分析 ①經(jīng)過熱源緩慢加熱,氣體溫度升高到T1過程,氣體做等壓變化,根據(jù)蓋呂薩克定律列式求解;
②用卡子卡住活塞,使之不能上升,熱源繼續(xù)加熱,使氣體溫度升高到T2,氣體做等容變化,根據(jù)查理定律列式求解.
解答 解:①經(jīng)過熱源緩慢加熱,氣體溫度升高到T1過程,氣體做等壓變化,
根據(jù)蓋呂薩克定律得:$\frac{{V}_{1}}{{T}_{1}}=\frac{{V}_{0}}{{T}_{0}}$
解得:${V}_{1}=\frac{{V}_{0}{T}_{1}}{{T}_{0}}$
②用卡子卡住活塞,使之不能上升,熱源繼續(xù)加熱,使氣體溫度升高到T2,氣體做等容變化,設(shè)體積為V1時(shí)壓強(qiáng)為P1,對活塞根據(jù)平衡得:
${P}_{1}={P}_{0}+\frac{mg}{s}$
根據(jù)查理定律:$\frac{{P}_{1}}{{T}_{1}}=\frac{{P}_{2}}{{T}_{2}}$
解得:${P}_{2}=\frac{{P}_{1}{T}_{2}}{{T}_{1}}=\frac{({P}_{0}S+mg){T}_{2}}{S{T}_{1}}$
答:①氣體溫度為T1時(shí),氣體的體積為$\frac{{V}_{0}{T}_{1}}{{T}_{0}}$;
②氣體溫度為T2時(shí),氣體的壓強(qiáng)為$\frac{({P}_{0}S+mg){T}_{2}}{S{T}_{1}}$
點(diǎn)評 本題考察了氣體的等壓和等容變化,關(guān)鍵是找出初末狀態(tài)參量,根據(jù)氣體實(shí)驗(yàn)定律列式求解即可.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | “神舟星”的線速度大 | B. | “神舟星”的周期大 | ||
C. | “神舟星”的軌道半徑大 | D. | 不能確定 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 落地時(shí)的速度越大 | |
B. | 平拋的水平位移越大 | |
C. | 到圓弧軌道最低點(diǎn)時(shí)加速度越大 | |
D. | 落地時(shí)的速度與豎直方向的夾角越大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | B. | C. | D. |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 氣體的溫度升高時(shí),分子的熱運(yùn)動變得劇烈,分子的平均動能增大,撞擊器壁時(shí)對器壁的作用力增大,從而氣體的壓強(qiáng)不一定增大 | |
B. | 氣體體積變小時(shí),單位體積的分子數(shù)增多,單位時(shí)間內(nèi)撞到器壁單位面積上的分子數(shù)增多,從而氣體的壓強(qiáng)一定增大 | |
C. | 壓縮一定質(zhì)量的氣體,氣體的內(nèi)能一定增加 | |
D. | 分子a只在分子b的分子力作用下,從無窮遠(yuǎn)處向固定不動的分子b運(yùn)動的過程中,當(dāng)a到達(dá)受b的作用力為零的位置時(shí),a的動能一定最大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 由C到A的過程中,小球的電勢能先減小后增大 | |
B. | 在O點(diǎn)右側(cè)桿上,B點(diǎn)場強(qiáng)最大,場強(qiáng)大小為E=1.2V/m | |
C. | C、B兩點(diǎn)間的電勢差UCB=0.9V | |
D. | 沿著C到A的方向,電勢先降低后升高 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 電子與正電子的偏轉(zhuǎn)方向一定相同 | |
B. | 電子與正電子在磁場中運(yùn)動軌跡的半徑一定相同 | |
C. | 同一粒子動能越大,它在磁場中運(yùn)動軌跡的半徑越大 | |
D. | 僅依據(jù)粒子運(yùn)動軌跡無法判斷該粒子是質(zhì)子還是正電子 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 氡的半衰期為3.8天,若取4個(gè)氡原子核,經(jīng)7.6天后就一定剩下1個(gè)氡原子核了 | |
B. | 核反應(yīng)${\;}_{92}^{235}$U+${\;}_{0}^{1}$n→${\;}_{56}^{141}$Ba+${\;}_{36}^{92}$Kr+mX 是若干核裂變反應(yīng)中的一種,x是中子,m=3 | |
C. | 光是一種概率波 | |
D. | 光電效應(yīng)和康普頓效應(yīng)說明光具有粒子性 | |
E. | 按照玻爾理論,氫原子核外電子從半徑較小的軌道躍遷到半徑較大的軌道時(shí),電子的動能減小,電勢能增大,原子的總能量減小 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 傳送帶勻速運(yùn)動的速率為$\frac{U}{BL}$ | |
B. | 電阻R產(chǎn)生焦耳熱的功率為$\frac{U^2}{R}$ | |
C. | 金屬條經(jīng)過磁場區(qū)域受到的安培力大小為$\frac{BUd}{R+r}$ | |
D. | 每根金屬條經(jīng)過磁場區(qū)域的全過程中克服安培力做功為$\frac{BLUd}{R}$ |
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