分析 (1)在0~T0時(shí)間內(nèi),A、B板間存在勻強(qiáng)電場(chǎng),粒子做勻加速運(yùn)動(dòng),由牛頓第二定律和運(yùn)動(dòng)學(xué)公式求出粒子運(yùn)動(dòng)的位移.在T0~2T0時(shí)間內(nèi),粒子做勻速運(yùn)動(dòng),結(jié)合速度求得粒子前進(jìn)的距離,從而求得AB板間的距離.
(2)在2T0~3T0時(shí)間內(nèi),粒子在C、D板間做類平拋運(yùn)動(dòng),C或D板的長(zhǎng)度等于水平分位移大小,由位移公式求解.
(3)分析t=$\frac{{T}_{0}}{2}$時(shí)刻產(chǎn)生的粒子在A、B板間的運(yùn)動(dòng)情況,由位移公式和速度結(jié)合求得到達(dá)Q點(diǎn)時(shí)的速度.
解答 解:(1)在0~T0時(shí)間內(nèi),A、B板間存在勻強(qiáng)電場(chǎng),粒子做勻加速運(yùn)動(dòng),由牛頓第二定律得
qE=ma ①
而$E=\frac{U_0}uy40zlt$ ②
位移為 ${x_1}=\frac{1}{2}aT_0^2$ ③
在T0~2T0時(shí)間內(nèi),粒子做勻速運(yùn)動(dòng),則有 x2=aT0•T0 ④
而x1+x2=d ⑤
整理得,AB板間的距離為 $d=\sqrt{\frac{{3q{U_0}}}{2m}}{T_0}$ ⑥
(2)粒子在C、D板間運(yùn)動(dòng)時(shí),沿平行于極板方向做勻速運(yùn)動(dòng),速度為 v1=aT0 ⑦
則C或D板的長(zhǎng)度 L=v1T0 ⑧
整理得 $L=\sqrt{\frac{{2q{U_0}}}{3m}}{T_0}$ ⑨
(3)$t=\frac{T_0}{2}$時(shí)刻產(chǎn)生的粒子到達(dá)Q點(diǎn)時(shí)的速度,比t=0時(shí)刻產(chǎn)生的粒子到達(dá)Q點(diǎn)時(shí)的速度大.
方法一:
由(2)知,t=0時(shí)刻產(chǎn)生的粒子到達(dá)Q點(diǎn)時(shí)的速度 v1=aT0 ⑩
$t=\frac{T_0}{2}$時(shí)刻產(chǎn)生的粒子先加速$\frac{T_0}{2}$,再勻速運(yùn)動(dòng)T0,設(shè)又加速時(shí)間t到達(dá)Q,根據(jù)運(yùn)動(dòng)學(xué)公式得
$\frac{1}{2}a{(\frac{T_0}{2})^2}+a(\frac{T_0}{2}){T_0}+a\frac{T_0}{2}•t+\frac{1}{2}a{t^2}=d$⑪
整理得 $t=\frac{{\sqrt{8}-1}}{2}{T_0}$⑫
因?yàn)閠<T0,所以此解符合題設(shè)條件.
此時(shí)粒子的速度大小 ${v_2}=a(\frac{T_0}{2}+t)=\sqrt{2}a{T_0}$⑬
所以v2>v1
方法二:
兩種情況下粒子運(yùn)動(dòng)的v-t圖象如圖
t=0時(shí)刻產(chǎn)生的粒子,在t=2T0時(shí)刻到達(dá)Q點(diǎn)時(shí)的速度v1=aT0,v-t圖象與t軸圍成的“面積”即為A、B板間距離d.
$t=\frac{T_0}{2}$時(shí)刻產(chǎn)生的粒子在$t=2{T_0}+\frac{T_0}{2}$時(shí)刻的速度為aT0,但此時(shí)間內(nèi) v-t圖象與t軸圍成的“面積”小于第一種情況0-2T0時(shí)間內(nèi)的“面積”,所以此時(shí)粒子還未到達(dá)Q點(diǎn),仍繼續(xù)加速.故到達(dá)Q點(diǎn)時(shí)速度一定大于aT0.
