【題目】如圖所示,足夠長的平行光滑金屬導(dǎo)軌豎直固定放置,導(dǎo)軌間距L=0.2m,完全相同的兩金屬棒ab、cd均垂直于導(dǎo)軌放置且與導(dǎo)軌接觸良好,其長度恰好等于導(dǎo)軌間距,兩棒的質(zhì)量均為m=O.O1kg,電阻均為R=0.2Ω,回路中其余電阻忽略不計.cd棒放置在水平絕緣平臺上,整個裝置處在垂直于導(dǎo)軌平面向里的勻強(qiáng)磁場中,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1T.棒ab在恒力F作用下由靜止開始向上運(yùn)動,位移x=O.1m時達(dá)到最大速度,此時cd棒對絕緣平臺的壓力恰好為零.g取1Om/s2.求:
(1)恒力F的大。
(2)在此過程中ab棒產(chǎn)生的焦耳熱.
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】質(zhì)量為1 kg的物體靜止在水平粗糙的地面上,在一水平外力F的作用下運(yùn)動,如圖甲所示,外力F和物體克服摩擦力Ff做的功W與物體位移x的關(guān)系如圖乙所示,重力加速度g取10 m/s2.下列分析正確的是( )
A. 物體與地面之間的動摩擦因數(shù)為0.5
B. 物體在前3 m運(yùn)動過程中的加速度為3 m/s2
C. 物體運(yùn)動的位移為13 m
D. x=9 m時,物體的速度為
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,三根通電長直導(dǎo)線P、Q、R互相平行,垂直紙面放置,其間距均為a,電流強(qiáng)度均為I,方向垂直紙面向里(已知電流為I的長直導(dǎo)線產(chǎn)生的磁場中,距導(dǎo)線r處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=,其中k為常數(shù)).某時刻有一電子(質(zhì)量為m、電量為e)正好經(jīng)過原點(diǎn)O,速度大小為v,方向沿y軸正方向,則電子此時所受磁場力為( )
A.方向垂直紙面向里,大小為
B.方向指向x軸正方向,大小為
C.方向垂直紙面向里,大小為
D.方向指向x軸正方向,大小為
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】(多選)如圖所示,ABC為豎直平面內(nèi)的光滑絕緣軌道,其中AB為傾斜直軌道,BC為與AB相切的圓形軌道,并且圓形軌道處在勻強(qiáng)磁場中,磁場方向垂直紙面向里.質(zhì)量相同的甲、乙、丙三個小球中,甲球帶正電、乙球帶負(fù)電、丙球不帶電.現(xiàn)將三個小球在軌道AB上分別從不同高度由靜止釋放,都恰好通過圓形軌道的最高點(diǎn),則( )
A.經(jīng)過最高點(diǎn)時,三個小球的速度相等
B.經(jīng)過最高點(diǎn)時,甲球的速度最小
C.甲球的釋放位置比乙球的高
D.運(yùn)動過程中三個小球的機(jī)械能均保持不變
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,在某裝置中有一勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直于xOy所在的紙面向外.某時刻在x=l0,y=0處,一質(zhì)量為m、電荷量為+2q的粒子a沿y軸負(fù)方向進(jìn)入磁場;同一時刻,在x=-l0,y=0處,一質(zhì)量為4m、電荷量為+q的粒子b垂直磁場方向射入磁場.不計粒子的重力及其相互作用.
(1)如果粒子a經(jīng)過坐標(biāo)原點(diǎn)O,求它的速度為多大?
(2)如果粒子b與粒子a在坐標(biāo)原點(diǎn)O相遇,粒子b的速度應(yīng)為何值?方向如何?
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】質(zhì)量為m的A球和質(zhì)量為3m的B球分別用長為L的細(xì)線a和b懸掛在天花板下方,兩球恰好相互接觸,用細(xì)線c水平拉起A,使細(xì)線a偏離豎直方向θ=60°,靜止在如圖所示的位置。細(xì)線b能承受的最大拉力Fm=4.5mg,重力加速度為g,剪斷細(xì)線c,問:
(1)A與B發(fā)生碰撞前瞬間A的速度大小。
(2)若A與B發(fā)生的是彈性碰撞,求碰撞后瞬間B的速度大小。
(3)請你判斷細(xì)線b是否會被拉斷。
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】屬于β衰變的核反應(yīng)方程式是( )
A. 42He+94Be→126C+X
B. 23490→23491Pa+X
C. 21H+31H→10n+X
D. 3015P→3014Si+X
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,一導(dǎo)熱性能良好的金屬氣缸靜放在水平面上,活塞與氣缸壁間的摩擦不計。氣缸內(nèi)封閉了一定質(zhì)量的理想氣體,F(xiàn)緩慢地向活塞上倒一定質(zhì)量的沙土,忽略環(huán)境溫度的變化,在此過程中
A. 氣體的內(nèi)能增大
B. 氣缸內(nèi)分子平均動能增大
C. 氣缸內(nèi)氣體分子密度增大
D. 單位時間內(nèi)撞擊氣缸壁單位面積上的分子數(shù)增多
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