奧斯特發(fā)現(xiàn)電流的磁效應(yīng)的這個實(shí)驗(yàn)中,小磁針應(yīng)該放在                   (    )

(A)南北放置的通電直導(dǎo)線的上方

(B)東西放置的通電直導(dǎo)線的上方

(C)南北放置的通電直導(dǎo)線同一水平面內(nèi)的左側(cè)

(D)東西放置的通電直導(dǎo)線同一水平面內(nèi)的右側(cè)

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:


如右下圖所示,有一根直導(dǎo)線上通以恒定電流I,方向垂直紙面向內(nèi),且和勻強(qiáng)磁場B垂直,則在圖中圓周上,磁感應(yīng)強(qiáng)度數(shù)值最大的點(diǎn)是(      )

A.a(chǎn)點(diǎn)        B.b點(diǎn)       

C.c點(diǎn)        D.d點(diǎn)

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如圖甲所示,物體沿斜面由靜止滑下,在水平面上滑行一段距離后停止,物體與斜面和水平面間的動摩擦因數(shù)相同,斜面與水平面平滑連接.圖乙中v、a、f和s分別表示物體速度大小、加速度大小、摩擦力大小和路程.圖乙中正確的是(  )

 


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英國物理學(xué)家阿斯頓首次制成了質(zhì)譜儀,并用它確定了同位素的普遍存在。若兩種帶電粒子a、b(不計(jì)重力)由S1射入質(zhì)譜儀后的運(yùn)動軌跡如圖所示,則下列說法中正確的是

A.兩種粒子都帶負(fù)電

B.金屬板P1P2間電場方向水平向左

C.b粒子的速度大于a粒子的速度

D.a粒子的比荷大于b粒子的比荷

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科目:高中物理 來源: 題型:


如圖所示,間距為2l的兩條水平虛線之間有水平方向的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B。一質(zhì)量為m、電阻為R的單匝正方形閉合導(dǎo)體線框abcd,從磁場上方某一高度處自由下落,cd邊恰好垂直于磁場方向勻速進(jìn)入磁場。已知線框邊長為l,線框平面保持在豎直平面內(nèi)且cd邊始終與水平的磁場邊界平行,重力加速度為g,不考慮空氣阻力。求:

(1)線框開始下落時,cd邊到磁場上邊界的高度;

(2)若線框ab邊剛離開磁場區(qū)域時的速度與cd邊剛進(jìn)入磁場區(qū)域時的速度相等,則從cd邊剛離開磁場區(qū)域到ab邊離開磁場區(qū)域的過程中,線框中所產(chǎn)生的焦耳熱。

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某質(zhì)點(diǎn)的振動圖像如圖,則下列說法正確的是 (    )

(A)該質(zhì)點(diǎn)振動的周期是2s

(B)在1~2s內(nèi)質(zhì)點(diǎn)做初速度為零的變加速運(yùn)動

(C)在1.5s和2.5s末,質(zhì)點(diǎn)的速度相同,加速度相同

(D)在2.5s和3.5s末,質(zhì)點(diǎn)的位移相同,速度相同

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如圖,在豎直平面內(nèi)有一豎直向上的勻強(qiáng)電場,電場強(qiáng)度為E。一個質(zhì)量為m、帶電量為+q的滑塊B沿斜面體表面向下勻速運(yùn)動,斜面體A靜止在水平地面上。已知重力加速度為g,且mg>Eq。則下列說法正確的是                                (     )

(A)斜面體A受到地面的靜摩擦力方向向左

(B)勻強(qiáng)電場大小不變,方向改為豎直向下,則滑塊B加速下滑,斜面體A受到地面的靜摩擦力方向向左

(C)勻強(qiáng)電場大小不變,方向改為水平向左,則滑塊B加速下滑,與電場方向豎直向上時相比,斜面體A受到地面的支持力減小

(D)勻強(qiáng)電場大小不變,方向改為水平向右,則滑塊B減速下滑,與電場方向豎直向上時相比,斜面體A受到地面的支持力增大

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科目:高中物理 來源: 題型:


如圖,水平放置的兩條平行金屬導(dǎo)軌MN和PQ上(導(dǎo)軌電阻不計(jì)),靜止放著兩條與導(dǎo)軌垂直的滑桿ab和cd,導(dǎo)軌間距為l,兩滑桿距離為d。兩滑桿的質(zhì)量都是m,與導(dǎo)軌的動摩擦因數(shù)均為,兩滑桿電阻均為R?臻g有一勻強(qiáng)磁場垂直軌道平面向上,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=B0+kt(k>0)。已知重力加速度為g。求:

(1)t=0時刻回路中產(chǎn)生的感應(yīng)電流大小及方向;

(2)經(jīng)過多少時間,兩滑桿開始滑動;

(3)從t=0至兩滑桿開始滑動,整個系統(tǒng)產(chǎn)生的總熱量。

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如圖所示為點(diǎn)電荷a、b所形成的電場線分布,以下說法正確的是(  )

A.a(chǎn)、b為異種電荷

B.a(chǎn)、b為同種電荷

C.A點(diǎn)場強(qiáng)大于B點(diǎn)場強(qiáng)

D.A點(diǎn)電勢低于B點(diǎn)電勢

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