答:
(1)AB板間的距離是$\sqrt{\frac{3q{U}_{0}}{2m}}{T}_{0}$;
(2)C或D板的長(zhǎng)度是$\sqrt{\frac{2q{U}_{0}}{3m}}{T}_{0}$;
(3)t=$\frac{{T}_{0}}{2}$時(shí)刻產(chǎn)生的粒子到達(dá)Q點(diǎn)時(shí)的速度比t=0時(shí)刻產(chǎn)生的粒子到達(dá)Q點(diǎn)時(shí)的速度大.
點(diǎn)評(píng) 本題中帶電粒子在周期性電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)問(wèn)題,分析粒子的運(yùn)動(dòng)情況是關(guān)鍵,運(yùn)用運(yùn)動(dòng)的分解法進(jìn)行研究.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 1N | B. | 2N | C. | 3N | D. | 4N |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 電場(chǎng)線既能描述電場(chǎng)強(qiáng)度的方向,也能描述電場(chǎng)強(qiáng)度的強(qiáng)弱 | |
B. | 電場(chǎng)線是帶電粒子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌跡 | |
C. | 電場(chǎng)線的疏密程度表明該點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)大小 | |
D. | 電場(chǎng)線是客觀存在的曲線 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 前2s內(nèi)重力的功率為200W | |
B. | 前2s內(nèi)重力的功率為400W | |
C. | 落地前1s內(nèi)重力做功與第1s內(nèi)重力做功相等 | |
D. | 落地前1s內(nèi)重力做功比第1s內(nèi)重力做功多 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | mgsinθ | B. | mgtanθ | C. | $\frac{mgsinθ}{1+cosθ}$ | D. | $\frac{mg}{cosθ}$ |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 電場(chǎng)強(qiáng)度E與磁感應(yīng)強(qiáng)度B之比$\frac{E}{B}$=$\frac{{v}_{0}}{sinθ}$ | |
B. | 電場(chǎng)強(qiáng)度E與磁感應(yīng)強(qiáng)度B之比$\frac{E}{B}$=$\frac{{v}_{0}}{cosθ}$ | |
C. | 粒子穿過(guò)電場(chǎng)和磁場(chǎng)的時(shí)間之比$\frac{{t}_{1}}{{t}_{2}}$=$\frac{sinθ}{θ}$ | |
D. | 粒子穿過(guò)電場(chǎng)和磁場(chǎng)的時(shí)間之比$\frac{{t}_{1}}{{t}_{2}}$=$\frac{cosθ}{θ}$ |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 質(zhì)點(diǎn)P振動(dòng)的周期為1.2s | |
B. | 該波傳播速度為10m/s | |
C. | t=0時(shí)刻開始,質(zhì)點(diǎn)Q比質(zhì)點(diǎn)P先回到平衡位置 | |
D. | t=0時(shí)刻開始,經(jīng)$\frac{1}{4}$個(gè)周期內(nèi),質(zhì)點(diǎn)Q運(yùn)動(dòng)的路程為2cm | |
E. | t=0.2時(shí),質(zhì)點(diǎn)Q運(yùn)動(dòng)到波峰位置 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 物體通過(guò)各點(diǎn)的瞬時(shí)速度之比為vB:vC:vD:vE=1:$\sqrt{2}$:$\sqrt{3}$:2 | |
B. | 物體通過(guò)每一部分時(shí),其速度增量vB-vA=vC-vB=vD-vC=vE-vD | |
C. | 下滑全程的平均速度$\overline{v}$=vB | |
D. | 物體由A點(diǎn)到各點(diǎn)所經(jīng)歷的時(shí)間之比為tB:tC:tD:tE=1:$\sqrt{2}$:$\sqrt{3}$:4 |
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