如圖所示,比荷為e/m的電子從左側(cè)垂直于界面、垂直于磁場射入寬度為d、磁感受應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,要從右側(cè)面穿出這個(gè)磁場區(qū)域,電子的速度至少應(yīng)為(    )

A.2Bed/m    B.Bed/m     C.Bed/(2m)    D.Bed/m

 

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,比荷為e/m的電子從左側(cè)垂直于界面、垂直于磁場射入寬度為d、磁感受應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,要從右側(cè)面穿出這個(gè)磁場區(qū)域,電子的速度至少應(yīng)為( 。

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科目:高中物理 來源:2011年瀏陽一中高二下學(xué)期考試物理卷 題型:選擇題

如圖所示,比荷為e/m的電子從左側(cè)垂直于界面、垂直于磁場射入寬度為d、磁感受應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,要從右側(cè)面穿出這個(gè)磁場區(qū)域,電子的速度至少應(yīng)為(     )

A.2Bed/m     B.Bed/m     C.Bed/(2m)    D.Bed/m

 

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖所示,比荷為e/m的電子從左側(cè)垂直于界面、垂直于磁場射入寬度為d、磁感受應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,要從右側(cè)面穿出這個(gè)磁場區(qū)域,電子的速度至少應(yīng)為(  )
A.2Bed/mB.Bed/mC.Bed/(2m)D.
2
Bed/m
精英家教網(wǎng)

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科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年河北省廊坊市大城一中高二(上)月考物理試卷(12月份)(解析版) 題型:選擇題

如圖所示,比荷為e/m的電子從左側(cè)垂直于界面、垂直于磁場射入寬度為d、磁感受應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,要從右側(cè)面穿出這個(gè)磁場區(qū)域,電子的速度至少應(yīng)為( )

A.2Bed/m
B.Bed/m
C.Bed/(2m)
D.Bed/m

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科目:高中物理 來源:2011年瀏陽一中高二下學(xué)期考試物理卷 題型:單選題

如圖所示,比荷為e/m的電子從左側(cè)垂直于界面、垂直于磁場射入寬度為d、磁感受應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,要從右側(cè)面穿出這個(gè)磁場區(qū)域,電子的速度至少應(yīng)為(    )

A.2Bed/mB.Bed/mC.Bed/(2m)D.Bed/m

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