
r

解得:m=
2dqB
v

(2)由幾何知識得到,軌跡的圓心角為α=30°=
π
6

則電子在磁場中運動的時間 t=
s
v
=
r?
π
6
v
=
2d?
π
6
v
=
3v

故答案為:
2dqB
v
,
3v
點評:本題是帶電粒子在勻強磁場中圓周運動問題,關(guān)鍵要畫出軌跡,根據(jù)圓心角求時間,由幾何知識求半徑是常用方法.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

(2013?浙江)“電子能量分析器”主要由處于真空中的電子偏轉(zhuǎn)器和探測板組成.偏轉(zhuǎn)器是由兩個相互絕緣、半徑分別為RA和RB的同心金屬半球面A和B構(gòu)成,A、B為電勢值不等的等勢面,其過球心的截面如圖所示.一束電荷量為e、質(zhì)量為m的電子以不同的動能從偏轉(zhuǎn)器左端M的正中間小孔垂直入射,進入偏轉(zhuǎn)電場區(qū)域,最后到達偏轉(zhuǎn)器右端的探測板N,其中動能為Ek0的電子沿等勢面C做勻速圓周運動到達N板的正中間.忽略電場的邊緣效應(yīng).
(1)判斷球面A、B的電勢高低,并說明理由;
(2)求等勢面C所在處電場強度E的大;
(3)若半球面A、B和等勢面C的電勢分別為φA、φB和φC,則到達N板左、右邊緣處的電子,經(jīng)過偏轉(zhuǎn)電場前、后的動能改變量△Ek左和△Ek右分別為多少?
(4)比較|△Ek左|和|△Ek右|的大小,并說明理由.

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科目:高中物理 來源: 題型:

(14分)在寬L=20cm的區(qū)域內(nèi),存在著互相垂直的電場和磁場,如圖所示,一束荷質(zhì)比=1.8×1011C/Kg的電子以v =1.8×106m/s的速度垂直射入場中,然后沿直線從P點射出,已知磁場磁感應(yīng)強度B=4.0×10-5T,試求:

   

(1)電場的電場強度;

(2)若去掉電場,電子穿過磁場區(qū)時偏離P點多遠(yuǎn)?

(3)如果去掉磁場而保持原電場,電子穿過電場區(qū)時偏離P點多遠(yuǎn)?

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科目:高中物理 來源:2013年全國普通高等學(xué)校招生統(tǒng)一考試?yán)砜凭C合能力測試物理(浙江卷帶解析) 題型:計算題

“電子能量分析器”主要由處于真空中的電子偏轉(zhuǎn)器和探測板組成。偏轉(zhuǎn)器是由兩個相互絕緣、半徑分別為RARB的同心圓金屬半球面AB構(gòu)成,AB為電勢值不等的等勢面,其過球心的截面如圖所示。一束電荷量為e、質(zhì)量為m的電子以不同的動能從偏轉(zhuǎn)器左端M的正中間小孔垂直入射,進入偏轉(zhuǎn)電場區(qū)域,最后到達偏轉(zhuǎn)器右端的探測板N,其中動能為Ek0的電子沿等勢面C做勻速圓周運動到達N板的正中間。忽略電場的邊緣效應(yīng)。

(1)判斷球面A、B的電勢高低,并說明理由;
(2)求等勢面C所在處電場強度E的大。
(3)若半球面A、B和等勢面C的電勢分別為φA、φBφC,則到達N板左、右邊緣處的電子,經(jīng)過偏轉(zhuǎn)電場前、后的動能改變量ΔEK和ΔEK分別為多少?
(4)比較|ΔEK|和|ΔEK|的大小,并說明理由。

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科目:高中物理 來源:2013-2014學(xué)年高考物理大二輪復(fù)習(xí)與測試強化練:功能關(guān)系在電學(xué)中的應(yīng)用(解析版) 題型:計算題

電子能量分析器主要由處于真空中的電子偏轉(zhuǎn)器和探測板組成.偏轉(zhuǎn)器是由兩個相互絕緣、半徑分別為RARB的同心金屬半球面AB構(gòu)成,AB為電勢值不等的等勢面,其過球心的截面如圖所示.一束電荷量為e、質(zhì)量為m的電子以不同的動能從偏轉(zhuǎn)器左端M板正中間小孔垂直入射,進入偏轉(zhuǎn)電場區(qū)域,最后到達偏轉(zhuǎn)器右端的探測板N,其中動能為Ek0的電子沿等勢面C做勻速圓周運動到達N板的正中間.忽略電場的邊緣效應(yīng).

(1)判斷半球面AB的電勢高低,并說明理由;

(2)求等勢面C所在處電場強度E的大。

(3)若半球面A、B和等勢面C的電勢分別為φA、φBφC,則到達N板左、右邊緣處的電子,經(jīng)過偏轉(zhuǎn)電場前、后的動能改變量ΔEkΔEk分別為多少?

(4)比較|ΔEk||ΔEk|的大小,并說明理由.

 

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科目:高中物理 來源:2013年全國普通高等學(xué)校招生統(tǒng)一考試?yán)砜凭C合能力測試物理(浙江卷解析版) 題型:計算題

“電子能量分析器”主要由處于真空中的電子偏轉(zhuǎn)器和探測板組成。偏轉(zhuǎn)器是由兩個相互絕緣、半徑分別為RARB的同心圓金屬半球面AB構(gòu)成,AB為電勢值不等的等勢面,其過球心的截面如圖所示。一束電荷量為e、質(zhì)量為m的電子以不同的動能從偏轉(zhuǎn)器左端M的正中間小孔垂直入射,進入偏轉(zhuǎn)電場區(qū)域,最后到達偏轉(zhuǎn)器右端的探測板N,其中動能為Ek0的電子沿等勢面C做勻速圓周運動到達N板的正中間。忽略電場的邊緣效應(yīng)。

(1)判斷球面AB的電勢高低,并說明理由;

(2)求等勢面C所在處電場強度E的大。

(3)若半球面A、B和等勢面C的電勢分別為φA、φBφC,則到達N板左、右邊緣處的電子,經(jīng)過偏轉(zhuǎn)電場前、后的動能改變量ΔEK和ΔEK分別為多少?

(4)比較|ΔEK|和|ΔEK|的大小,并說明理由。

 

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