質(zhì)量為m、邊長為L的正方形線框,從有水平邊界的勻強磁場上方由靜止自由下落,線框電阻為R,勻強磁場的寬度為H(H>L),磁感強度為B,方向水平.線框下落過程中ab邊與磁場界面平行、與磁場垂直.已知ab邊剛進入磁場和剛穿出磁場時都作減速運動,加速度大小均為a=g/4(g為當(dāng)?shù)氐闹亓铀俣龋挥嬁諝庾枇,試求?br />(1)ab邊剛進入磁場時速度v1的大;
(2)cd邊剛進入磁場時線框速度v2的大;
(3)線框穿越整個磁場的過程中消耗的電能.
分析:(1)根據(jù)牛頓第二定律,結(jié)合切割產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢公式、閉合電路歐姆定律、安培力大小公式求出ab邊剛進入磁場時速度v1的大。
(2)ab邊剛進入磁場和剛穿出磁場時,線框的速度是相同的,根據(jù)機械能守恒定律求出cd邊剛進入磁場時線框速度v2的大。
(3)線框開始進入到開始穿出磁場,其動能沒變,減少的重力勢能全部轉(zhuǎn)化為電能,根據(jù)能量守恒定律求出線框穿越整個磁場的過程中消耗的電能.
解答:解:(1)設(shè)ab邊剛進入磁場時受到的安培力為F,根據(jù)牛頓第二定律,對線框有:F-mg=ma=
1
4
mg

線框中的感應(yīng)電動勢為  E=BLv1
線框中的感應(yīng)電流為  I=
E
R
聯(lián)立以上三式解得  v1=
5mgR
4B2L2

(2)根據(jù)題意和以上的計算可知,ab邊剛進入磁場和剛穿出磁場時,線框的速度是相同的,都為v1,從cd邊剛進入磁場到ab邊剛穿出磁場的過程,對線框應(yīng)用機械能守恒定律,有:mg(H-L)=
1
2
mυ12-
1
2
mυ22

解得:υ2=
25m2g2R2
16B4l4
-2g(H-L)

(3)從線框開始進入到開始穿出磁場,其動能沒變,減少的重力勢能全部轉(zhuǎn)化為電能,再根據(jù)題意和以上的計算分析可知,線框進入磁場和穿出磁場的過程,其受力情況和運動情況完全相同,即線框中消耗的電能完全相同,
所以線框穿越整個磁場的過程中消耗的電能為:E=2mgH
答:(1)ab邊剛進入磁場時速度v1的大小v1=
5mgR
4B2L2

(2)cd邊剛進入磁場時線框速度v2的大小υ2=
25m2g2R2
16B4l4
-2g(H-L)

(3)線框穿越整個磁場的過程中消耗的電能為2mgH.
點評:本題考查了電磁感應(yīng)與力學(xué)和能量的綜合,考查了閉合電路歐姆定律、切割產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢大小、安培力的大小公式等,難度中等.
練習(xí)冊系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,質(zhì)量為m、邊長為L的正方形閉合線圈從有理想邊界的水平勻強磁場上方h高處由靜止下落,磁場區(qū)域的邊界水平,磁感應(yīng)強度大小為B.線圈的電阻為R,線圈平面始終在豎直面內(nèi)并與磁場方面垂直,ab邊始終保持水平.若線圈一半進入磁場時恰好開始做勻速運動,重力加速度為g.求:
(1)線圈一半進入磁場時勻速運動的速度v;
(2)從靜止起到達到勻速運動的過程中,線圈中產(chǎn)生的焦耳熱Q;
(3)請在所給的坐標(biāo)系中大體畫出線圈在整個下落過程中運動的v-t圖象.

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖所示,質(zhì)量為m、邊長為L的正方形線圈,線圈ab邊距離磁場邊界為s,線圈從靜止開始在水平恒力F的作用下,穿過寬度為d(d>L)的有界勻強磁場.若線圈與水平面間沒有摩擦力的作用,線圈平面始終與磁場垂直,ab邊剛進入磁場的速度與ab邊剛離開磁場時的速度相等.下列說法正確的是( 。
A、線圈進入磁場和離開磁場的過程中通過導(dǎo)線橫截面的電荷量不相等
B、整個線圈穿越磁場的過程中線圈的最小速度為
2F(s+L-d)
m
C、整個線圈穿越磁場的過程中線圈的最大速度為
FR
B2L2
D、整個線圈穿越磁場的過程中線圈產(chǎn)生的熱量為2Fd

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖所示,一正方形線圈從某一高度自由下落,恰好勻速進入其下方的勻強磁場區(qū)域.已知正方形線圈質(zhì)量為m,邊長為L,電阻為R,勻強磁場的磁感應(yīng)強度為B,高度為2L,求:
(1)線圈進入磁場時回路產(chǎn)生的感應(yīng)電流I1的大小和方向;
(2)線圈離開磁場過程中通過橫截面的電荷量q;
(3)線圈下邊緣剛離開磁場時線圈的速度v的大小.

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,質(zhì)量為m,邊長為L的正方形線框abcd,從垂直紙面向里的水平有界勻強磁場的上方h高度處由靜止自由下落,磁場高度為H,線框下落過程中始終在同一豎直平面內(nèi)且cd邊與磁場邊界都沿水平方向

(1)請證明線框進入磁場的過程中任意時刻線框克服安培力做功的功率等于線框的電功率;

(2)若m=0.40kg,L=0.45m,h=0.80 m,H=1.45m,且cd邊進入磁場時線框剛好做勻速運動,求cd邊剛穿出磁場時線框的加速度大小;(g取10m/s2)。

(3)在(2)中,若線框剛進入磁場時對其施加一豎直方向外力F,使其能以a=10.0m/s2的加速度豎直向下做勻加速運動,請在下圖中作出線框abcd進入磁場的過程中外力F隨時間t變化的圖像。

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,質(zhì)量為m,邊長為L的正方形線框abcd,從垂直紙面向里的水平有界勻強磁場的上方h高度處由靜止自由下落,磁場高度為H,線框下落過程中始終在同一豎直平面內(nèi)且cd邊與磁場邊界都沿水平方向
(1)請證明線框進入磁場的過程中任意時刻線框克服安培力做功的功率等于線框的電功率;
(2)若m=0.40kg,L=0.45m,h=0.80 m,H=1.45m,且cd邊進入磁場時線框剛好做勻速運動,求cd邊剛穿出磁場時線框的加速度大小;(g取10m/s2)。
(3)在(2)中,若線框剛進入磁場時對其施加一豎直方向外力F,使其能以a=10.0m/s2的加速度豎直向下做勻加速運動,請在下圖中作出線框abcd進入磁場的過程中外力F隨時間t變化的圖像。
 

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