A. | B. | C. | D. |
分析 由安培力公式F=BIL、法拉第電磁感應(yīng)定律和歐姆定律求出安培力與速度的關(guān)系式,然后由牛頓第二定律求出加速度,然后判斷速度隨時(shí)間變化關(guān)系,再答題.
解答 解:線框進(jìn)入磁場過程受到的安培力:F=BIL=B$\frac{BLv}{R}$L=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$
線框進(jìn)入磁場過程中,切割磁感線的有效長度L增大,安培力增大,由牛頓第二定律得:mg-F=ma,則a=g-$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{mR}$
線框由靜止做加速運(yùn)動(dòng),由于L、v不斷增大,加速度a減小,則線框進(jìn)入磁場過程做加速度減小的加速運(yùn)動(dòng),加速度減小,v-t圖象的斜率減小.故ABD錯(cuò)誤,C正確;
故選:C.
點(diǎn)評 本題考查了判斷線框速度隨時(shí)間變化的關(guān)系,求出安培力、應(yīng)用牛頓第二定律求出加速是正確解題的關(guān)鍵.
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 粒子從a點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn)電場力先做負(fù)功,后做正功 | |
B. | Q2帶負(fù)電且|Q2|<|Q1| | |
C. | a點(diǎn)的電勢比b點(diǎn)的電勢高 | |
D. | 粒子在a點(diǎn)的電勢能比在b點(diǎn)的電勢能大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | P點(diǎn)的電勢與Q點(diǎn)的電勢相等 | |
B. | P點(diǎn)的電場強(qiáng)度與Q點(diǎn)的電場強(qiáng)度相同 | |
C. | 帶正電的微粒在O點(diǎn)的電勢能為零 | |
D. | 在P點(diǎn)釋放靜止帶正電的微粒(重力不計(jì)),微粒將作勻加速直線運(yùn)動(dòng) |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 金屬板M電勢不一定高于金屬板N的電勢,因?yàn)槲鬯胸?fù)離子較多 | |
B. | 污水中離子濃度的高低對電壓表的示數(shù)也有一定影響 | |
C. | 污水的流量(單位時(shí)間內(nèi)流出的污水體積)Q=0.16m3/s | |
D. | 為使污水勻速通過該裝置,左、右兩側(cè)管口應(yīng)施加的壓強(qiáng)差為△P=1500Pa |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 該介質(zhì)對a光的折射率為$\frac{2\sqrt{3}}{3}$ | |
B. | a光的折射光線不能在AB面發(fā)生全反射 | |
C. | 在同一介質(zhì)中,a光的光速大于b光的光速 | |
D. | 用同一裝置進(jìn)行雙縫干涉實(shí)驗(yàn),a光的條紋間距大于b光的條紋間距 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 交變電流的頻率是Um=50$\sqrt{2}$Hz | B. | 電壓表V的讀數(shù)為10V | ||
C. | 電流表A的讀數(shù)為20A | D. | 變壓器的輸入功率為40w |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 奧斯特發(fā)現(xiàn)了電流的磁效應(yīng)并得出了電磁感應(yīng)定律 | |
B. | 牛頓通過理想斜面實(shí)驗(yàn)得出物體的運(yùn)動(dòng)不需要力來維持 | |
C. | 伽利略通過實(shí)驗(yàn)直接證明了自由落體就是勻變速直線運(yùn)動(dòng) | |
D. | 法拉第不僅提出了場的概念,而且用電場線和磁感線形象地描述電場和磁場 |
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