A. | B. | C. | D. |
分析 根據(jù)閉合電路歐姆定律I=$\frac{E}{R}$,結(jié)合切割感應(yīng)電動(dòng)勢E=BLv,及速度公式v=at,即可判定求解.
解答 解:根據(jù)題意,一個(gè)長方形的金屬線框以初速度v向左運(yùn)動(dòng),穿出磁場過程中,要切割磁感線,從而產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢,形成感應(yīng)電流,進(jìn)而線框在光滑水平面上,只受到安培阻力,根據(jù)牛頓第二定律,假設(shè)線框勻減速運(yùn)動(dòng),則有:I=$\frac{E}{R}$=$\frac{BLv}{R}$=$\frac{BLat}{R}$,
但根據(jù)安培力公式F=BIL=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$,可知,安培力受到速度的影響,則加速度a在減小,因此線框中感應(yīng)電流的大小隨時(shí)間變化的圖象斜率會減小,故B正確,ACD錯(cuò)誤,
故選:B.
點(diǎn)評 考查法拉第電磁感應(yīng)定律與閉合電路歐姆定律的內(nèi)容,掌握安培力公式,及牛頓第二定律的公式,注意運(yùn)用假設(shè)法解題是本題的突破口.
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | E=k$\frac{Q}{{r}^{2}}$適用于真空中點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場,采用了比值定義法 | |
B. | 電場中某點(diǎn)場強(qiáng)的方向與試探電荷的正負(fù)無關(guān) | |
C. | 電場強(qiáng)度方向就是放入電場中的負(fù)電荷受到的電場力的方向 | |
D. | 在一個(gè)以點(diǎn)電荷為中心,r為半徑的球面上各處的電場強(qiáng)度都相同 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 物體在單位時(shí)間內(nèi)的速度變化大,加速度也就大 | |
B. | 物體的速度越大,則加速度越大 | |
C. | 物體的速度變化越大,則加速度越大 | |
D. | 物體加速度的方向,就是物體速度的方向 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 磁鐵B 在最高點(diǎn)的速度可能大于gr | |
B. | 磁鐵B 在最高點(diǎn)的速度可能等于gr | |
C. | 若增大B 的初速度,則B 在最高點(diǎn)時(shí)最容易脫落 | |
D. | 若增大B 的初速度,則B 在最低點(diǎn)時(shí)最容易脫落 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | t=2s時(shí),斜面對導(dǎo)線的支持力為6.8N | |
B. | t=2s時(shí),斜面對導(dǎo)線的支持力為2.4N | |
C. | t=4.5s時(shí),斜面對導(dǎo)線的支持力為1.2N | |
D. | t=4.5s時(shí),斜面對導(dǎo)線的支持力為零 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 該介質(zhì)對此單色光的折射率為$\frac{1}{sinθ}$ | |
B. | 此單色光在該介質(zhì)中的傳播速度等于光在真空中傳播速度的sinθ倍 | |
C. | 此單色光在該介質(zhì)中的頻率是在真空中頻率的sinθ倍 | |
D. | 此單色光在該介質(zhì)中的波長是在真空中波長的sinθ倍 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 原子中自由電子的運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生 | B. | 原子的外層電子躍遷產(chǎn)生 | ||
C. | 原子的內(nèi)層電子受到激發(fā)后產(chǎn)生 | D. | 處于激發(fā)態(tài)的原子核躍遷產(chǎn)生 |
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